417442

Номер патента: 1814445

Опубликовано: 10.09.1996

Авторы: Балбуцкий, Гайдук, Сасновский, Чаусов

МПК: H01L 21/308

Метки: кремния, островков, поликристаллического, полупроводниковых, профилем, структур, ступенчатым

...следующее ограничение на ширину уступа:уст. - крит.раза, (8)где Ьу - ширина уступа фоторезистивной маски относительно края островков поликристаллического кремния,Добавив в правую часть соотношения (8) величину (Ь-Ь,), которая всегда больше нуля, ибо в противном случае проблем с обрывами межкомпонентной разводки на островках поликристаллического кремния не возникало бы, мы еще более уменьшим вероятность появления несплошной пленки межкомпонентной разводки на ступеньке:уст, - крит.раза. ("пкк. раза,) з (9)Перепишем (9) следующим образом:пкк. раза. крит.раза. - 1 уст. (1 О)Сравнивая (10) и левую часть (7), получаем, что глубина несквозного травления слоя поликристаллического кремния и ширина уступа фоторезистивной маски относительно края...

Номер патента: 589167

Опубликовано: 25.01.1978

Авторы: Золотников, Тютюнников

МПК: B65G 17/00

Метки: взаимноперпендикулярными, горизонтально, замкнутуму, колесами, перемещения, пути, тележек, транспортирующее

...на основании с возможностью взаимодействия со смонтированными на тележках копирными направляющими, а рычаги жестко соединены с опускными секциями, установлены на основании на осях с возможностью качания и снабжены фиксаторами исходного их положения.На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство в плане, общий вид; на фиг. 2 - вид А на фиг. 1 (момент прохождения тележки через зону стыковки путей); на фиг. 3 - узел 1 на фиг, 2; на фиг. 4 - то же, в момент отклонения секции рельсового пути.На рельсовых путях 1 установлены тележки 2, имеющие основные 3 и дополнительные 4 кол с гадесоо. ями В;ес а еос;.синя пе ьх путей 1 яа осях =. закрепленных на оси.вани ипР" во ом всз;1 ес. в:, и и, ивоср 1 т;,1 д,; "Р".юеплеипых к им пьа-аз 8 Привод...

Номер патента: 561315

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Васильева, Горячева, Ермакова, Иванова, Клаповский, Клешко, Маршалкин, Симутенко

МПК: A23G 1/20

Метки: кондитерских, масс, пористой, структуры, термопластических

...обеспечивает получение однородной пористой структуры Ноколалд без рваных пор на поверхности плитки, четкой геометрической формы. Неолноролность пористой структуры вызыВЗСТ ПЕРЕКОС ПЛИТКИ ПОРИСТОГО ЦОКОЛДЛс 1 по высоте и, сгГсов;)тельно, большое количество возвратных отхо Гов при завертке.ОлцовреуСццо с процессом вакуумировдния осуществляют ралиационное охлаждение прп температуре тспловоспринимающих юверхцостей 25 С и температуре среды в кдмерс 3 -1 ОС. Этст режим ралиациоцного охлаждения ооеспечивдют конвективным охлаждением тспловоспринимающей поверхности прп скорости вертикального возлупНого потока О- - 12 мгс и температуре воздуха 2 - ОС.Пс) ВтОрой Стадии ЗаКрЕПЛяЮт СтруКтуру пюколаля с образованием верхней корочки,...

Номер патента: 676595

Опубликовано: 30.07.1979

Авторы: Ковалева, Мощевитина, Никулин

МПК: C08F 212/36

Метки: ионита, сульфгидрильного

...Реакционную массу выдерживают при 80 С в течение 80 ч. Продукт отделяют от маточното раствора, промыва,ют 5% -ным раствором соляной кислоты и водой, затем 5 подвергают омылению 15% -ным вод. ным раствором едкого натра (300 мл 1 при 80 С в течение 10 ч. Полученный катионит имеет следующие показатели.Пример 1. В колбу, снабженную обратным холодильником, мешалкой.и термометром, загружают 100 г хлорметилироввннсго сополимера стирола и дивинилбензола, приливают 250 мл дистиллированной воды и добавляют 100 г тиомочевины, нагревают до 80 С и загружают 5 г (0,05 вес. ч.) катализатора эфирата фтористого бора. Содержание серы, %Обменная емкость по серебру из 0,1 н раствора АСМОмг экв/гОбменная емкость по ртути из 0,1 нраствора Ня(ИОз)мг...

Номер патента: 678489

Опубликовано: 05.08.1979

Авторы: Кобчиков, Нежметдинов, Травин

МПК: G06F 15/173, G06F 17/00

Метки: оптимизации, систем, сложных, структуры

...ряды элементов И с индексом гз/1+2,(, благодаря чему открывается элемент И 1,1/1+2, , и на сумматор поступает для сложения с предыдущим значение характеристикиобщих элементов первого варианта подсистемы 1 с первым вариантом следующей подсистемы 1+2 и т,д. до 1-го импульса генератора тактовых импульсов, который открывает последний элемент И данного вертикального ряда, После этого на блок вычисления поступает значениехарактерйстики первого варианта подсистемы 1, После следующего импульса генератора сигнал с последнего п+1-го выхода дешифратора 47 поступает на вход счетчика с предварительным занесением 51 и складывается с числом, поступившим через деширратор 27 от регистра числа подсистем 29. В результате напряжение появляется на...