Способ определения отклонения

Номер патента: 513575

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Марончук, Пухов, Сушко

МПК: H01L 21/20

Метки: кремнием, легированных, поверхности, слоев, эпитаксиальных

...легированнь ченных методом жидкос личаюшийс яте ворения избыточного кр шают в,раствор-расплав 3-10 вес. % алюминия галлия при 800-850 С рхностих кремнитной эпи итаксиальм, полуксии о т м, что,емния,, содери 90-9 елью р омеес, % в течение Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для получения эпитаксиальных р-и структур на основе арсенида галлия, предназначенных для изготовления ИК-светодиодов. 5Известен способ получения р-и структур из ограниченног раствора-расплава, Использование этого способа при получении сильно легированных кремнием эпитаксиальных слоев приводит к образованию на поверхности слоевО арсенида галлия дентритов кремния.Целью изобретения является получение р-п структур арсенида галлия...

Номер патента: 1555402

Опубликовано: 07.04.1990

Авторы: Бармин, Белокурова, Василина, Земсков, Маврин, Шехтман

МПК: C30B 25/00, C30B 29/06, C30B 29/08

Метки: германий, кремний, монокристаллов, раствора, твердого

...С, в холодную, нагретую до350-400 С, при градиенте температурымежду ними 46,4-71,4 С/см, разложениебромидов и рост монокристаллов твердого раствора германия - кремния втечение 10-20 ч в условиях микроуско-,рений не более 10я. По сравнению спрототипом способ позволяет на двапорядка повысить однородность монокристаллов. 1 табл.(горячая зона). Противоположный конецампулы нагревают до 355 С (холоднаязона). Градиент температуры по длинеампулы 49,6 С/см. Прп данных тепловыхусловиях ампулу выдерживают в течение18,2 ч, после чего осуществляют ееестественное охлаждение до комнатнойтемпературы. Затем ампулу извлекаютиз установки, разбивают и извлекаютмонокристаллы твердого раствора германий - кремний. Полученные монокристаллы диаметром 30-500...

Номер патента: 384162

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/314

Метки: германия, диэлектрического, защитного, поверхности, покрытия

...прпменсп для защиты интегральных схем типа Р-2. Прп этом удалось увел чпть максималысе Ооратное напряжене перехода оа за - кслле 1,тор с 10 - 12 8 дс 25 - 30 О, а так же уменыппть и стаоплпзи ровать обратныетоки этого перехода в условиях повышенной влажнос 1 и и теспературы. Споес Изобретение относится к области ф зик и техники полупроводников и может быть 11 спользовано при разрабопке и ысследсван 1 полупроводниковых приборов и интегральных схем на основе Бермания.Известны спосооы получения зацпт 1,х диэлектрических покрытий на,поверхности гврмания путем обработкп его в расплавленных солях сульфидов или в безводном сероводороде. При этом на поверхности германия образуется плотная пленка сульфида германия. Однако в силу плохой...

Номер патента: 529362

Опубликовано: 25.09.1976

Авторы: Астахова, Духопел, Федина

МПК: G01B 11/24, G01B 11/30, G01B 9/02, G01N 21/45

Метки: аберраций, интеферометр, исследования, качества, крупногабаритных, неоднород, ностей, оптических, поверхностей, прозрачных, элементов

...в в-.оо,л 1 г, апионпой схеме сов. 1 стн с исслецус п зеркалом 7 н устанавливается, в .;а: и:сстот контролируемого объекта,;,.цоо; цг",та.-.кривизны сферического зеркала, либо в фо -кусе исследуемого объектива,Работает интерферометр слецуюшим образом.25Параллельный световой пучок монохроматического света направляется на объектив 1, фокус которого совмещен с отражающей поверхностью зеркала 5. После выхода из объектива пучок света светопелителем 2 део ЭО лится на два пучка - рабочии и опорныи. Рабочий пучок, пройдя светопелитель 2, с помощью зеркала 3 и светоделителя 4 направляется на исследуемое сферическое зеркало 7. Опорный пучок после отражения от светоделителя 2 попадает на линзу 6, а,затемЗВ зеркалом 5 направляется на зеркало...

Номер патента: 1230461

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Болтенко, Гайдин, Константинов, Панько

МПК: G21C 17/06

Метки: каналов, нагретой, оболочек, поверхности, реакторах, состояния, тепловыделяющих, элементов, ядерных

СПОСОБ КОНТРОЛЯ СОСТОЯНИЯ НАГРЕТОЙ ПОВЕРХНОСТИ ОБОЛОЧЕК КАНАЛОВ И ТЕПЛОВЫДЕЛЯЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ В ЯДЕРНЫХ РЕАКТОРАХ, включающий отбор проб из каналов и их нуклидный анализ, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и упрощения определения момента и места достижения контролируемой температуры, на поверхность оболочек каналов и тепловыделяющих элементов наносят внутренний индикаторный слой из материала, обладающего высоким давлением насыщенного пара при контролируемой температуре и содержащего по крайней мере два нуклида, распределенных в различном количественном отношении по длине оболочки и образующих при облучении нейтронами легко идентифицируемые радионуклиды, и внешний слой из материала с температурой плавления, равной...