Способ защиты пленочных элементов микросхем
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
298087 Союз Соввтскиз Социалистическил реслталикЗависимое от авт, свидетельстваМПК Н 05 с 3/14 Заявлено 281969 ( 1315927/26-9)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 111971, Бюллетень10Д ата опубликования описания, 13 Л.1971 Комитет оо делам изобретеиий и открытий лри Совете Мииистрое СССРАвторыизобретения А. С, Косенков, Г. И. Павленко и В. И. ПоповРС:-1.":,.,".-".-:Р,Г: Заявитель СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ МИКРОСХЕМИзобретение относится к области радиотехники, а именно к способам защиты пленочных элементов микросхем, например контактных площадок и проводящих шин, от воздействия атмосферы и влаги.Известен способ защиты контактных площадок на основе меди путем последующего покрытия никелем.Недостатком известного способа является то, что он не обеспечивает неизменности параметров пленочных резисторов и требует электроннолучевого нагрева навески, что повышает стоимость оборудования.Цель изобретения обеспечение неизменности параметров пленочных резисторов, упрощение технологического цикла и снижение стоимости готовой продукции,Это достигается тем, что подложку с напыленными пленочными элементами перед покрытием защитным материалом нагревают в вакууме до температуры 393 - 453 К и, регулируя скорость сублимации защитного материала температурой испарителя, производят конденсацию его на защищаемые элементы с одновременным полым отражением от резистивных пленочных элементов микросхем.Изобретение поясняется чертежом, на котором обозначены медные площадки 1, пленка кадмия 2, резистивные элементы 3, подложка 4. Микросхему с защищаемыми элементамипомещают в вакуумную камеру, нагревают до температуры 393 - 453"К и, управляя скоростью испарения элемента с высокой упруго стью паров, например кадмия или цинка, путем регулировки температуры испарителя, добиваются избирательной конденсации элемента только на поверхность защищаемых элементов при полном отражении от неметаллн зированных частей подложки и от пленочныхрезистивных элементов. При этом, ввиду высокой диффузной способности кадмия или цинка, получают полное покрытие всей поверхности пленочного элемента, в том числе и боко вых частей,Применяя указанный метод, исключают одну операцию по фотолитографическому травлению покрытия, поскольку элемент конденсируется исключительно на защищаемые эле менты.Проверка метода показала, что при температуре подложки 393 К, расстоянии от испарителя до подложки 0,15 м, скорсти роста около 0,5 нм/сек, температуре пспарителя 25 513"К и давлении остаточных газов не более1,33322 10 - -н/м хорошо воспроизводят покрытие медных площадок блестящей и доста- тОчнО плотной плськой кадмия. При этОм на поверхность резистивных элементов на основе ЗО состаренного тантала или металло-диэлектри.298087 Предмет изобретения Составитель А, МерманРедактор А. В. Корнеев Техред Л. Л. Евдонов Корректор О. С. Зайцева Заказ 1168/8 Изд,514 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по д лам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4 у 5 Типография, пр. Сапунова, 2 ческих смесей и на немегаллизированные части подложки покрытие не конденсируют. Способ защиты пленочных элементов микросхем, например контактных площадок и шин, содержащих также и резистивные пленочные элементы на основе чистых металлов и сплавов, материалом с высокой упругостью пара (например, кадмием или цинком) путем сублимации в вакууме при полном его отражении от диэлектрической поверхности подложки, отличаюшийся тем, что, с целью обеспечения неизменности параметров пленочных резисторов, упрощения технологического цикла и снижения стоимости готовой продукции, под ложку с напыленными пленочными элементами перед покрытием защитным материалом нагревают в вакууме до температуры 393 - 453 К и, регулируя скорость сублимации защитного материала температурой испарителя, 10 производят конденсацию его на защищаемыеэлементы с одновременным полным отражением от резистивных пленочных элементов микросхем.
СмотретьЗаявка
1315927
А. С. Косенков, Г. И. Павленко, В. Попов
МПК / Метки
МПК: H05K 3/14
Метки: защиты, микросхем, пленочных, элементов
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-298087-sposob-zashhity-plenochnykh-ehlementov-mikroskhem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ защиты пленочных элементов микросхем</a>
Маска для напыления пленочных элементов на подложку
Номер патента: 2003735
Опубликовано: 30.11.1993
Авторы: Иовдальский, Рыбкин
МПК: C23C 14/04
Метки: маска, напыления, пленочных, подложку, элементов
...подложки, отверстия имеютразмер, превцшающий заданный размеротверстий на 50-2000 мкм, а стенки отверстий заданного размера могут быть выполпод угло 15-85 к плос остипластин ц,Изготовление масок с уменьшеннымразмером элементообразующих кромокснижает экранирование стенками отверстий в маске и дает возможность увеличить воспроизводимость геометрии пленочныхэлементов путем повышения равномерности толщины напцляемцх пленочных элементов.5 Ограничение высоты расположениярасширения отверстий от плоскости маскименее 5 мкм определяется соображениямипрочности, а более 100 мкм - увеличениемэкранирования. Ограничение расширения10 отверстий маски менее 50 мкм объясняетсяувеличением явления экранирования края.ми отверстий, а более 2000 мкм -...
