Способ получения кондитерских изделий пористой структуры из термопластических масс

ZIP архив

Текст

ОП ИС ИЗОБРЕ Союз СоветскихСоциалистииесеаРеслублик НИЕ ЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(61) Дополнительное к авт. св д-ву - 78909/1 ено 18.12.73 (21) 19 осударстеенный квинтет СССР оо делам изаоретеннй н открытий(23) Приоритет -ллетень 2 Опубли но 25.06.79. та опубликования описания 03.07.79. Ермакова, Г. Н. Горячева, В Ю. В. Клаповский, К. А. Ва и М. П. Иванова но-исследовательский институт ко и, Московский ордена Трудового гический институт пищевой промы я ордена Ленина кондитерская фс Красный Октябрь Г. А. Маршалкин, Т. П Г. М. Клешко,В. Симутенкосильева 72) Авторы изобретен ый научышлен иост технол осковска ндитерскКрасногошленностабрика сесою пром мамеи 71) Заявител) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНДИТЕРСКИХ ИЗДЕЛИЙ ИСТОЙ СТРУКТУРЫ ИЗ ТЕРМОПЛАСТИЧЕСКИХ МАС Изобретение относится к кондитерскои промышленности, а именно к производству изделий пористой структуры из термопластических масс, например шоколада.Известен способ получения кондитерских изделий пористой структуры из термопластических масс путем обработки ее под вакуумом в три стадии: на первой - снижением давления, на второй - закреплением пористой структуры с одновременным радиационно-кондуктивным охлаждением, а на третьей - повышением давления до атмосферного, при этом на первой и третьей стадиях осуществляют одновременное радиационно- конструктивно-конвективное охлаждение изделий с последующим окончательным их охлаждением при атмосферном давлении.Известный способ затрудняет процесс порообразования и не обеспечивает получения равномерной пористой структуры по сечению шоколада за счет большого остаточного давления при вакуумировании, что создает резкий перепад давлений при вводе форм и выходе их из охлаждающего аппарата, Кроме того, при таком способе очень низкая интенсивность охлаждения. С целью повышения качества изделий и обеспечения получения равномерной пористости в предлагаемом способе на третьей стадии конвекцию осуществляют струей воздуха температурой 3 - -10 С, а окончательное охлаждение проводят постадийно при радиационно-конвективном топлоотводе.Целесообразно снижение давления проводить в течение 15 - 60 с до величины остаточного давления 10 в 15 мм рт. ст., закрепление структуры - в течение 2 в 10 мин при температуре тепловоспринимающих поверхностей 2 - 5 С, а повышение давления осуществлять в течение 20 - 60 с.На первой стадии окончательного охлаждения - радиационное целесообразно проводить при температуре тепловоспринимаюгцих поверхностей 3 - 6 С, а конвективное - при скорости воздушного потока 5 10 м,с и температмре воздуха 2 - 5 С, при этом на второй стадии радиационное охлаждение проводят прп температуре тепловоспринимаюгцих поверхностей 2 - 14 С, а конвективное - при скорости воздушного потока 5 - 6 м/с и температуре воздуха 10 - 12 ССпособ заключается в следующем.561315 10 15 О 5 30 35 40 45 50 ЦНИ И ПИ Заказ 3688152 Тираж 568 Подписное Филиал П П П Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Послс обработки вибрацией для равномерюго распреЛеления шоколадной массы в формах, шоколаЛную массу температурой 27. - 31 Г вакуумируют и одновременно охлджлдот. ПроСсс вдкуумирования придает пцколяду пористую структуру. Г 1 роцесс осущсствляк)т в трп стдлпи. Нд первой сталин шстепенно сц)1 жак)т лдвление с 760 мм рт. ст Вс.)ичицы осдОсгцсГО давления 1 О - 50 мч рт.ст. в течение 15 - 60 с, расючес рдзрсженис в системе выдерживают в течение 21 О чип и пя третьем этапе постепецю увеличивают остаточное давление Ло 760 мм рт. ст. в течецие 20-60 с.Такой режим вакуумпрования обеспечивает получение однородной пористой структуры Ноколалд без рваных пор на поверхности плитки, четкой геометрической формы. Неолноролность пористой структуры вызыВЗСТ ПЕРЕКОС ПЛИТКИ ПОРИСТОГО ЦОКОЛДЛс 1 по высоте и, сгГсов;)тельно, большое количество возвратных отхо Гов при завертке.ОлцовреуСццо с процессом вакуумировдния осуществляют ралиационное охлаждение прп температуре тспловоспринимающих юверхцостей 25 С и температуре среды в кдмерс 3 -1 ОС. Этст режим ралиациоцного охлаждения ооеспечивдют конвективным охлаждением тспловоспринимающей поверхности прп скорости вертикального возлупНого потока О- - 12 мгс и температуре воздуха 2 - ОС.