Программируемый элемент памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(и 649035 Союз Советских Социалистических Республик(51) М. 1 С 11/4 единением заявкис осудврственный кома СССР оо делам изобретении и открытий. В. Оненько аявите 54) ПРОГРАММИРУЕМЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в полупостоянных запоминающих устройствах с электрической перезаписью информации.Известен программируемый элемент памя ги, солержащий два МДП-транзистора и олин запоминающий МНОГ 1-транзистор 11,В этом элементе памяти используется шина выборки в качестве прогпаммирующего входа в режиме записи и в качестве адресного входа в режиме считывания, что усложняет управление элементом па мяти.Известен другой программируемый элемент памяти, также содержащий два МДГ 1- транзистора и один МНОГ 1-транзистор 2.Однако данный элемент памяти имеет невысокую избирательность записи информации из-за потери порогового напряжения в нагрузочных транзисторах, что приводит к уменьшению напряжения в невыбранных элементах памяти, Увеличение питающего напряжения в режиме записи для улучшения избирательности приводит к повышению по требляемой мощности, а заземление шины питания в режиме стирания не обеспечивает передачу нулевого потенциала на стоки запоминающих МНОП-транзисторов, что снижает надежность из-за перенапряжений-в переходах затвор-сток при передаче положительных импульсов.Наиболее близким техническим решением к изобретению является программируемый элемент памяти, содержащий МНОП-транзистор, исток которого соединен со стоком первого МДП-транзистора, исток которого подключен к разрядной шине, затвор МНОП-транзистора подключен к шине записи, а сток его соединен со стоком второго МДП-транзистора, исток которого подключен к шине считывания, а затвор - к шине выборки и к затвору первого МДП-транзистора, причем МДП-транзисторы выполнены с индуцированным каналом, при записи применяется режим прямого туннелирования, а при стирании - лавинная инжекция 31.Однако этот элемент памяти имеет сложную систему адресации и управления, так как в режиме записи необходимо коммутировать высоковольтные сигналы, а в режиме считывания - низковольтные. Следствием этого является увеличение мощности, потребляемой элементом памяти в режиме6490353записи, и усложнение управляющей электроники.Целью изобретения является уменьшение мощности, потребляемой элементом памяти, что ведет к улучшению избирательности записи информации,Это достигается тем, что в программируемый элемент памяти введен третий МДП-транзистор со встроенным каналом и шина питания, подключенная к стоку третьего МДГ 1-транзистора со встроенным каналом, затвор и исток которого соединены со стоком МНОП-транзистора.На чертеже представлена электрическая схема программируемого элемента памяти.Элемент памяти содержит МНОП-транзистор 1 (запоминающий), первый 2 и второй 3 МДП-транзисторы и третий 4 МДП-транзистор со встроенным каналом, а также разрядную 5, считывания 6, выборки 7, записи 8 и питания 9 шины.Элемент памяти работает следующим образом.При стирании на шину питания 9 подают нулевой потенциал, а на шину записи 8 - положительный импульс напряжения стирания до 30 В, что переводит МНОП-транзистор 1 в нулевое состояние с пороговым напряжением до минус 2 В.При записи на. шину питания 9 подают нагряжение до минус 15 В, на шину выборки- сигнал выборки, на разрядную шину 5 - значение записываемого числа, а на шину записи 8 - импульс напряжения записи до минус 30 В, что переводит МНОП- транзистор 1 при логическом нуле на разрядной шине 5 в единичное состояние с пороговым напряжением до минус 10 В.При считывании на шину питания 9 подают напряжение питания до минус 9 В, на шину записи 8 - напряжение считывания до минус 6 В, на разрядную шину 5 - нулевой потенциал, на шину выборки в напряжение выборки, что приводит к передаче записанного значения напряжения на шину считывания 6.ЦНИИПИ Заказ 567/48 Тираж 680 Поднисное Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
СмотретьЗаявка
2531334, 20.10.1977
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5737
СИДОРЕНКО ВЛАДИМИР ПАВЛОВИЧ, ЯРОВОЙ СЕРГЕЙ ИВАНОВИЧ, НЕВЯДОМСКИЙ ВЯЧЕСЛАВ ИГОРЕВИЧ, КУРИЛЕНКО СВЕТЛАНА ВИКТОРОВНА, ГУСЕВА ТАТЬЯНА ГРИГОРЬЕВНА, ОПЕНЬКО ВЛАДИМИР ВАСИЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40
Метки: памяти, программируемый, элемент
Опубликовано: 25.02.1979
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-649035-programmiruemyjj-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Программируемый элемент памяти</a>
Логический элемент на мдп-транзисторах
Номер патента: 664297
Опубликовано: 25.05.1979
Авторы: Галахтин, Герасимов, Кармазинский, Салгус, Филатов
МПК: H03K 19/08
Метки: логический, мдп-транзисторах, элемент
...транзистора12 и сток транзистора 13 подключены кшине 4 питания, сток транзистора 12 иисток транзистора 13 - к входу 2 выходного инвертора 1, а затворы - квыходу 3 выходного инвертора 1.Логический элемент работает следующим образом.Предположим, что в исходном состоянии на всех входных шинах 9-11 элемен - " та - напряжение логического нуля. Следовательно, транзисторы 6-8 закрыты,Напряжение на входе 2 выходного инвер"тора 1 равно напряжению логической единицы, так как открыт транзистор 12 сканалом р-типа, При этом напряжениена выходе 3 выходного инвертора 1равно напряжению логического нуля.Увеличение напряжения на одной из входных шин элемента, например на шине 9,приводит к отпиранию входного логического транзистора 6. Порог срабатывания...
