Вторичноэлектронный эмиттер

Номер патента: 308468

Авторы: Афонина, Стучинский

ZIP архив

Текст

Ресоублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельст К Н 011 21/2 Заявлено 23.1,1970 ( 139с присоединением заявкиПриоритет 26-25 Комитет оо дел зобретений н отнрытнй убликовано 01 Х 11.1971. Бюллетеньта опубликования описания 9,1 Х,1971 621,383:537.533(088.8) орн Совете Министров СССРДа Авторыизобретени Ф. Афонина и Г, Б. Стучински 1" "3 Л НАЯ аявител ЧНОЭЛЕКТРОННЫЙ ЭМИТТЕР Полученн ным 6 (приДругим п ра являетс видимой об ы в нтом ичи- троости. едмет изобретения в виде тон.и цезий, отвышения конего введен Втор ичноэлектой пленки, содеичаюитийся темффициента вторарий. онныиржащ что, стчной эмиттер " теллур целью п миссии,овы- ввеботкой слоя, спарах цезия. Изобретение отноборам, а именно Р р н умножителям.Известны вторичноэлектронные эмиттер виде теллуроцезиевого слоя с коэффицие вторичноэлектронной эмиссии (квээ) вел ной до 4,5 (при энергии первичных элек нов 100 эв) и 9 - 10 в максимуме зависимДанный вторичноэлектронный эмиттер основе теллуроцезиевого слоя обладает и шенным квээ благодаря тому, что в него ден также барий,Эмиттер получают обра о жащего теллур и барий, в й эмиттер об чадает квээ, рав.100 эв) и 15 - 17 в максимуме. реимуществом указанного эмиттепониженная чувствительность в асти спектра.

Смотреть

Заявка

1396763

Л. Ф. Афонина, Г. Б. Стучинский

МПК / Метки

МПК: G01R 7/18

Метки: вторичноэлектронный, эмиттер

Опубликовано: 01.01.1971

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-308468-vtorichnoehlektronnyjj-ehmitter.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Вторичноэлектронный эмиттер</a>

Похожие патенты