Способ изготовления эмиттера электронов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 581742
Авторы: Афонина, Климин, Сотникова, Стучинский
Текст
О П ГАЙИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик(51)М. Кл. Н 01 Л 9/12 с присоединением заявки Мо ГосударственНый комитет СССР но делам изобретений н открытий(71) Заявитель 54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭМИТТЕРА ЭЛЕКТРОНОВ Изобретение относится к электронной технике и может найти применение при разработке фотоэлектронныхприборов, содержащих эмиттеры электронов.Известен способ активированияэмиттера электронов на основе полупроводниковых соединений А В путем5нанесения цезия или цезия и кислорода при комнатной температуре до получения максимальной эффективностиэмиттера 1).Однако при таком способе сложнопроведение технологического цикласовместного изготовления вторичныхэмиттеров и фотокатодов из разныхматериалов.Известен также способ изготовления эмиттера электронов, выполненного из алмазоподобного полупроводника, например соединения АЗВа, включающий активирование поверхностицезием в объеме фотоэлектронногоприбора 2.При этом способе сложна технология при активировании эмиттера вфотоэлектронном приборе при комнатной температуре,Цель изобретения - упрощениетехнологии,Это достигается тем, что активирование ведут в парах цезия при100-250 С. Это обеспечивает возможность совмещения процессов изготовления эмиттеров электронов на основе алмазоподобных полупроводникови других элементов фотоэлектронногоприбора, в частности фотокатода идинодов, что упрощает технологию 10 прибора.Примером изготовления эмиттераэлектронов может служить изготовление эффективного вторичноэлектронного эмиттера на основе поликристал лического слоя фосфида галлия, используемого в качестве первого динода ФЭУ с сурьмяно-щелочным фотокатодом. Во время активированияпри 100-250 С достигается динами ческое равновесие между процессамиадсорбции и десорбции цезия наповерхности эмиттера, приводящеек образованию покрытия, обеспечивающего высокую эффективность эмиттера.25 Формула изобретенияСпособ изготовления эмиттераэлектронов, выполненного из алмазоподобного полупроводника, включающийактивирование поверхности цезием 30 в объеме фотоэлектронного прибора,581742 Составитель В.БелононьТехред З,фанта Корректор С.Иекмар Редактор Т,Колодцева Заказ 5500/58 Тираж 923 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5 Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная,4 о т л и ч а ю ш и й с я тем, что,с целью упрощения технологии, активирование ведут в парах цезия при100-250 С.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 41, Яр 1 сег Х.Е., Мо 11,у,Е, 21 п 3 з
СмотретьЗаявка
1947761, 23.07.1973
ОРГАНИЗАЦИЯ ПЯ М-5273
АФОНИНА Л. Ф, КЛИМИН А. И, СОТНИКОВА Н. И, СТУЧИНСКИЙ Г. В
МПК / Метки
МПК: H01J 9/12
Метки: электронов, эмиттера
Опубликовано: 15.09.1979
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-581742-sposob-izgotovleniya-ehmittera-ehlektronov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления эмиттера электронов</a>
Способ получения карбоцепных сополимеров1изобретение относится к производству карбоцепных сополимеров на основе этилена и сопряженных диенов. известен способ получения карбоцепных сополимеров сополимеризацией с
Номер патента: 416950
Опубликовано: 25.02.1974
Авторы: Акихиро, Иностранна, Иностранцы, Исао, Марузен, Фонд
МПК: C08F 210/02, C08F 236/04, C08F 4/64
Метки: диенов, известен, карбоцепных, основе, относится, производству, сополимеризацией, сополимеров, сополимеров1изобретение, сопряженных, этилена
...при температуре в довольно широком интервале от в 1 до +100 С, предпочтительнее от - 78 до +50 С.Температура полимеризации может быть от в 1 до +100 С, предпочтительно от - 78 до +50 С. Может быть использовано любое давление при условии, что оно может поддерживать реакционную систему в жидкой фазе.Реализация этой сополимеризации обычно проводится в присутствии органического растворителя или разбавителя.В качестве растворителей могут быть использованы ароматические растворители: бензол, толуол, ксилол, и т. д.; алифатические углеводороды, например пропан, бутан, пентан, гексан, пентан, циклогексан, и т. д.; галогенизированные углеводородные раствори- тели: тригалогенэтан, метиленгалогенид, тетрагалогенэтилен.При завершении...
