Перемычка для соединения тонко-пленочных элементов микросхем

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социапистических Республик(22) Заявлено 091178 (21) 2684757/18-21лс присоединением заявки йо Н 01 Ь 21/00Н 05 К 3/30 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий(5 ПЕРЕМЫЧКА ДЛЯ СОЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛМИКРОСХЕМ НЕНИ ЕНТО хнологии нтеграль техноложду тон 4 омуиэго 10 Изобретение относится к готовления тонкопленочныхных микросхем, в частности к гии изготовления перемычек ме копленочными элементами.Наиболее близким к предлагаем по технической сущности является товление перемычки для соединения тонкопленочных элементов микросхем расположенной в плоскости, перпендикулярной плоскости расположения пересекаемых тонкопленочных элементов.Тонкопленочные проводники в этом случае выполняются из Т 1 - Рс ,На них осаждается технологический материал - слой меди. Для осуществления контакта перемычки с проводником в нем вытравливаются окна. Затем методом электролитического осаждения наносится золото, образующее перемычку пересечения проводников. Перемычка получается П-образной в плоскости, перпендикулярной подложке, и имеет прямоугольную форму в проекции на подлож= ку 13 .Недсстаток известной перемечки состоит в том, что пересечения не удается сделать с воздушным зазором толщиной более 15 мкм, Основная трудность заключается в том, что после вытравливания окон в технологическом слое образуется ступенька, размеры которой определяются толщиной этого слоя, т.е. толщиной будущего воздушного зазора. Наличие большой ступеньки сильно затрудняет последующие операции фотолитографии и гальванического осаждения, Требования увеличить воздушный зазор продиктованы стремлением уменьшить паразитные емкости, которые начинают сильно сказЫваться на частотах СВЧ диапазона.Цель изобретения - уменьшение паразитной емкости.Поставленная цель достигается тем, что перемычка для соединения тонкопленочных элементов микросхем расположенная в плоскости, перпендикулярной плоскости расположения пересекаемых тонкопленочных элементов, выполнена в виде биметаллической скобы, состоящей иэ отрезка дуги, сопряженной с участками, параллельными плоскости расположения пересекаемых тонкопленочных элементов.На чертеже представлены пересекаемые между собой тонкопленочные элементы 1 и 2 микросхемы, при этом соединение тонкопленочных элементов801143 Формула изобретения ВНИИПИ Заказ 10445/73 Тираж 795 Подписное филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Т осуществляют перемычкой 3, выполненной в виде биметаллической скобы(отрезок дуги), угол наклона котороФпо отношению к плоскости расположения пересекаемого тонкопленочногоэлемента 2 составляет 10-45оИзготовление данной перемычки осуществляют следующей, последовательностью операций: нанесение слоя технологического материала, состоящего изМ и Си; формирование окон в слоетехнологическогоматериала путем еготравления; формирование биметаллической перемычки путем гальваническогоосаждения Ац и Сг слоя технологического материала; удаления слоя технологического материала.15Изменение геометрической формыП-,образной перемычки на перемычку,выполненную в виде биметаллическойскобы, состоящей из отрезка дуги,сопряженной с участками, параллельны.:;и плоскости расположения пересекаемых тонкопленочных элементов, достигается применением в качестве материала перемычки гальванически осажденной двухслойной композиции Аг и Сг, 2 дпричем хром с внутренним напряжениемрастяжения, В этом случае толщинутехнологического слоя можно уменьшитьдо 1-2 мкм, поскольку не он определяет толщину воздушного зазора.30Назначение этого слоя лишь в том,чтобы исключить контакт пересекающихся проводников. Еще большее уменьшение толщины этого слоя увеличиваетвремя его стравливания,Воздушный зазор, необходимой толщины образуется благодаря тому, чтопосле стравливания технологического.слоя пермычка, прикрепленная к подложке основаниями, оказывается повисшей в воздухе и загибается в сторону 40увеличения зазора силами внутреннего напряжения в одном из двух своихслоев,Толщина Ац в перемычке составляет5-10 мкм, Сг - 1-2 мкм. Хром с внутренним напряжением осаждения изэлектролита состава г/л.СГО 2502 у 5при плотности тока 40-50 А/дм и55 С.Увеличение толщины воздушного зазора пересечения до 20-100 мкм позволяет уменьшить паразитную емкостьдо 0,1-0,4 пф/мм. Данной перемычкойбыли получены пересечения проводниковшириной 100, 250 и 500 мкм и толщиной 5-10 мкм. Толщина зазора определяется в основном геометрическимиразмерами перемычек,Уменьшение толщины технологического слоя до 1-2 мкм позволяет избавиться от трудностей,связанныхс псявлением большой ступеньки в этомслое после вытравливания окон. Перемычка для соедннения тонкопленочных элементов микросхем, расположенная в плоскости, перпендикулярной плоскости расположения пересекаемых тонкопленочных элементов,о т л и ч а ю щ а я с я тем, что,с целью уменьшения паразитной емко.сти, перемычка выполнена в виде биметаллической скобы состоящей изотрезка дуги, сопряженной с участка.ми, параллельными плоскости расположения пересекаемых тонкопленочныхэлементов,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе,1.Патент Великобритании Р 1393937,кл . Н 1 й, 14. 05, 75 (прототип) .