Даныш

Номер патента: 1758086

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Даныш, Лобанов, Обухов

МПК: C23C 14/46

Метки: ионно-лучевой

...5, а при использовании установки для нанесения на обрабатываемую поверхность покрытия в нее введены источники 10 потока атомов мате-. риалов покрытия, например, испарительного типа.Магнит 6 в роли тормозящего электрода может быть выполнен из магнито-твердо1758086 30 35 50 55 из диэлектрического магнитного материала, при этом он заключается в кожух 13 из злектропроводного немагнитного материала,Устройство; например, при ионном травлении кристаллов арсенида галлия работает следующим образом,При достижении вакуума 10 П а включается источник 2 ионного потока, Обычный уровень параметров потоков известных ионных источников; энергия ионов е 00 200 зВ, плотность ионного тока 1-2 мА/см,Однако для обработки кристаллов арсенида галлия требуется...

Номер патента: 1255641

Опубликовано: 07.09.1986

Авторы: Гайда, Даныш, Магеровский, Монастырский

МПК: C12N 9/68

Метки: активности, фибринолитической

...аликвоту исследуемого ферментсодержащего раствора, инкубиоруют смесь при 37 С в течение 20- 120 мин (в зависимости от интенсивности развивающейся окраски), останавливают реакцию, добавляют раствор 0,1 М едкого натра, фильтруют через бумажный или ватный фильтр и определяют оптическую плотность Фильтрата при 440 нм, Контролем служит суспензия субстрата, к которой сначала добавляют раствор едкого натра, а затем аликвоту исследуемого раствора. За единицу фибринолитической активности принимают то количество фермента (для плазмы - объем плазмы), которое в условиях определения эа 1 ч дает прирост оптической плотности, равный 1.П р и м е р 1. К суспензии 5 мг субстрата в 1 мл 0,05 М Ыа-фосфатного буфера, рН 7,4, содержащего 0,15 М ХаС 1,...