Способ активировки сплавных вторично-электронных эмиттеров на основе меди

П ИСАНИЕ ОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик0 Государственный комитет Совета Министров СССР оо делам изебрвтеиий и открытий(53) УДК 621,36 ,292,3 (088,5) Дата опубликования описания 2.05,7 72) Авторы изобретения В, Дунаевская, Г, Б. Стучинский, И. П, Масленков и М, Д, Подоксина(84) СПОСОБ АКТИВИРОВКИ ВТОРИЧНО-ЭЛЕКТ РОНН НА ОСНОВЕ МЕДСПЛА ВН ЫХ ЭМИТТЕ РО ения я тем, чтопрог рем Изобретение относится к области электронйого приборостроения, в частности.к технологии изготовления элементов фотоэлектронных приборов,Известен способ активировки сплавных 5вторичнэ-электронных эмиттеров на основемеди в фотоэлектронных умножителях (фЭУ),осуществляемый следующим образом,Эмиттеры обезгажимются прогревом до-Ьдостяжения мкуума 10 мм рт,стзатемих окисляют при давлении 0,2-0,3 мм,рт,ст,ои температуре 500-880 С, После остывания эмиттеры монтируют в оболочку ФЭУи,подвергают дополнительной активировке,заключаюшейся в окислении тлеющим раэрядом в атмосфере кислорода при давлении0,8 мм.рт,ст, и комнатной температу-.ре 1 11,Известен способ активировки сплавных втрично-электронных эмиттеров на основе меди для фотоэлектронных приборов, состояший из предварительной обработки эмиттеров,включающий прогрев эмиттеров в отдельномвакуумном объеме и дополнительную обработку смонтированных . эмиттеров, включающую прогрев в оболочке прибора 1 21 .Согласно этому способу на стадии предварительной обработки эмиттеры прогремоют при температуре 480-520 С, .1 а эа-ятем окнсляют при давлении 10 -10 мм.рт,ст, На стадии дополнительной обработкисмонтированные эмиттеры прогремют приотемпературе 480-520 .С и окисляют их вхеченин 20-30 мин, после чего распыляютаелочной металл,Этот способ эа счет глубокого окислприводит к образомнию на поверхности эмитеров диэлектрических пленок, соэдаюшихнестабильность анодного тока эмиттеров иухудщаюших световую характеристику прибора в целом,Бель изобретения - повышение стабильности анодного токе, улучшение световойхарактеристики и сокращение времени вхождения прибора в режим,Цель достигаетс по предлагаемому способу после в отдельномвакуумном объеме проводят распылениеСоставитель Ю, КутенинРедактор И. Шубина Техред Н. Бабрука Корректор В, Сердюк Заказ 3164/42 Тираж 960 ПодписноеЦНИИПИ. Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская набд, 4/5 филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул, Проектная, 4 щелочного металла, а окисление в прибореосуществляют в течении 5-10 мин,П р и м е р, На стадии предварительной обработки эмиттеры из сплавов на основе меди прогревает сбез окисления прн 5темпгуатуре 450-520 С ао вакуума.2,10 -1,10мм т, ст снижают температуру до 200-280 С и распыляют щелочной металл,Затем смонтированные в оболочку эмитотеры нагревают до 450520 С, выдерживая-бпри этой температуре до давления 2-5 10 ммрт,ст, в течение 5-3,0 мин.Далее проводят окисление эмиттеров придавлении 10" -10 мм рт,ст, в течение 5-10 мин,При окислении менее 5 мин не удаетсядостичь требуемого коэффициента вторичноэлектронной эмиссии, а при окислении более10 мин снижается стабильность анодного 20 тока,Затем откачивают кислород, нагреваютоэмиттеры до 450-520 С и выдерживаютпри этой температуре 1-1,5 ч после чегоприбор охлаждают, и изготовляют фотокатод, 25Предлагаемый способ позволяет улучшитьстабильность анодного тока в 2-10 раз, улуч шить линейность световой характеристики в4-8 раз, и уменьшить время возцействия в режим в 2-3 раза,формула изобретения Способ активировки сплавных вторично- электронных эмиттеров на основе меди для фотоэлектронных приборов, включающий прогрев эмиттера в отдельном вакуумном объеме, и прогрев и окисление эмиттеров в оболочке прибора, о т л и ч а ю щ и й - с я тем, что, с целью повышения стабильности анодного тока, улучшения световой характеристики и сокращения времени вхождения прибора в режим, после прогрева в отдельном вакуумном объеме проводят распыление щелочного металла,. а окисление в приборе осуществляют в течение 5-10 ми,Источники информации, принятые во внимание при экспертизе;1, Соболева Н, АМеламид А. Е, фотоэлектронные приборы, МВысшая школа, 1974, с, 216-219.