Запоминающий элемент

204372 Л ИСА ОБРЕТ Союз Советскиз Социалистических РеспубликИ ВТОРСКОМУ С ЕТЕЛЬ СТВУ ависимое от авт, свидетель Кл, 21 а аявлено 12,Х 11,1966 (Ю 6-24) 198 присоединением заявкиН 031 с риоритетпубликова комитет по делам зобретеиий и открытий при Совете Министров СССРДК 681.327.67(088.8 ллетень2 Х.1967. Б Дата опубликования описа я 2,1.19 Авторыизобретения. Рудак явител Й ЭЛЕМЕНТ АПОМИНА ем, что игналапомеый маношения величин того сигнала, сигнала ть установлены в заИзвестен запоминающий элемент с неразрушаемым считыванием информации, у которого токопроводящий магнитопровод электрически связан с шиной подачи тока записи и охвачен обмоткой записи,Предлагаемый элемент отличается т для увеличения мощности выходного с в разомкнутую часть магнитопровода щен изолированный магниторезистивн териал, к которому подсоединены шина считывания и нагрузка.На фиг, 1 изображен запоминающий элемент; на фиг. 2 - зависимость сопротивления магниторезистивного материала от величины внешнего магнитного поля,Элемент представляет токопроводящую пермаллоевую пластину 1 тороидальной формы с зазором, который заполнен двумя слоями изоляции 2 и двухфазным полупроводниковым составом 3 1 пЯЬ - %5 Ь, изменяющим свое электрическое сопротивление в зависимости от величины внешнего магнитного,поля, согласно фиг. 2, Непосредственно с телом пермаллоевой пластины связан проводник 4 тока 1 (это может быть числовой или словарный ток в матрице ЗУ).Через отверстие элемента пронизан про. водник 5 тока 1 х (это может быть разрядный ток в матрице ЗУ, т. е. ток по другой координате),10 15 20 25 Непосредственно к включению магниторезистивного материала подходит проводник 5, по которому проходит ток неразрушающего считывания 1 Р.Запись, например, единичной информации осуществляется пропусканием только тока 1, представляющего собой затухающие колебания. При этом индукция и поток в тороидальном контуре уменьшаются до значения, близкого к нулю. Пластина 1 размагничивается, Отсутствие внешнего поля, воздействующего на материал, приводит к тому, что его электрическое сопротивление уменьшается до значения ж Д.Если теперь пропустить ток 1 то с сопротивления Р будет снят полезный выходной сигнал Оси, тЗапись нулевой информации осуществляется одновременным пропусканием тока 1 г и 1 х. В этом случае в тороидальном контуре устанавливается определенный поток Ф. Его воздействие на материал 3 приводит к значительному увеличению электрического сопротивления этого состава. Теперь при пропускании тока 1, на сопротивлении К, выделяется значительно меньший выходной сигнал помехи.Количественные соотков, полезного выходнопомехи и т, д. могут бьРедактор Н, А. Джарагетти Техред Т. Кур Корректоры О. Б. Тюринаи Т, Д. Чуиаева Заказ 4209/5 Тираж 535 ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий п Москва, Центр, пр. Серова, д.Подписноеинистров СССР ве ипография, пр. Сапунова,3висимости от требуемых условий и техноло. гических возможностей.Наиболее важным преимуществом этого элейрта является высокая мощность полезног%Входного сигнала неразрушающего считывайня, который непосредственно связан с источником опроса элемента. Эта мощность может быть использована для срабатывания пассивного детектора в ассоциативных ЗУ, Требования к токам записи и считывания в таком элементе менее критичны, чем в адресных ЗУ, собранных на обычных ферритовых сердечниках по схеме с линейной выборкой, а температурный диапазон работы шире.Элемент может быть изготовлен различными способами, в том числе напылением и электролитическим осаждением. Направление анизотропных осей материала 3, расположенного в зазоре, должно быть таким, чтобы давать наибольшее изменение электрического сопротивления при изменении внешнего поля.5 Запоминающий элемент с неразрушаемымсчитыванием информации, с токопроводящим 10 магнитопроводом, электрически связанным сшиной подачи тока записи и охваченным обмоткой записи, отличающийся тем, что, с целью увеличения мощности выходного сигнала, в разомкнутую часть магнитопровода 15 помещен изолированный магниторезистивныйматериал, к которому подсоединены шина считывания и нагрузка.