283337

О П И С А Н И Е 283337ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союа Советских Социалистических Республикс присоединением заявПриоритетОпубликовано 06,Х.197 Комитет по делам иаобретений и открыти при Совете Министров СССРМПК Н 05 с 3/2 К 621,3.049.7(088.8) юллетень31 Дата опубликования описания З.Х 11.1970 Авторизобретения Ц;:,1,.ЗЩММЯ у,1 ь";";тРЯ:М Т;.фтИ 11:;ф Аф Г. Борюшкин аявител Ъюв-ф 1 Х УЧАСТКОТЕРИАЛА СПОСОБ ИЗОЛЯЦИИ ЛОКАЛ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО Изобретение относится к радиоэлектроннойпромышленности и может быть использованопри производстве интегральных полупроводниковых схем,Известен способ изоляции интегральных микроузлов посредством стекловидных пленок,включающий в себя приготовление стекла, содержащего сплавленные окислы, и сплавлениес кремнием путем обжига при температуре,равной или несколько ниже температуры размягчения стекла, что усложняет процесс изоляции интегральных схем,С целью обеспечения диэлектрической изоляции в процессе спекания полупроводниковых пластин, согласно предложенному способу, на поверхность подложки и полупроводниковых выступов наносят слои двух или болеекомпонентов диэлектрика, соединяют их указанными поверхностями и расплавляют слоидиэлектрика при температуре, при которой 20один из компонентов остается в твердой фазе,Способ поясняется фиг. 1 - 7.Способ изоляции локальных участков полупроводникового материала состоит в следую.щем. 25На поверхности рабочей пластины создаютмеза-выступы 1 полупроводникового материала требуемой высоты (до 30 як), например,травлением кремния через окисную маску, полученную с помощью фотогравировки (см. 30 фиг, 1), Если необходимо, в рабочую пластину с меза-выступами проводят диффузию примесей 2 с целью создания сильно легированных областей, которые уменьшают сопротивление тела коллектора в транзисторной структуре (см. фиг. 2). Перед проведением диффузии удаляют окпсные слои с поверхности рабочих пластин. После проведения диффузионного процесса пластины подвергают окислению (возможно низкотем пер атурное осаждеппе окиси полупроводника) с целью получения защитного слоя 3 из окиси толщиной 0,6 - 1,5 лк (см. фиг. 3),По предложенному способу необходима вспомогательная пластина 4 из диэлектрика в качестве подложки для локальных изолированных участков полупроводника, Поверхность вспомогательной пластины должна быть плоской и иметь хорошие адгезионные свойства к боросиликатным стеклам. Вспомогательная пластина может быть выполнена в виде тонкой керамической или покрытой толстым слоем окиси пластины кремния любой марки.На поверхность рабочей пластины с мезавыступами и на одну из сторон вспомогательной пластины наносят тонкие слои 5 порошка окиси бора (см. фиг. 4), Для этого пластины располагают на центрифуге и на поверхность их наносят несколько капель насыщенного раствора окиси бора в этиловом спирте, Лиш283337 Фиг цг Составитель Е, Хвощеваедактор Т. 3. Орловская Текред Л, Я. Левина Корректор Т. А. Джаманкулова аказ 353214 Тираж 480 Подписное111 ИИПИ Комигета по дслагя изобретеиий и огкрытий при Совете Миииоров СССРМосква, Ж, Раущская иа 5., д. 4,5 1 ография. пр. Сапунова,3нее количество спирта удаляют центрифугированием, и после сушки пластин на поверхности их остается топкий равномерный слой окиси бора,Рабочие и вспомогательные пластины прикладывают одну к другой сторонами с нанесенным порошком окиси бора и помещают па кварцевую лодочку (см. фиг, 5). Для лучшего контакта пластины нагружают с помощьк специальных кремниевых шайб, затем помещают в печь с температурой в зоне печи 1100 - 1300 С,и выдерживают 5 - 10 час.В этих условиях между пластинами образуется жидкая фаза пз окислов бора и кремния с преобладанием бора. По мере выдержки при высокой температуре за счет растворения в жидкой фазе окиси кремния температура плавления смеси повышается, и жидкая фаза кристаллизуется в твердую. Пластины оказываются настолько прочно соединенными, что можно производить механическую обработку такой конструкции (см.фивы 6),Соединенные пластины шлифуют и полируют со стороны рабочей пластины так, чтобы ее толщина после обработки . 1 внялась высоте 4меза-выступов. Участки между выступами будут заполнены диэлектриком - боросиликатпым стеклом. Таким образом получают локальные участки монокристаллического рем 5 ния, окруженные слоем стекла, на подложке,которой является вспомогательная пластина1 см. фиг. 7),Предмет изобретения10 Способ изоляции локальных участков полупроводникового материала посредством диэлектрика, например боросиликатного стекла, включающий в себя создание меза-выступов полупроводникового материала с проведением 15 диффузии примесей в рабочую пластину, оуличаюи 1 ийся тем, что, с целью получения диэлектрической изоляции в процессе спекация полупроводниковых пластин на поверхность подложки и полупроводниковых выступов на носят слои двух или более компонентов диэлектрика, соединяют их указанными поверхностями и расплавляют слои диэлектрика при температуре выше размягчения легкоплавкого компонента стекла, обеспечивающей сохра пение одного из компонентов в твердой фазе.