H01J 43/22 — диноды, состоящие из материала, пропускающего электронный поток, например станиолевые, сетчатые, трубчатые

Номер патента: 64415

Опубликовано: 01.01.1945

Авторы: Вильдгрубе, Пархоменко

МПК: H01J 43/22

Метки: вторично-электронным, усилением, фотоэлемент

...платины) нужного сопротивления, на которую затем напыляется слой 2 сурьмы требуемой толщины в специальном приборе со шлифом, У заготовленной таким образом трубки в верхнем оттянутом конце делается штенгель, а в нижний конец вваривается ножка 7 с траверзами для вывода концоЬ от эмитирую щего слоя (контактов 1) и монтажа анода 6 и требующего количества выходных каскадов умножения 5.Применение выходных каскадов с электродами типа жалюзей, сеток, пластин или эмитирующих слоев на стекле в виде разделен. ных каскадов и т, п. обусловливается отношением выходного то. ка к току потенциометра и допустимой мощностью рассеивания эмитирующего слоя (потенциомет. ра).Готовая трубка цоколюется, На фиг, 2 - 3 изображена в двух проекциях другая...

Номер патента: 258473

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Берковский

МПК: H01J 43/10, H01J 43/22

Метки: вторичноэлектронный, умножитель

...образующийся у поверхности фотокатода и возле участков анода, соответствующих определенным участкам фотокатода, казалось бы, должен обеспечивать линейную зависимость амплитуды выходногосигнала фотоумножителя от логарифма амплитуды сигнала на входе. Однако исследования показали, что электронные пакеты с лю.бого участка фотокатода расплываются в процессе умножения по всей поверхности последних эмиттеров и анода, что не обеспечивает требуемой логарифмической зависимости.В предлагаемом вторичноэлектронном умножителе с целью получения логарифмиче ской амплитудной характеристики созданаумножительная система, состоящая из нескольких каналов, в которых насыщение происходит при разной плотности тока, Перед последним динодом (или несколькими...

Номер патента: 356717

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Афонина, Воробьева, Климин, Стучинский

МПК: H01J 43/22

Метки: динод, прострелбного, типа

...пр ного типа состоит в том, что они о относительно низкими значениями ко ента вторично-электронной эмиссиистаточно высоких энергиях первичнь тронов (Ер=4 - -5 кэв). На чертеже изображен динод прострго типа предложенной конструкции.Динод содержит мелкоструктурную серасположенную на сетке алюминиевуюку 2, фоточувствительный слой 3.В одном из вариантов эмиттер изговается следующим образом,Слой сурьмы напыляют на тонкую алюми ниевую пленку 2, поддерживаемую мелкоструктурной сеткой 1. Прозрачность алюминиевых подложек составляет примерно 80 - 85%.Слой сурьмы напыляют до потери прозрачкости на 30 - 35%. Обработку слоя в парах 15 щелочных металлов проводят в режимах,обычных для изготовления фотокатодов КСзЬЬ, до получения максимального...