Эмиттер электронов

Номер патента: 855782

Опубликовано: 15.08.1981

Автор: Петров

МПК: H01J 1/316

Метки: электронов, эмиттер

...эмиттер. Кроме того, конструкциядопускает уменьшение поверхноститокоприемной части контактных электродов и, как следствие, улучшениетокораспределения между контактнымиэлектродами с одной стороны и кол"лекторами (анодами) приборов - сдругой.На чертеже показан эмиттер элек- ЗО тронов.4 855782 Формула изобретения Составитель Г,ЖуковаРедактор Л.Копецкая Техред А.Бабинец Корректор М.Коста Заказ 6941/75 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раущская наб., д,4/5Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 Эмиттер содержит части 1 пластин- чатого диэлектрического основания, контактные электроды 2 и 3, активированные островковые металлические пленки 4. Основание может...

Номер патента: 498665

Опубликовано: 05.01.1976

Авторы: Глауберман, Дроздов, Потапенко

МПК: H01L 49/02

Метки: диэлектрических, слоев

...образцов начиняот с термического напыления в вакууме - 10 -торр поликристаллцческой плсцкц МЯС 1 толщиной 0,1 - 3 тк с размерами отдельных зерен-кристаллитов 0,05 - 0,07 к. (указаный размер крцсталлитов можно реализовать, варьируя параметрь 1 напыления цле 1 кц либо подсирая нужный материал подложки). Плен ки такого типа получают напылением .слорцстого цатрия цз кварцевого тигля, нагретого до 950 С, ца обезжиренную стеклянную подложку при температуре 200 С со скоростью 1 яращцвацця плеки - 0,02 к.1,лин, Далее пленку подвергают кятодцо-плазменной обработке при температуре 180 С в яргоцо-кцслорздной атмосфере (смесь в пропорции 12: 1/2, р= 10- торр) с использованием кадмиевого катода, расположенного на расстоянии 5 сх от пленки...

Номер патента: 581742

Опубликовано: 15.09.1979

Авторы: Афонина, Климин, Сотникова, Стучинский

МПК: H01J 9/12

Метки: электронов, эмиттера

...в объеме фотоэлектронногоприбора 2.При этом способе сложна технология при активировании эмиттера вфотоэлектронном приборе при комнатной температуре,Цель изобретения - упрощениетехнологии,Это достигается тем, что активирование ведут в парах цезия при100-250 С. Это обеспечивает возможность совмещения процессов изготовления эмиттеров электронов на основе алмазоподобных полупроводникови других элементов фотоэлектронногоприбора, в частности фотокатода идинодов, что упрощает технологию 10 прибора.Примером изготовления эмиттераэлектронов может служить изготовление эффективного вторичноэлектронного эмиттера на основе поликристал лического слоя фосфида галлия, используемого в качестве первого динода ФЭУ с сурьмяно-щелочным...

Номер патента: 323051

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Мггза, Мостоеский, Стучинский

МПК: H01J 1/32

Метки: вторично-электронный, эмиттер

...по п. 1, отлсссссссоссийссс тем, что поверхностный слой представляет собой систему из окислов двух щсло шых металлов.3. Втс)рично-эсестроннь 11 эмиттер по п. 1, ОТЛи)ССССОСССССйСЯ тСМ, Чтв ПОВЕРХНОСтиЫЙ СЛОЙ представляет собой систему из окислов щелочного и щелочно. земельного металлов,Изобретение может быть использовано при изготовлсшш элсктровакуумных приборов.Известны вторично-электронные эмиттсры с активным поверхност)ы:)1 слоем из окисла щелочного или щелочноземельного металла. 5Предлагаемый эмиттер отличается тем, что с)КТИВНЫЙ НОВСРХНОСТНЫЙ СЛОЙ НРСДСТДВЛ 51 СТ собой полностью окисленную систему из окислов не мснсс двух металлов из грушы, включающей щслочиые и щелочно. земельные ме. 10 таллы. Это увеличивает коэффициент...

Номер патента: 586375

Опубликовано: 30.12.1977

Авторы: Липов, Рубин, Селезнев

МПК: G01N 25/18

Метки: коэффициента, кусковых, слоя, теплопроводности, эффективной

...числе членов суммы расхождение значения 7.эф, с данными, полученными по известному способу (прототипу) составляет 10 - 15%,П р и м е р. Исследуют эффективную теплопроводность слоя хаотически уложенных стальных деталей цилиндрической формы, Размеры деталей: диаметр Й=0,012 м, длина 1=0,027 м, Обработка измерений размеров полостей и материалов, произведенных на срезе, дает кривую распределения по вероятностям, по которой выбираются характерные размеры.В качестве характерных размеров выбраны: Нп= 0,004 м; Нп 2= 0,008 м; Нпз= 0,01 м; Нп=0,012 м; Нпэ=0,014 м; Нпа=0,016 м;11 п=0,018 м; Н=0,02 м. Пористость загрузки Р=0,54.Тсплопроводпость материала (стали 3) и газо-воздушного зазора берем из справочной литературы: 1=50 - 0,023 (Т - 273 К) и...