Способ изготовления электронного прибора
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАНИ ЕИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликКомитет по делам зосретений и открытипри Совете МинистровСССР 9 Х.1973. Бюллетень25ания описация 04.1 Х.1973.385.032,2128.8) Опубликован Дата опублик Авторыизобретения Т. Л. Шарапов А, Иофис, Н. В. Парол аявитель НОГО ПРИБО ПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗЛЕ мет изобретеция лектроцного приботером горячих элеквакуумном объеме Способ изготовления а с ненакаливаемым эм роцов путем нанесения Изобретение относится к эмиссионной электронике,Известен эмиттер, состоящий из двух металлических тонкопленочных электродов, напыленных на диэлектрическую подложку на 5расстоянии десятков микрон один от другого.Между электродами последовательно напыляются диспергированная пленка металла изатем окись бария (ионный полупроводник),Диспергированная пленка представляет собоймножество связанных между собой островковметалла размером 100 - 400 А, расположенныхца расстоянии 50 - 75.Описанная эмиссионная система являетсядостаточно эффективным эмиттером горячих 15электронов, но использовать ее в электронныхприборах практически невозможно.Вначале требуется в откачанном объемеизготовить эмиттер, т. е. цапылить диспергированную пленку и окись бария, затем перенести его через атмосферу и смонтировать вприборе, например электроннолучевой трубке.Последнее осуществить невозможно, так какца воздухе окись бария немедленно гидратируется, а диспергированцая пленка окисляетсяиз-за ее исключительно тонкой структуры.В результате нарушается электрический контакт между островками металла и полупроводником, а следовательно, система не может рабстать. ЗЭ Предлагаемый, способ изготовления эмиттера отличается тем, что в качестве ионного полупроводника используют фтористый барий, а подложку и эмиттер, смонтированные в приборе, кратковременно прогревают при температуре 400 - 450 С. Фтористый барий более устойчив к воздействию воздуха чем окись бария, кроме того, его свойства полностью восстанавливаются при кратковременном прогреве.При прогреве эмиттера происходит диффузия окислов металла островков внутрь этих островков, и контакт металла с полупроводником восстанавливается; одновременно восстанавливаются полупроводниковые свойства фтористого бария,Для прогрева эмиттера можно использовать нагреватель любой конструкции, например типа улитка при плоской подложке. При,работе эмиттера подогреватель не используется.Описанный способ позволяет использовать ценакаливаемый эмиттер в различных типах электроннолучевых и электронных приооров,385344 Составитель Г, Жукова Техред Е. Борисова Редактор Т, Орловская Корректор Е, Талалаева Заказ 506/1556 Изд. 652 Тираж 760 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Тип. Харьк. фил. пред. Патент на диэлектрическую подложку двух пленочных электродов и напыления в зазор между ними диспергированной пленки металла и пленки ионного полупроводника и установки эмиттера в прибор, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности эмиттера, в качестве ионного полупровсдника используют фтористый барий, а после установки эмиттера в лрибор его прогревают при 400 - 450 С в течение 30 - 60 мин.
СмотретьЗаявка
1691966
Н. А. Иофис, Н. В. Пароль, Т. Л. Шарапова
МПК / Метки
МПК: H01J 1/308, H01J 9/02
Метки: прибора, электронного
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-385344-sposob-izgotovleniya-ehlektronnogo-pribora.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления электронного прибора</a>
Способ селективного извлечения ионов тяжелых цветных металлов из анионообменных смол, насыщенных ионами благородных и тяжелых цветных металлов
Номер патента: 812340
Опубликовано: 27.08.1999
Авторы: Демидов, Зуев, Новокшонова, Пименов, Старцев, Яцук
МПК: B01J 41/04, B01J 49/00, C22B 3/00
Метки: анионообменных, благородных, извлечения, ионами, ионов, металлов, насыщенных, селективного, смол, тяжелых, цветных
1. Способ селективного извлечения ионов тяжелых цветных металлов из анионообменных смол, насыщенных ионами благородных и тяжелых цветных металлов, включающий последовательное элюирование цинка разбавленной серной кислотой и меди раствором персульфата аммония, отличающийся тем, что, с целью снижения потерь благородных металлов, медь элюируют раствором персульфата аммония с концентрацией 5 - 15 г/л.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью удешевления процесса за счет снижения расходов реактивов, в качестве раствора персульфата аммония берут нейтральный раствор персульфата аммония после извлечения из него меди карбоксильным катионитом.
