Способ определения отклонения
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 171119
Автор: Кулиш
Текст
171 И 9 ОПИСАН ИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликФ"Ф"а., , .л ,идетельства843897/22-2 ависимое от авт. с Заявлено 26.71. 963с присоединением за ки М Государственный комитет ло делам изобретений и открытий СССРМПК С 22 1 риоритетОпубликовано1,У,965, Бюллетень1 669;62 .315.5921088.8) Дата опубликовани сания ЗХ 1.196 Авторизобретения. Кулиш омский политехнический явител НИЯ ОТКЛОНЕНИЯНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ АФИЧЕСКОЙ ПЛОСКОСТИ (11 Ц Известные способы определения ориентации полупроводниковых кристаллов основаны на травлении шлифа растворами или расплавами металлов с последующим определением, например, оптическим методом. 5Отличие описываемого способа состоит в том, что он основан на измерении элементов фигур растекания расплава, образующегося при контактном нагреве образцов алюминия на поверхности монокристаллической пласти О ны германия или кремния в вакууме10 - 4 млг рт. ст. при 610 - :640"С для кремнияипри 470 - 480" С для германия; время контактирования соответственно 30 - :60 сек и 30 - :40 сек. Угол разориентации поверхности шлифа опре делягот по соотношению элементов фигур растекания. Способ дает возможность относительно просто и с высокой точностью (2 - 3) определить угол отклонения поверхности шлифа от крпсталлографпческой плоскости (1111. 20Приготовленные шлифы монокристаллов германия или кремния сначала обрабатьналп в полирующих травителях, модифицированных СРи СР.Образцы алюминия марки АВОООО (99,98%) 25 в виде цилиндриков диаметром 0,2 лглг и высотой 4 мм обрабатывали в растворе НзРО 4 с добавкой Н О при 100 С в течение 90 сек. Подготовленные таким образом образцы алюминия и пластины полупроводника приводили 30 редмет пзобрете Спосоости шлиг я поверхнония и кремоскости 11 И,повышенияшлифа прилюминия в двергают на 30 - 60 сек определения отклонеш а монокристаллов герма исталлографической пл ийся тем, что, с целью определения, плоскость онтакт с образцами а10 4 лглг рт. ст. и по 610 в 6 С в течение ния от кротличающточностиводя в квакуумегреву прг Подписная группа1 б 1 СПОСОБ ОПРЕДЕЛ ПОВЕРХНОСТИ ШЛИФА М И КРЕМНИЯ ОТ КРИСТАЛЛОв контакт в вакууме10 г млг рт, ст. и выдерживали под давлением грузов весом 120 лгг в течение 30 - :60 сек при 610 - :640"С для кремния и 30-;40 сек прп 470 - 480 С для германия. Образовавшаяся эвтектическая жидкость растекалась по поверхности образцов в виде четких геометрических фигур.Если фигура растекания расплава имеет правильную геометрическую форму, то поверхность пластины совпадает с плоскостью (1111. Если фигура растекания имеет вид, например, треугольника с усеченными углами, то угол разориентацпи поверхности пластины находят по таблице, в которой приведена зависимость отношения элементов данной гео. метрической фигуры от угла разориентацип.Прп измерении размеров элементов фигуры растекания с точностью до +0,02 мм, точность определения достигает 2 в : 3.171119 Составитель Т. Фирсова Техред Т, П. Курилко Корректор О. Б, Тюрииа Редактор Л. Струве Заказ 1124/17 Тираж 825 Формат бум. 60 Х 901/з Обьем 0,1 изд, л, Цена 5 коп. ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР Москва, Центр, по. Серова, д. 4Типография, пр. Сапунова, 2 для кремния и при 470 в 4 С в течение 30 в : 40 сек для германия, а затем измеряют размеры элементов фигур растекания расплава по поверхности пластины и определяют угол разориентации в зависимости от их соотношения.
СмотретьЗаявка
843897
У. М. Кулиш Томский политехнический институт
МПК / Метки
МПК: G01N 25/00
Метки: отклонения
Опубликовано: 01.01.1965
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-171119-sposob-opredeleniya-otkloneniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения отклонения</a>
Предыдущий патент: Термический способ очистки окиси хрома
Следующий патент: Устройство для точного центрирования деталей на приборах для определения круглости
Случайный патент: Способ выделения ферментов