Пс) ВтОрой Стадии ЗаКрЕПЛяЮт СтруКтуру пюколаля с образованием верхней корочки, прелотврапгаюИей осадку лптки при контакте с атмосферой, путем полачи форм с пюколялом в следующую зону на 2 -10 мин с олцовремеццым рдлиационно-коплуктивным охляжлснием при температуре тсплозоспрпцимяюцих поверхностей 2- - 5 С.В третьей стадии повышаот давление в геченис 2060 с и проводят одновременно ра.сиационно-кснлуктивно-конвективное охлаж;Гение, при этом копвскцию пооводят струей возлуха температурой 3 - 1 ОС.Г 1 ри радиационном охлаждении фикси. руется юристая структура плитки шоколада по всему ее объему, что способствует образованию однородной структуры.После окончания вакуумирования и предварительного охлаждения, позволяющего сохранить устойчивую пористую структуру, и подьма остаточного давления до атмосферного, шоколад в формах поступает лля окончательного охла)кдения. Интенсивность Охлдждени 5 снижают п 1)н движении Н 1)одукта от сталии предварительного охлаждения к выходу в атмосферу цеха. Затем формы с шоколалом передают на окончательное ралиациоцно-конвективное двухсталииное охлаждение, которое осуществляется при атмосферном давлении: на первой стадии радиационное проводят при тсмпсраг,рс тепловосприцимающих поврхностей 3- 6-Г, а конвективпое . Ирп скоростВсзлхшного потока 5 - 10 мгс и тяпсрдтурвоздух;1 2- - 5 С; цд второй стдлип выс;Оркой иОкоЛала СОЗдс 1 К)Т СК)Г 1 Е М 51 ГКИИ РСЖИМ: Рс 1)гпаппонцое охлаждение провс)лят при хпрдтмре тепловоспргпимаСпИх поверхцсотей 12 - 14 С, а коцвективное - прп сксрости воздушного потока 5 -6 мгс и темпратх рс воздуха О - 12"С.Температура гпоколялд перел выборкой изделий 14 в -16 С.Предлагаемый сшсоо позволят полу- ЧИТЬ Г 10 РИСТЫИ ПОКОЛс 5 СТДОИ.1 ЫГОГО КЗЧЕСТ- ва с равномерной пористой структурой и с четкими геометрическими рдзхера 1 И оез дефектов ца поверхности плп Гок.Фор.ггггга га)сЯретегаг1. Способ по 1 учени 51 кондитерских изГГС- лий пористой с) р) ктург из срмсплгстИсв ких масс пхтсч обрясоКп ес пол вакуумсм в три стадии: па псрвсй - сци)ксциеч Гявления, ца второи закрсцлсцис 1 пористой ст 1)уктуры с 0;спсврсменпым )ЗгИацис)пнс)- коплмктивным схгЗж,гением, я па Г)стьси повып 1 писм Гсдвлспи 51;С дтхОс 11 ерцого, цпи ЭТОМ Па ПЕРВОЙ П тРЕтЬЕй СтсЛИ 5 Х ОСУЩЕтвлякг одновременное рялпационнс-коцлуктивно-коцвсктивнос охлажленис изделий с после,суосИм окончательным их схадж)синем при атмосс 1)ерцсм ла )леции, от.гичикэЩггггссг ТСМ, ЧТО, С 1)ЕЛЬК) Г 1 Г)ВЫП 1 С.ЦИ 5 КЯ 1 ССТ- вд излслий и обеспеченя по,г,чеция равномерной пористости,д третьей стслпи коп- ВЕКЦИЮ ОСМПССВ)15 К)Т СГРМСИ ВС)ЗЛСХ; ТЕ 1- ПСраТурОГ ) - 10(., д СКОИсТСЛПС)С ОХ 1 дК - ЛС.ЦИС ПРОВО 5 Т СС 1.ПИНГ ПРИ РгЛпс 1 ППСцно-копвективцом т 1 лсл вслс.2. Гпособ пс и 1, от,гичаюсаийс Гсч. чтс снижение лдвлспия проводят в тсчспие 15 60 с ло величицы остаточного давления 10 50 мм рт.ст.3. Спосоо ИО пп.и 2 г.ггггаюггггггсссг Гс)1 что закрепление струкгуры проводят в тсчение 2 -10 мин при тсмпсратупс теивоспринимаюцих поГ)срхпостсй 2 -5"С.4. Способ по пп.3, от.гггцакшггйссг тем, что повышсние давления ссуп;сствляют в течение 2060 с.5. Спосос пс и. 1, огь гнчак)вггйа т Что Ца ПСРВОИ Сггсг;спи ОКОП ЧДТЕГЬПОГО ОХЛДЖЛСНИ 5 - Рс),ГИсц 1 ИОЦПОС. ПРОБОЛЯТ ПРИ температуре тсцгОвсс рпцимдк)пих поверхностей 3 - 6 Г, д копвсктивцое - прп скорости возлушцого;отокд 5 10 м,гс и температуре Всзлх ха 2- 5"С, при этом ца Второй стадии ралпацпоццос охлажлспис провалят прп тегпратх ренгОвссггринимагс- щих поверхностей 12 - 4"С, а коцвективное -- при скорости возлуИного;ютока 5- .6 у/с и температуре всзлухя г 10- -12 С.

Смотреть

Заявка

1978909, 18.12.1973

ВСЕСОЮЗНЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ КОНДИТЕРСКОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ, МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ПИЩЕВОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ, МОСКОВСКАЯ ОРДЕНА ЛЕНИНА КОНДИТЕРСКАЯ ФАБРИКА "КРАСНЫЙ ОКТЯБРЬ"

МАРШАЛКИН Г. А, ЕРМАКОВА Т. П, ГОРЯЧЕВА Г. Н, СИМУТЕНКО В. В, КЛЕШКО Г. М, КЛАПОВСКИЙ Ю. В, ВАСИЛЬЕВА К. А, ИВАНОВА М. П

МПК / Метки

МПК: A23G 1/20

Метки: кондитерских, масс, пористой, структуры, термопластических

Опубликовано: 25.06.1979

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-561315-sposob-polucheniya-konditerskikh-izdelijj-poristojj-struktury-iz-termoplasticheskikh-mass.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения кондитерских изделий пористой структуры из термопластических масс</a>

Похожие патенты