Патенты с меткой «вторичноэлектронный»

Номер патента: 197024

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Государственный, Обработки, Проектный, Титова, Шпичинецкий

МПК: C22C 5/06, H01J 1/32

Метки: вторичноэлектронный, эмиттер

...при больгпих удельных плотностях тока.Г 1 редлагаемый эмиттер на основе серебра отличается тем, что содержит присадки магния и алюминия в количестве соответственно 0,5 - 2% и 0,5 - 6%.Эмиттеру свойственно внутреннее окисление и после активирования на его поверхности не обнаруживается и не имеет на поверхности заметных слоев окислов после сколько-нибудь заметные слои окислов. Это позволяет полу. чить коэффициент вторичной электронной эмиссии, устойчивый при больших плотностях тока,Активирование эмиттера производится путем прогрева в вакууме 10 е лгм рт. ст. при 350 - 400 С с последующим циклическим окислением под давлением 10 е млг рт, ст. в атмосфере кислорода (не менее 5 - 10 циклов, по 30 лгин каждый). Между циклами производят...

Номер патента: 197768

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Государственный, Институт, Кий, Обработки, Проектный, Титова, Шпичинецкий

МПК: C22C 5/06, H01J 1/32

Метки: вторичноэлектронный, эмиттер

...на основе серебра. Од пако коэффициент вторичной электронной эмиссии таких эмиттеров не сохраняется стабильным при больших удельных плотностях тока.Предлагаемый втор 1 чноэлектронный эмит. 10 тер из сплава серебра отличается от известных тем, что он содержииг присадки бериллия и алюминия.Этот эмиттер имеет следующий состав, %:серебро основа 15 алюминий 0,5 - 6бериллий 0,2 - 2.Эмиттер может внутренне окисляться и не имеет на поверхности заметных слоев окислов после активирования, что позволяет полу чить коэффициент вторичной электронной эмиссии, устойчивый при больших плотностях тока. Активирование эмиттера состоит в прогревс в вакууме 10 о лглг рт, ст, при 350 - 400 С с последующим циклическим окислением при давлении 10 з лглг рт,...

Номер патента: 258473

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Берковский

МПК: H01J 43/10, H01J 43/22

Метки: вторичноэлектронный, умножитель

...образующийся у поверхности фотокатода и возле участков анода, соответствующих определенным участкам фотокатода, казалось бы, должен обеспечивать линейную зависимость амплитуды выходногосигнала фотоумножителя от логарифма амплитуды сигнала на входе. Однако исследования показали, что электронные пакеты с лю.бого участка фотокатода расплываются в процессе умножения по всей поверхности последних эмиттеров и анода, что не обеспечивает требуемой логарифмической зависимости.В предлагаемом вторичноэлектронном умножителе с целью получения логарифмиче ской амплитудной характеристики созданаумножительная система, состоящая из нескольких каналов, в которых насыщение происходит при разной плотности тока, Перед последним динодом (или несколькими...

Номер патента: 308468

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Афонина, Стучинский

МПК: G01R 7/18

Метки: вторичноэлектронный, эмиттер

...Х,1971 621,383:537.533(088.8) орн Совете Министров СССРДа Авторыизобретени Ф. Афонина и Г, Б. Стучински 1" "3 Л НАЯ аявител ЧНОЭЛЕКТРОННЫЙ ЭМИТТЕР Полученн ным 6 (приДругим п ра являетс видимой об ы в нтом ичи- троости. едмет изобретения в виде тон.и цезий, отвышения конего введен Втор ичноэлектой пленки, содеичаюитийся темффициента вторарий. онныиржащ что, стчной эмиттер " теллур целью п миссии,овы- ввеботкой слоя, спарах цезия. Изобретение отноборам, а именно Р р н умножителям.Известны вторичноэлектронные эмиттер виде теллуроцезиевого слоя с коэффицие вторичноэлектронной эмиссии (квээ) вел ной до 4,5 (при энергии первичных элек нов 100 эв) и 9 - 10 в максимуме зависимДанный вторичноэлектронный эмиттер основе теллуроцезиевого слоя...

Номер патента: 357624

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Вильдгрубе, Мостовский, Рогельберг, Стучинский, Титова, Шпичинецкий

МПК: H01J 43/10

Метки: вторичноэлектронный, эмиттер

...металлами имеют недостаточно высокий коэффициент вторичной электронной эмиссии.Предлагаемый вторичноэлектронный эмиттер, выполненный из сплава алюминия с литием (0,5 - 4%), окисленного при температуре 400 - 500 С, обеспечивает получение повышенного коэффициента вторичной эмиссии при энергии первичных электронов 50 - 80 эв.Экспериментальной проверкой установлено, что эмиттеры из сплавов алюминий - литий после соответствующей активировки при энергиях 50 - 80 эв имеют коэффициент вторичной эмиссии 3 - 3,5. Для обеспечения таких значений коэффициента вторичной эмиссии содержанне лития в0,5%.Поскольку эную конфигурны из тонкихтовления пластмогут содержаактивированиятивной вторичгреве динодовпературах 400 миттеры (диноды) имеют...

Номер патента: 743469

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Лихтенштейн, Николаенко, Шабельникова, Ямнопольский

МПК: H01J 1/32

Метки: вторичноэлектронный, прострел, работающийна, эмиттер

...с другими, такие змиттерь 1 практически ненашли применения в приборах. 30 Недостатком этих эмиттеров явл ются низкие значения Г при малых зна чениях Ер ( 1 кэв) из-за потери энергии и самих первичных элект ов в проводящем слое.Цель изобретения - снижение у ряющего напряжения Ер, т.е. существенное увеличение (T при малых Ер ( 1 кэв).Для этого в предлагаемом устройст ве проводящий слой выполнен из элемента периодической системы с атомным номером, меньшим, чем у алюминия,и не образующего окисла при работе эмитт ра, например из тонкого слоя углеИсточники информации15 принятые во внима 1 гие п 1 эи экспергизе Формула изобретения 1. Вторично-электронный эмиттер,работающий на прострел, содержащий Составитель Г. жуковаТехред д. Ач...