Ргистрирующий материал для записи голограмм

О П И С А Н И Е540512ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(43) Опубликовано 25.06.77, Бюллетень М сурарственнын комитет авета Министров СССР о делам изобретений(088.8) писания 01,08.77 5) Дата опубликован ткрыти 2) Авторы из о,бретен,ия(71) Институт физики полупроводников Сибирского Отделения АИ СССР Осибирский государственный университе(54) РЕГИСТРИРУЮЩИЙ МАТЕР 1 ДЛЯ ЗАПИСИ ГОЛОГРАММ Целью изобретения являетс самостирания при комнатной т расширение записываемого объе. позволяет создать скоростное г кое запоминающее устройство, щее возможность одновременной записи и стирания большого чис ченис ре и 1, чт ичес- ваюимой рамм я полу емперату ма средь олограф обеспечи независла голог Изобретение относится к голографии, в частности к средам для записи голограмм, и благодаря своему быстродействию реверсип может быть использовано в оперативных запоминающих устройствах, устройствах ввода - 5 вывода отображения, преобразования, анализа, распознавания и передачи информации, устройствах пространственно-частотной фильт.рации, оптоэлектронных корреляторах и дру.гих специализированных устройствах.10Известно, что толстые фазовые голограммы могут быть записаны в монокристаллах электрооптических материалов (например, ниобат лития), благодаря дрейфу или диффузии свободных носителей, фотовозбужденных 15 с глубоких ловушек. В течение времени экспозиции в поле с модулированной световой интенсивностью, вызванном, например, интерференцией двух когерентных лучей, свободные носители уходят из областей с большой 2 световой интенсивностью и затем захватываются на ловушки, В результате возникает пространственно . распределенный объемный заряд, создающий внутри кристалла неоднородное электрическое поле, модулирующее 2 показатель преломления кристалла, т. е. возникает фазовая голограмма в кристалле.Записанную голограмму можно стереть нагреванием кристалла до температуры -150 - 170 С. 3 Известен регистрирующии материал для записи голограмм из нпоба;а лития с при. месью 0,03 вес. % железа.Однако сложный процесс стирания голограммы - нагрев монокристалла 1.1 КЬОз . 1 е до Т= 150 - 170 С - в условиях голографических применений нежелателен, а иногда вообще недопустим. Процесс теплового стирания голограммы длится значительное время (порядка минут), кроме того, время стирания голограммы увеличивается за счет теп. ловой инерционности узла нагрева (нагрев до Т - 150 С и последующее охлаждение до комнатной температуры) . Следует также учесть, что монокристаллу ниобата лития опасны большие перепады температуры. Не допускается записи новой голограммы в доугих областях кристалла в течение времени, необходимого для теплового стирания преды. дущей голограммы, поскольку чувствитель. ность к голографической записи резко уменьшается с ростом температуры кристалла,Тирагк 585Совета Министров Соткрытийнаб., д. 4/5 Изд.51 Государственного комитет по делам изобретений Москва, гК, Раушска1163ЦНИИП Зака ПодпнсР Тип, Харьк, фил. пред. Патент в разных областях одного и того же кристалла регистрирующей среды.Это достигается тем, что примесь железа составляет 0,3 - 1,0%.Среда, содержащая монокристалл ниобата лития с концентрацией железа от 0,3 до 1,0 вес, %, обладает свойством самостирания голограммы. Процесс самостирания голограммы подчиняется экспоненциальному закону от времени, т. е. дифракционная эффективность записанной голограммы экспоненциально убывает со временем. Характерное время экспоненты т резко убывает с ростом концентрации железа. Повторная запись голограммы в том же объеме кристалла полностью повторяет амплитудные, временные и пространственные характеристики предыдущей записи. Например, пятидесятая голограмма, записанная в кристалле, воспроизводит свойства первой голограммы. Способность середы к само. стиранию, происходящему при комнатной тем. пературе, позволяет независимо производить запись и обработку голографической информации в разных местах кристалла.На чертеже даны кривые временной зависимости дифракционной эффективности голограмм (в относительных единицах), записываемой в монокристалле нио бата лития примесью 0,31 вес. % железа. Регистрирующий материал для записи го лограмм из ниобата лития с примесью железа, отлич ающийся тем, что, с целью получения самостирания при комнатной температуре и расширения записываемого объема, примесь железа составляет 0,3 - 1,0%.