Способ изготовления эмиттера типа металл-диэлектрик-металл
Номер патента: 641890
Опубликовано: 05.01.1979
Авторы: "пьер, Даниель, Жак, Клод
МПК: H01J 1/312, H01J 9/02
Метки: металл-диэлектрик-металл, типа, эмиттера
...эмиттеров, содержащих диэлектрический слой,расположенный между двумя металлическими слоями 11). Диэлектрический слойобычно изготавливается из окисных пленок, например А 8 еО ипи Ве О, Такиеэмиттеры получают путем электропитичеокого осаждения на металлическую подложку слоя диэлектрика 21,Указанный способ трудно реализоватьпри формировании слоев диэлектрика набольшой площади подложки,Цель изобретения - упрощение технологии получения слоя диэлектрика,Поставленная цель достигается тем,что готовят раствор из органическогорастворителя (гексаметилфосфоротриамидаи тетрагидрофурана) и электролита-перхлората щелочного металле, погружаютв этот раствор металлическую подложку,подают нв нее отрицательное напряжи проводят осаждение...
Устройство для ионно-лучевой обработки деталей
Номер патента: 1758086
Опубликовано: 30.08.1992
Авторы: Даныш, Лобанов, Обухов
МПК: C23C 14/46
Метки: ионно-лучевой
...5, а при использовании установки для нанесения на обрабатываемую поверхность покрытия в нее введены источники 10 потока атомов мате-. риалов покрытия, например, испарительного типа.Магнит 6 в роли тормозящего электрода может быть выполнен из магнито-твердо1758086 30 35 50 55 из диэлектрического магнитного материала, при этом он заключается в кожух 13 из злектропроводного немагнитного материала,Устройство; например, при ионном травлении кристаллов арсенида галлия работает следующим образом,При достижении вакуума 10 П а включается источник 2 ионного потока, Обычный уровень параметров потоков известных ионных источников; энергия ионов е 00 200 зВ, плотность ионного тока 1-2 мА/см,Однако для обработки кристаллов арсенида галлия требуется...
Способ ионно-химического травления кремнийсодержащих диэлектрических пленок на кремниевых подложках
Номер патента: 1040980
Опубликовано: 15.07.1993
Авторы: Бутырин, Дикарев, Красножон
МПК: H01L 21/3065
Метки: диэлектрических, ионно-химического, кремниевых, кремнийсодержащих, пленок, подложках, травления
...перехода парагелия из состояния (1 Я - 8 ) в метастабильное состояние 2 Я (Я ) или 19,82 эВ для перехода в состояние 2 Б (3 Я) -для ортогелия, а также для атомов неона - 10,30 эВ при переходе2 р - 8 о -+ 3 р 1/21Для других инертных газов энергия тушения возбужденных атомов значиЬтельно ниже 1 б эВ и недостаточна для ионизации молекул Фтористого водо". рода.Таким образом, введением во входящии газовый поток, содержащий фтористый водород и водород, неона или гелия обеспечивают увеличенное образование ионов НР" в общем ионном потоке.5 104409В дальнейшем положительные ионы переводят преимущественно в молекулярное состояние путем соэрания объемного отрицательного заряда электронов в пространстве реакционной камере между плазменным разрядом.и...
Способ получения электронообменников
Номер патента: 231791
Опубликовано: 01.01.1968
Метки: электронообменников
...Фильтрат после обменников не содержит каких-либо загрязнений, посколы в результате восстановления перекиси водорода образуется вода.П р и м е р 1. В ионитовый фильтр загружают 10 об. набухшего катионита КВв водородной форме. Набухший катионит подвергают взрыхлению током обессоленной воды снизу вверх в течение 10 лик с удельной нагрузкой 10 лтзмз набухшей смолы в 1 час. Вслед за этим через фильтр сверху вниз пропускают 60 об. 5 зз-ного раствора хлорного железа с удельной нагрузкой 5,из/лз набухшей смолы в 1 час. Отмывку от избытка хлорного железа осуществляют 50 об. обессоленной воды при той же удельной нагрузке, Затем смолу обрабатывают 2 з/,-ным раствором перекиси водо231791 Предмет изобретения Составитель Г. РусскихРедактор С. С....
Предыдущий патент: Магнитоэлектрическое реле
Следующий патент: Способ изготовления отклоняющей системы для электроннолучевых приборов
Случайный патент: Способ ликвидации зависаний в рудоспусках