Способ изготовления оксидно-полупроводникового конденсатора

Номер патента: 1695770

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Александрова, Бочарова, Гурин, Евсеева, Карпухина, Сосновский

МПК: H01G 9/00

Метки: конденсаторов, оксидных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОКСИДНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ, включающий термоэлектротренировку при подаче на конденсатор импульсов напряжения попеременно прямой и обратной полярности и последующую отбраковку по величине тока утечки, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, термоэлектротренировку проводят в течение 1 5 ч, при этом продолжительность и амплитуда импульсов прямой полярности составляют соответственно tпр (60 oC 360)с и Uпр (1 oC 1,15)Uн, где Uн номинальное напряжение конденсатора, а продолжительность и амплитуда импульсов обратной полярности соответственно tобр (0,1 oC 2)с и...

Номер патента: 1825211

Опубликовано: 20.12.2001

Авторы: Нетупский, Орлов, Сухоруков

МПК: H01G 9/042

Метки: анодов, конденсаторов, оксидных

1. Способ изготовления анодов оксидных конденсаторов, включающий формирование объемно-пористых заготовок анодов из порошка вентильного металла натриетермического или осколочного типа, нагрев заготовок в вакууме до температуры спекания с последующей выдержкой, отличающийся тем, что, с целью повышения величины удельного заряда, температуру спекания заготовок анода выбирают в диапазоне 1750 - 2300oC, а нагрев заготовок осуществляют со скоростью подъема температуры 150 - 600oC/с, при этом время выдержки при температуре спекания составляет 5 - 150 с, а средний размер частиц порошка осколочного типа выбирают в диапазоне 2 - 9 мкм.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что...

Номер патента: 578883

Опубликовано: 30.10.1977

Авторы: Амедео, Джулио, Леонард, Эмилио

МПК: A61K 31/4745, C07D 471/04

Метки: пиразолоизохинолинов, солей

...Вг, тетраацетат свитща, ацетат ртути, хлоранил, дихлордицианохинон или двуокись марганца.Процесс проводят в присутствии растворителя, главным образом в инертных органических жид. костях, таких как бензол, диоксан, тетрагидрофу. ран или тетрахлористый углерод и т.п Дегидрирующие средства могут применяться в тех же количествах, что и исходные вещества, а также в значи. тельном молярном избытке. Пример 1. 2(-3,4 дигидроизохинолин1 (2 Н) - он. исульфоната подвергают взаимодействию в 3 ч при кипении в 100 мл бензола с прим аппарата Дина - Старка, После охлаждения прибавляют 200 мл эфира и затем отфиль вают. Фильтрат выпаривают досуха и п 15,82 г основания Шиффа (Т,к 210 С/ 0,01 мм рт.ст,).К 350 мл трет.бутанола, в котором предварительно...

Номер патента: 1816212

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: "пьер, Кристиан, Кристин

МПК: A61K 9/16

Метки: действующее, нанесения, начало, покрытия

...растворители, такие, как например, тетрахпорэтан, трихлорэтан, дихлорэтан, хлороформ,дихлорметан,40 Содержание твердой смеси и жидкойкомпозиции составляет особенно величиныв следующих пределах, %;Твердая смесь 85-20Жидкая композиция 15-80Органическая фаза, полученная последиспергирования или растворения твердойсмеси в жидкой композиции, смешивается сранее приготовленной водной фазой. Очевидно, что когда органическая фаза не со 50 держит жирной кислоты, водная фаза будетсодержать обязательно эмульгатор, напротив, когда органическая фаза содержит покрайней мере одну жирную кислоту, воднаяфаза может содержать гидроксид щелочного металла или аммония и/или эмульгатор.Эмульсия реализуется путем введенияорганической фазы в...

Номер патента: 1795827

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Баранов, Грачев, Гройсман, Загрядский

МПК: H01L 21/316

Метки: окисления, пирогенного, пластин, полупроводниковых

...движения продуктов сгорания водорода в кислороде вдоль реакто ра.Сущность изобретения заключается втом, что реактор разделен на камеру окисления, расположенную в рабочей зоне нагревателя, и камеру сгорания, в которой З 0 происходит взаимодействие Н 2 с 02, Камерасгорания расположена относительно нагревателя таким образом, что та ее часть, которая снабжена трубками для подачи водорода и кислорода находится внутри наЭ 5 гревателя с температурой не менее температуры самовоспламенения водорода, а остальная - за пределами нагревателя и снабжена воздушной рубашкой охлаждения, Обе камеры, окисления и сгорания, соф 0 единены переходной трубкой, ось которойнаправлена под углом к продольной оси реактора, Наличие воздушной рубашки охлаждения...