Патенты опубликованные 30.11.1992

Номер патента: 1586372

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Годнев, Лукашин, Свицын, Сумский

МПК: G01F 23/26

Метки: дискретный, емкостный, уровнемер

...и подключен инверсным выходом к первому входу аналогового ключа 18, соединенного вторым входом с первой выходной шиной генератора 19 ультразвуковых коле баний, который подключен второй выходной шиной через общую шину 20 ко всем емкостным датчикам 1.Каждый емкостный датчик 1 дискретного емкостного уровнемера снабжен закреп ленной на его корпусе 21 парой металлических стерхней 22, расположенных параллельно один другому, и ультразвуковым излучателем 23. Корпус 21 каждого емкостного датчика 1 выполнен с ультраэву ковым концентратором 24 колебаний, расположенным между металлическими стержнями 22 и сопряженным с ультразвуковым излучателем 23. При этом емкостные датчики 1 расположены один над другим 35 между верхним и нижним компенсационными...

Номер патента: 1535244

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Варенцов, Голиков, Ежов, Матышев, Рябов, Ящук

МПК: G21K 1/08

Метки: нейтральных, пучками, частиц

...к физическомуэксперименту с использованием нейтральных атомных или молекулярных пучков иможет применяться для управления такимипучками.Цель изобретения - увеличение селектирующей способности без потери светосилы,На чертеже изображено устройство дляуправления пучками нейтральных частиц,общий вид.Устройство для управления пучкаминейтральных частиц содержит внешний 1 ивложенный в него внутренний 2 электрические или магнитные полеобразующие элементы, фиксированные друг относительнодруга посредством крепежных элементов 3.Профили полеобразующих элементов1 и 2 соответствуют формуле у 1,2 = - хАх агссоз(ехр( - Ах 12)1, где А - постоянная;х 1, у 1 - оси координат элемента 1; х 2, у 2 -оси координат элемента 2. При этом плоскости симметрии...

Номер патента: 1589690

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Зосим, Пузиков, Семенов

МПК: C30B 23/02, C30B 29/22

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводящих

...6 высокотемпературной сверхпроводящей керамики УВа 2 Соз 07-х размером частиц 1-5 мкм под1589690 ают со скоростью 50 мкг/мин на испаритель3 вдоль поверхности на расстоянии 1-2 ммперпендикулярно потоку 7 испаряемого вещества, Поток бесконтактно испаренногопорошка в течение 4 мин осаждают на подложку 5, выполненную в виде диска диаметром 15 мм из мо окристалла ЯгТ 10 з,расположенную на расстоянии 3 см от испарителя и нагретую до 300 С. Охлаждение докомнатной температуры подложки с пленкой проводят естественным путем,В результате без дополнительного отжига получают высокотемпературнуюсверхпроводящую пленку УВа 2 Сцз 07-х диаметром 15 мм и толщиной 0,8 мкм. Поверхность пленки является зеркально гладкой ине содержит включений других...

Номер патента: 1589695

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Бобырь, Долгополова, Кравченко, Смирнов

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: галогенидов, металлов, монокристаллов, основе, сцинтилляционных, термообработки, щелочных

...поглощения кристалла Се 1(Т 1) 5 10 15 20 после отжига при 650 К представлен на фиг, 25 2 (кривая 3). Оптические и спектрометрические параметры детектора Сз(Т 1) и фосвича йа 1(Т 1) + Сз 1(Т 1) представлены в табл. 1, Ч 1. Как видно из представленных результатов, не все сложные активэторные центры окра ски разрушаются. При этом спектрометрические и оптические параметры детектора Сз(Т) и фосвича Ма 1(Т 1) + Сз 1(Т 1) улучшаются.Чтобы разрушить все сложные актива торные центры окраски, которые еще проявляются в спектрах поглощения и снижают конверсионную эффективность и энергетическое разрешение как детектора Сз 1(Т), так и фосвича йа 1(Т 1) + Сз(Т 1), кристалл 40 Сз 1(Т 1) помещают в печь, нагревают до 750 К со скоростью 0,2...

Номер патента: 1540155

Опубликовано: 30.11.1992

Автор: Корнышев

МПК: B23C 3/12

Метки: самодвижущееся, сварных, швов

...27 с торцов и воспринимающие перекашивающий тележку 1 крутящий момент от усилия резания из-эа консольного расположения фреэы 14.Входной вал 32 червяка имеет шлицевой хвостовик, входящий в отверстие полого вала 33 фрезерной головки 11. Винтовой механизм 10 вреэания состоит из винта 34, закрепленного на основании 35, жестко связанного с корпусом фрезерной головки 11, и гайки 36, неподвижно закрепленной на кронштейне 37, жестко связанном с корпусом 3, причем основание 35 и кронштейн 37 соединены направляющими типа ласточкин хвост. С помощью основания 35 фрезерная головка 11 базируется под углом 30 к плоскости тележки 1, Одна боковая стенкв 17 корпуса 2 установлена на поворотной оси и замыкается при работе невыпадающими болтами....

Номер патента: 1540444

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Калмыков, Лозицкий, Свицын, Шпинев

МПК: G01F 23/296

Метки: ультразвуковой, уровнемер

...частоты, После подсчета этих импульсов на выходе схемы 2 Иди-НЕ 14 фпрмируетси единичный пере- ) пад, который разрешает прохождение им- д пульсов от генератора 12 на вход второго 16 делителя частоты. После деления импульсов во втором 16 делителе частоты последние поступают на вычитающий вход реверсивного счетчика 6. В момент обнуления счетчика 6 на его выходе появится нулевой уровень, который закрывает схему ЗИ 15.1540444 При коэффициенте деления 16, численно равном базовомурасстоянию эталонного преобразователя 7, величина измеряемого уровня выражается непосредственно в единицах длины. Импульсы с выхода ЗИ 15 следуют так же на вход счетчика, обнуление которого производится коротким импульсом с выхода схемы 19 сравнения в моменты...

Номер патента: 1598780

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Булдовский, Дубоносов, Клембек, Пузиков, Семенов, Черепков

МПК: H01L 29/88

Метки: переходом, туннельным

...мощности на переходе,Устройство изготавливается с использованием известного способа получения ал1598780 30 повышения стабильности характеристик во времени и надежности работы в условиях воздействия климатических и радиационных нагрузок, слой диэлектрика и защитный слой выполнены из поликристаллическай алмазной пленки,Формула изабретени: Устройство с туннельным переходам, содержащее два металлических электрода, слой диэлектрика между ними и защитный слой, а т л и ч а ю щ е е с я тем, :,та, с целгло Составитель Н.ГусельникавРедактор Т,Куркова Техред М,Маргентал Корректор О.Густи Заказ 559 Тираж Псдписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5...