Патенты с меткой «оксидно-полупроводникового»

Номер патента: 470000

Опубликовано: 05.05.1975

Авторы: Свяцкая, Свяцкий

МПК: H01G 9/04

Метки: анод, конденсатора, оксидно-полупроводникового

...металла.Цель изобретения - повышение стабильности характеристик конденсатора в достигается тем, что спираль предлагаемого анода выполнена из отрезков проволоки, скрученных в жгут.На фиг. 1 приведена конструкция анода; на фиг. 2 - общий вид.Анод оксидно-полупроводникового конденсатора выполнен в виде проволочной спирали 1 из вентильного металла диаметром 10 - 40 мкм. Две такие проволоки, скрученные вместе, образуют заготовку 2. 1000 - 10000 заготовок, скрученных вместе, образуют жгут диаметром 1 - 10 мм. Анод 3 получают разрезанием жгута на части длиной 2 - 20 мм. Вывод 4 приваривают к аноду контактной сваркой.Резать жгут на части необходимо так, чтобы все проволоки в торцовых частях анода приваривались одна к другой, а потери...

Номер патента: 1054841

Опубликовано: 15.11.1983

Авторы: Конотоп, Палатник, Шатровский

МПК: H01G 9/042

Метки: анода, конденсатора, оксидно-полупроводникового

...поверхность обрабатывают водным раствором перекиси водорода с концентрацией 0,001-0,005 об, в течение 15-20 с.- При электролизе кристаллогидрата нитрата марганца на анод осаждается гидроокись марганца, и при обработке ее перекисью водорода гидро- окись переходит в двуокись марганца. П р и м е р. Для изготовления оксидно-полупроводникового конденсатора с объемно-пористым анодом из вентильного металла, в частности тантала, берется электрод стандартных размеров в форме цилиндра (диаметр основания 5,6 мм, высота 10 мм), который приготовлен по известной и общепринятой заводской технологии. Затем этот электрод (будующий анод конденсатора) обез-,. жиривают, сушат и опускают в электролитическую ячейку из графита с расплавом кристаллогидрата...

Номер патента: 1081685

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Лозовик, Малиненко

МПК: H01G 9/04

Метки: конденсатора, оксидно-полупроводникового

...20 С полимерным покры 30+6 36+3 6+1 10+3 тием Контроль 30 партия 22+4 18+4 11+5 35+8 Изобретение относится к электротехнике и предназначено для, использования при изготовлении алюминиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов.Известен способ получения переходного металлического слоя катодной обкладки конденсатора, при котором наносят слой из сплава Рв, Ьп 0,05-30 мас./о Хп с добавкой других металлов (например, Яв, А 1, Т 1, Я, Си) непосредственно на твердый электролит из двуокиси марганца при погружении анодов в ванну с жидким сплавом при одновременном воздействии на ванну вибрацией 1.Однако такой способ не улучшает конечные электрические параметры готовых алюминиевых конденсаторов.Наиболее близким к изобретению по технической...

Номер патента: 1084907

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Круглов, Учуваткин

МПК: H01G 9/045

Метки: алюминиевого, конденсатора, оксидно-полупроводникового

...в нитратемарганца за счет капиллярных явленийнитрат марганца "натягивается" наанодный вывод и осаждается на немпосле пиролитического разложения ввиде Мп 02,В результате в сформированнойтаким образом конденсаторной структуре имеются два электрически и механически напряженных места: верхняяторцовая поверхность ОПА с местомвыхода анодного вывода иэ ОПА инижняя торцовая поверхность. Приэтом различие в механических характеристиках Та и А 1 (пластичность,твердость и т.д.) обуславливает различный вклад указанных "опасных"мест в электрическую и механическую прочность танталовых и алюминиевых конденсаторов в целом.30Для алюминиевых ОПА, в силу высокой пластичности А 1, торцовые поверхности ОПА при их изготовлении"задавливаются", что в...