Динод прострелбного типа

Номер патента: 430984

Опубликовано: 05.06.1974

Авторы: Вазингер, Изобретени, Калинин, Карелин, Кулыгин, Мансуров, Рыбкин, Файнштейн

МПК: B21J 15/32, B23P 19/10, F16C 43/04

Метки: вал—втулкав, магнитном, поле, сборки, типа

...2 и 3, связанные между собой шпилькой 4 с гайками 5 и б.В дисках соосно один относительно другого выполнены радиальные отверстия, соответствующие количеству собир аемых заклепок (например, 8 и 10 и т. д.), при этом в каждой паре соосных отверстий с заданным зазором (например, 01 - 03) установлен цилиндрический ротор 7, размещенный от электромагнитов статора на заданном расстоянии, например 1=0,5 - 0,4, и опирающийся одним своим торцом на диск 8, а на другом торце ротора установлены собираемые полусепараторы 9 и 10 шарикоподшипника 11 и оправку 12, в которой выполнены соответствующие направляющие отверстия 13 под заклепки 14.При сборке заклепок меньшего диаметра (малого веса 0,030 кг) для предотвращения их намагничивания роторы 7...

Номер патента: 280775

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: F27B 15/02

Метки: аппаратов, беспровальная, кипящего, подина, решетчатого, слоя, типа

...деформации подины и происходит непрерывная очистка подины от прилгрпаегяого материала.На фиг. 1 изображена предлагаемая беспровальная подина, продольный разрез; на фиг, 2 - то же, вид сверху.Подина 1 с отверстиями 2 расположена на опорах 3, выполненных в виде кронштейнов и закрепленных,на внутренней стенке 4 корпуса аппарата 5. Между полиной и внутренней стен,кой аппарата имеется кольцевой зазор по всему периметру подины. Над подиной на стенке 4 корпуса аппарата укреплен упор 6, выполненный в виде кольца и расположевный на заданном расстоянии от подины, На нижней поверхности подиvы установлены ребра жест.кости 7.Газ частично проходит через отверстия 2 вподине и образует кипящий слой, а частично - 5 чедез кольцевой зазор между...

Номер патента: 482827

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Загребнева, Сидорова, Сухариер, Тимонина

МПК: H01J 1/316

Метки: электронов, эмиттер

...состоит из плоской диэлектрической подложки 1, пленочных контактов 2, 3, в зазоре между которыми находится собственно эмиттер, состоящий из слоя окиси бария или другого активатора, например: ВаГ, СзГ - 4 и т. д., толщиной от сотен атомных слоев и более, на поверхность которого наносится днспергпров.шная металлическая пленка 5, покрытая сщс одним актпвпрующим слоем 6 плп без него.Предлагаемый эмпттср позволяет получать максимальные токи эмиссии и 300 - 500 мк прп эффективности до 5 - .7 о 1-1 апряженпе па электродах прн этом составляет 20 - 30 в (Еср - =2,5104 в/см), Предлагаемый эмпттер электронов может стабильно работать в течение не менее 1000 часов, обсспс пшая токоотбор 15 - 20 мка при эффективности 1 - 1,5 ото.Более...

Номер патента: 581742

Опубликовано: 15.09.1979

Авторы: Афонина, Климин, Сотникова, Стучинский

МПК: H01J 9/12

Метки: электронов, эмиттера

...в объеме фотоэлектронногоприбора 2.При этом способе сложна технология при активировании эмиттера вфотоэлектронном приборе при комнатной температуре,Цель изобретения - упрощениетехнологии,Это достигается тем, что активирование ведут в парах цезия при100-250 С. Это обеспечивает возможность совмещения процессов изготовления эмиттеров электронов на основе алмазоподобных полупроводникови других элементов фотоэлектронногоприбора, в частности фотокатода идинодов, что упрощает технологию 10 прибора.Примером изготовления эмиттераэлектронов может служить изготовление эффективного вторичноэлектронного эмиттера на основе поликристал лического слоя фосфида галлия, используемого в качестве первого динода ФЭУ с сурьмяно-щелочным...

Номер патента: 685967

Опубликовано: 15.09.1979

Автор: Чащин

МПК: G01N 27/00

Метки: значений, металлических, монокристаллов, параметров, плазмы, сдвигов, электронной

...для регистрации квантовыхосцилляций поверхностного импеданса, остаются меньше толщины подвергнутого воздействию поверхностногослоя,Ограничение исключает вклад внутненней части образца, не подвергавшейся воздействию, в образованиесигнала осцилляций поверхностногоимпеданса.На чертеже изображена копия за 25 писи,одновременно зарегистрированных квантовых оспилляций поверхностного импеданса , и квантовыхосцилляций магнитной восприимчивости всего объема образца впридх/ийИ 2двух температурах: Т = 2,05 ОК иТ = 1,7 К, Интенсивность сигнала Аизображена в относительных единицах,а зависимость от магнитного поля Нв едИницах обратного магнитного поля Н КЭ . Направление магнитногополя Н совпадало с направлениемкристаллографической оси1010 1-Н //...