Вторичноэлектронный эмиттер

Номер патента: 581742

Опубликовано: 15.09.1979

Авторы: Афонина, Климин, Сотникова, Стучинский

МПК: H01J 9/12

Метки: электронов, эмиттера

...в объеме фотоэлектронногоприбора 2.При этом способе сложна технология при активировании эмиттера вфотоэлектронном приборе при комнатной температуре,Цель изобретения - упрощениетехнологии,Это достигается тем, что активирование ведут в парах цезия при100-250 С. Это обеспечивает возможность совмещения процессов изготовления эмиттеров электронов на основе алмазоподобных полупроводникови других элементов фотоэлектронногоприбора, в частности фотокатода идинодов, что упрощает технологию 10 прибора.Примером изготовления эмиттераэлектронов может служить изготовление эффективного вторичноэлектронного эмиттера на основе поликристал лического слоя фосфида галлия, используемого в качестве первого динода ФЭУ с сурьмяно-щелочным...

Номер патента: 1100656

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Аникин, Жуков, Киреев, Черепин

МПК: H01J 49/26

Метки: вторичной, идентификации, ионной, масс-спектрометрии, пиков, соединений, химических, элементов, эмиссии

...массой, если же это отношение не зависит от температуры, то ионы с меньшей массой являются осколком молекулы и в образце отсутствуют31.Недостатками этого способа являются:узкая область применения, так как он позволяет идентифицировать толькоВпики, соответствующие ионам, образовавшимся в результате диссоциации более сложной молекулы,усложнение установки за счет применения дополнительного устройства для нагревания образцов и регистрации температурной зависимости вторичных ионов;увеличение времени проведения анализа, что приводит к повышенным требованиям на стабильность экспериментальных условий.Цель изобретения - повышение точности и упрощение анализа. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу идентификации циклов...

Номер патента: 129753

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Елинсон, Ждан

МПК: H01J 1/312

Метки: аl2о3, введенными, выполненные, диэлектриков, донорными, др, малым, меньше, металлов, монокристаллов, них, обладающих, окислов, основе, отноше, полярных, порядка, примесями, электронов, эмиттеры

...ов, выпо окислов и приме электр ектрон кенни теров электрон диэлектриковних донорньв е) отношением я получения э газа при налоого поля. пненных наметаллов МЯями, обладнного сродсой эмиссии,а однороднь ие эмит оля рных енными ви меньш зоны, дл тронного ектрическ основе моно- О, А 120 з, 310. ющих малы и тва к ширине следствие псе кристаллы римене ллов п с введ ка 0,1 щенной а элек ров эл крис(поря запре регре эмитт При наложении на эмиттер достаточно сильного внутреннего электрического поля, вследствие ускорения электронов, температура эле;- тронного газа оказывается выше температуры решетки и достаточной для интенсивной эмиссии. Перегретая электронная эмиссия наблюдалась на монокристаллах п-кремния, но вследствие большого...

Номер патента: 482827

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Загребнева, Сидорова, Сухариер, Тимонина

МПК: H01J 1/316

Метки: электронов, эмиттер

...состоит из плоской диэлектрической подложки 1, пленочных контактов 2, 3, в зазоре между которыми находится собственно эмиттер, состоящий из слоя окиси бария или другого активатора, например: ВаГ, СзГ - 4 и т. д., толщиной от сотен атомных слоев и более, на поверхность которого наносится днспергпров.шная металлическая пленка 5, покрытая сщс одним актпвпрующим слоем 6 плп без него.Предлагаемый эмпттср позволяет получать максимальные токи эмиссии и 300 - 500 мк прп эффективности до 5 - .7 о 1-1 апряженпе па электродах прн этом составляет 20 - 30 в (Еср - =2,5104 в/см), Предлагаемый эмпттер электронов может стабильно работать в течение не менее 1000 часов, обсспс пшая токоотбор 15 - 20 мка при эффективности 1 - 1,5 ото.Более...

Номер патента: 855782

Опубликовано: 15.08.1981

Автор: Петров

МПК: H01J 1/316

Метки: электронов, эмиттер

...эмиттер. Кроме того, конструкциядопускает уменьшение поверхноститокоприемной части контактных электродов и, как следствие, улучшениетокораспределения между контактнымиэлектродами с одной стороны и кол"лекторами (анодами) приборов - сдругой.На чертеже показан эмиттер элек- ЗО тронов.4 855782 Формула изобретения Составитель Г,ЖуковаРедактор Л.Копецкая Техред А.Бабинец Корректор М.Коста Заказ 6941/75 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раущская наб., д,4/5Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 Эмиттер содержит части 1 пластин- чатого диэлектрического основания, контактные электроды 2 и 3, активированные островковые металлические пленки 4. Основание может...