Логический элемент на мдп-транзисторах
Номер патента: 1026315
Опубликовано: 30.06.1983
МПК: H03K 19/094
Метки: логический, мдп-транзисторах, элемент
.... 2 Бель изобретения - упрощение устройства.Указанная цель достигается тем, что в логическом элементе на МДП- транзисторах, содержащем последовательно включенные межцу шиной питания и общей шиной нагрузочный транзистор, затвор которого подключен к его истоку и к выхоцной шине, и погический транзистор, параплепьно которому поц кпючен управляющий транзистор, причем затвор логического транзистора через прохоцной транзистор подключен и вхоцной шине, межцу затвором логического транзистора и общей шиной включенцопопнительный транзистор, а затворыуправпяющего и прохоцного транзисторов поцкпючены к тактовой шине, затворцополнитепьного транзистора подключенк выходной шине.На чертеже прецставпена электрическая принципиальнам схема...
Ключевой элемент на мдп-транзисторах
Номер патента: 1497738
Опубликовано: 30.07.1989
Авторы: Громов, Игумнов, Масловский, Шишков
МПК: H03K 17/687, H03K 19/094
Метки: ключевой, мдп-транзисторах, элемент
...так и генсрд;ор импульсных илигармонических сигндлон, а также цифровой или аналоговый элементКонденсаторы 4 и 5 выполняют функцию запоминающего элемента, накапливающего заряд положительной полярностиПри отсутствии положительных сигналов на входных клеммах 6 и 7 Г 1 ЧП- транзисторы 2 и 3 по затворам здкрь 84ть, однако коЕесдтс 1 р, 45 ч розрсз ис тор 1 и прямосмс щеньс р и ир.ходы подтожк л с ток и 1 о 11 Г жк дисток перв го транзисорд 2 заряжаются до ндряжсния положитсп ной полярности сигдльной шины.11,При подаче нд вторую входную кемму 7 единичного сигндлд кон 1 еесдтор5 через второй транзистор 3 рдзряждется до потенциала общей шины 1 О,При возвращении второй входной клеммы7 н исходное состояние второй конденсатор 5 снова...
Логический элемент на мдп-транзисторах
Номер патента: 1734206
Опубликовано: 15.05.1992
Автор: Кураев
МПК: H03K 19/094, H03K 19/21
Метки: логический, мдп-транзисторах, элемент
...второго типа, вторую входную шину 15, к которой подключены затворы пятого 9 транзистора первого типа, затвор второго 10, четвертого 4 транзисторов второго типа, шину питания 16, к которой подключены истоки первого 12, третьего 7 транзисторов первого типа, общую шину 17, к которой подключены истоки первого 13, третьего 3, четвертого 4 транзисторов второго типа.Устройство работает следующим образом.На входные шины 14 и 15 подаются логические сигналы. На первой выходной шине 1 реализуется функция конъюнкции дополняющих входных логических сигналов У 1 = Х 1 Х 2. На второй выходной шине 5 реализуется функция дизьюнкции тех же сигналов У 2 = Х 1+Х 2. На третьей выходной шине 8 реализуется функция сравнения УЗ = Х 1 Х 2 + Х 1 Х 2, а на...
Логический элемент на мдп-транзисторах
Номер патента: 1764159
Опубликовано: 23.09.1992
Автор: Кураев
МПК: H03K 19/094
Метки: логический, мдп-транзисторах, элемент
...принципиальная схемалогического злелента на МДП- транзисторах.Логический элемент на МДП-транзисторах содеркит первую выходную шину 1, к которой подключены стоки третьего 2, четвертого 3 и пятого 4 транзисторов второго типа, вторую выходную шину 5, к которой подключены стоки второго 6 и третьего 7 транзисторов первого типа, исток четвертого транзистора 3 второго типа, третью выходную шину 8, к которой подключены сток четвертого 9 транзистора первого типа, затвор четвертого 3, исток пятого 4, сток второго 10 транзисторов второго типа, четвертую выходную шину 11, к которой подключены сток первого 12, исток четвертого 9 транзисторов первого типа, сток первого 13, затвор пятого 4 транзисторов второго типа, первую входную шину 14,...
Предыдущий патент: Устройство для выборки информации из блоков памяти
Следующий патент: Оптический элемент памяти
Случайный патент: Способ изготовления стеновых изделий "золокерам"