Перемычка для соединения тонко-пленочных элементов микросхем
Номер патента: 801143
Опубликовано: 30.01.1981
Автор: Кузьмин
МПК: H01L 21/00
Метки: микросхем, перемычка, соединения, тонко-пленочных, элементов
...между собой тонкопленочные элементы 1 и 2 микросхемы, при этом соединение тонкопленочных элементов801143 Формула изобретения ВНИИПИ Заказ 10445/73 Тираж 795 Подписное филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Т осуществляют перемычкой 3, выполненной в виде биметаллической скобы(отрезок дуги), угол наклона котороФпо отношению к плоскости расположения пересекаемого тонкопленочногоэлемента 2 составляет 10-45оИзготовление данной перемычки осуществляют следующей, последовательностью операций: нанесение слоя технологического материала, состоящего изМ и Си; формирование окон в слоетехнологическогоматериала путем еготравления; формирование биметаллической перемычки путем гальваническогоосаждения Ац и Сг слоя технологического...
Устройство для изготовления ферритовых пленочных элементов памяти
Номер патента: 237288
Опубликовано: 01.01.1969
МПК: G11C 11/14
Метки: памяти, пленочных, ферритовых, элементов
...штянгях В Оолясть индукт 017 я.На чс 17 тсже из 0017 яжеця конст 17; к 11 я ройствя.УотрОЙство содержит з 1 е 1 Т 17 и ческийагрсватсль (печь) 1 для прсдварительцсго нагрева феррита, исходную фсрритову 10 пластину 27, высокочастотныи ицдуктор А подложку 4 для осаждения пленки, нагреватель 5 подлохкки (пс 1 ь Вяц с хный колпак 6 и Основя" И;1 С 7.На электрический нагреватель 1, например, плоской формы помещена исходная фсррито- В я 51 и 71 я с т и ц я 7. В э л е к т р и ч с с к О м и я Г р с В я т с л с я выполнен пяз, в котором помешеца подложка 1, например, из монокристаллического .ЧпО. Нагреватель з закреплс:1 ца штангах 8 на требуемом расстоянии от пластины 7. Штз 1 и 8, выполненные из токопроводя 1 цего матерала, одновременно...
Свободная маска для напыления пленочных элементов и способ ее изготовления
Номер патента: 1019017
Опубликовано: 23.05.1983
Авторы: Беккер, Кузнецов, Лященко, Мягконосов, Смирнова
МПК: C23C 13/02
Метки: маска, напыления, пленочных, свободная, элементов
...маски с подложкой при взаимодействии тонкого металлического слояиз Ферромагнитного материала, сФормированного на поверхности базовой пластины с внешним магнитйым полем.На фиг. 1 представлен Фрагмент свободной маски, Вид сверху, на Фиг, 2 " сечение А-А на Фиг, 1; на Фиг, 3 - базовая пластина, расположенная между тонкой, прозрачной для ультраФиолетового света лавсаиновои пленкой и защитной полиэтиле новой пленкой; на Фиг. ч - базовые пластины из СПФ, соединенные с тоннкои лавсановой пленкой и содержа 017 4щие сквозные прецизионные отверстия; на фиг, 5 - базовые пластилиныиз СПФ с нанесенным металлическимслоем; на Фиг. 6 - свободная маска,выполненная предложенным способом,содержащая базовую пластину из СПФ,металлический слой из...
Способ лазерной подгонки пленочных элементов интегральных схем и устройство для его осуществления
Номер патента: 1085425
Опубликовано: 23.01.1985
Авторы: Заика, Кравченко, Лантухов, Попов
МПК: H01C 17/242
Метки: интегральных, лазерной, пленочных, подгонки, схем, элементов
...(при стабильной мощности пучков лазерного излучения, обеспечивающей постоянную ширину реза)и предлагаемым, приводящим к монотонному уменьшению ширины реза в про 40цессе подгонки.Установлено, что при предлагаемомспособе минимальный воспроизводимыйвыжженный диаметр пятна на поверхности резистивной пленки в,3-4 разаменьше начального диаметра,В результате подгонки было установлено, что относительная погрешность подгонки известным способом при диаметре выжженного пятна 50 100 мкм и шаге пятен 50 мкм (502 перекрытие) составила (1-2)Х, при уменьшении шага до 10 мкм - 0,257 при резе переменной ширины (предлагаемым способом) - 0,0252. 55 Таким образом, точность подгонкиповысилась на порядок. 4Для подгонки пленочных элементов обычно используют...
Предыдущий патент: Способ создания зазоров
Следующий патент: Монтажная нлата
Случайный патент: Устройство для изготовления брусчатых деталей