Эмиттер электронов
Номер патента: 855782
Опубликовано: 15.08.1981
Автор: Петров
МПК: H01J 1/316
Метки: электронов, эмиттер
...эмиттер. Кроме того, конструкциядопускает уменьшение поверхноститокоприемной части контактных электродов и, как следствие, улучшениетокораспределения между контактнымиэлектродами с одной стороны и кол"лекторами (анодами) приборов - сдругой.На чертеже показан эмиттер элек- ЗО тронов.4 855782 Формула изобретения Составитель Г,ЖуковаРедактор Л.Копецкая Техред А.Бабинец Корректор М.Коста Заказ 6941/75 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раущская наб., д,4/5Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 Эмиттер содержит части 1 пластин- чатого диэлектрического основания, контактные электроды 2 и 3, активированные островковые металлические пленки 4. Основание может...
Эмиттеры электронов, выполненные на основе монокристаллов полярных диэлектриков (окислов металлов mgo, аl2о3, sio2 и др. ) с введенными в них донорными примесями, обладающих малым (порядка 0, 1 и меньше) отноше
Номер патента: 129753
Опубликовано: 01.01.1960
МПК: H01J 1/312
Метки: аl2о3, введенными, выполненные, диэлектриков, донорными, др, малым, меньше, металлов, монокристаллов, них, обладающих, окислов, основе, отноше, полярных, порядка, примесями, электронов, эмиттеры
...ов, выпо окислов и приме электр ектрон кенни теров электрон диэлектриковних донорньв е) отношением я получения э газа при налоого поля. пненных наметаллов МЯями, обладнного сродсой эмиссии,а однороднь ие эмит оля рных енными ви меньш зоны, дл тронного ектрическ основе моно- О, А 120 з, 310. ющих малы и тва к ширине следствие псе кристаллы римене ллов п с введ ка 0,1 щенной а элек ров эл крис(поря запре регре эмитт При наложении на эмиттер достаточно сильного внутреннего электрического поля, вследствие ускорения электронов, температура эле;- тронного газа оказывается выше температуры решетки и достаточной для интенсивной эмиссии. Перегретая электронная эмиссия наблюдалась на монокристаллах п-кремния, но вследствие большого...
Эмиттер электронов
Номер патента: 482827
Опубликовано: 30.08.1975
Авторы: Загребнева, Сидорова, Сухариер, Тимонина
МПК: H01J 1/316
Метки: электронов, эмиттер
...состоит из плоской диэлектрической подложки 1, пленочных контактов 2, 3, в зазоре между которыми находится собственно эмиттер, состоящий из слоя окиси бария или другого активатора, например: ВаГ, СзГ - 4 и т. д., толщиной от сотен атомных слоев и более, на поверхность которого наносится днспергпров.шная металлическая пленка 5, покрытая сщс одним актпвпрующим слоем 6 плп без него.Предлагаемый эмпттср позволяет получать максимальные токи эмиссии и 300 - 500 мк прп эффективности до 5 - .7 о 1-1 апряженпе па электродах прн этом составляет 20 - 30 в (Еср - =2,5104 в/см), Предлагаемый эмпттер электронов может стабильно работать в течение не менее 1000 часов, обсспс пшая токоотбор 15 - 20 мка при эффективности 1 - 1,5 ото.Более...
Способ изготовления тонкопленочных детекторов ядерных излучений на основе активированных щелочногалоидных сцинтилляторов
Номер патента: 587427
Опубликовано: 05.01.1978
МПК: G01T 1/20
Метки: активированных, детекторов, излучений, основе, сцинтилляторов, тонкопленочных, щелочногалоидных, ядерных
...световыхода и раз решения.Цель изобретения - увеличение световыходв и разрешающей способности детекторов.Согласно изобретению, указанная цель 1 о достигается использованием в качестве материала подложки .кристалла, близкого до постоянной решетки к материалу пленки и обладающего плоскостями спайности, по которым кристалл скалывают. На поверхность 15 скола, служащую подложкой, осаждают, причем при осаждении подложку поддерживают при оптимальной для данного материала пленки температуре. 20Способ поясняется чертежом.В лодочку 1, нагреваемую пропусканием электрического тока, помещают испаряемую нввеску 2 материала (ытивированного щелочногалоидного сцинтиллятора). Пары материа 25 ла осаждаются на подложке, образуя пленку 4, Температуру...
Предыдущий патент: Способ получения изоциануратсодержащих пенопластов
Следующий патент: Способ борьбы с болезнями растений
Случайный патент: Макет-кондуктор для монтажа механизмов