H03H — Цепи полного (активного и реактивного) сопротивления, например резонансные контуры; резонаторы

Номер патента: 1501872

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Алексеев, Панкратов, Поваренко, Токарев

МПК: H03H 9/30

Метки: задержки, линия, магнитострикционная

МАГНИТОСТРИКЦИОННАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ, содержащая звукопровод, выполненный из магнитострикционного материала, входной и выходной преобразователи объемных акустических волн, каждый из которых содержит постоянный магнит и индуктивный элемент, размещенный на звукопроводе и содержащий первую группу металлических полосков, расположенных параллельно друг другу на соответствующей торцовой грани звукопровода, и первую магнитопроводящую пластину, размещенную поверх первой группы металлических полосков, ширина которых и расстояние между которыми выбраны из выраженияa= / 2 b / 5,где a - ширина металлического...

Номер патента: 1683477

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Грузиненко, Друккер, Караульник, Кожемякин, Маршалкина, Попов, Соколов

МПК: H03H 9/15

Метки: полосковый, пьезоэлемент

ПОЛОСКОВЫЙ ПЬЕЗОЭЛЕМЕНТ, содержащий пьезоэлектрическую пластину АТ-среза, прямоугольной формы, продольная ось симметрии которой совмещена с кристаллографической осью X кристалла кварца, на главных гранях которой размещены возбуждающие электроды с выводами, отличающийся тем, что, с целью повышения добротности и технологичности, со стороны торцов пьезоэлектрической пластины на каждой из противолежащих главных граней симметрично относительно оси Z1 выполнены прямоугольные выемки, соотношение глубины каждой из которых с толщиной пьезоэлектрической пластины выбрано равным 0,5.

Номер патента: 1074367

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Данильченко, Малков, Нестеров, Уфимцев

МПК: H03H 3/02

Метки: дисковых, кристаллических, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИСКОВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, заключающийся в разделке кристалла на заготовки заданного угла среза, шлифовании, круглении, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных элементов и снижения трудоемкости изготовления их путем повышения точности расположения мест крепления кристаллического элемента и исключения операции повторного нахождения кристаллографической оси Z1, шлифование граней XY1 осуществляют до размера, меньшего диаметра дискового кристаллического элемента на 2 - 6% .

Номер патента: 1648175

Опубликовано: 28.02.1994

Автор: Земляков

МПК: G01R 29/22, H03H 3/02

Метки: пьезомодулей

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПЬЕЗОМОДУЛЕЙ, включающий возбуждение одномерных линейных мод колебаний в прямоугольном пьезокерамическом элементе путем воздействия на него электрическим напряжением с переменной частотой, измерение частоты механического резонанса пьезокерамического элемента, компонента упругой податливости и его геометрических размеров и вычисление величин пьезомодулей, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, дополнительно измеряют активную составляющую проводимости пьезокерамического элемента в области его резонанса, определяют площадь под кривой активной составляющей проводимости, а вычисление величины пьезомодулей осуществляют в соответствии с выражениемdij=

Номер патента: 1762727

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ , включающий обpаботку повеpхности пьезоэлектpической подложки, нанесение фотоpезиста, фоpмиpование pисунка встpечно-штыpевых пpеобpазователей и отpажательных pешеток и фоpмиpование металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения пpоцента выхода годных pезонатоpов, за счет повышения адгезии фотоpезиста к повеpхности подложки, обpаботку повеpхности пьезоэлектpической подложки пpоводят путем ионно-химического тpавления на глубину 80 - 120 нм, пpи этом используют в качестве газа - тpавителя фpеон CF4, а фотоpезист наносят не более чем чеpез 2 ч после обpаботки повеpхности тpавителем.

Номер патента: 1130158

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Карпеев, Кондратьев, Речицкий

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных

УСТРОЙСТВО НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, содержащее звукопровод и размещенные на нем в общем акустическом канале широкополосный и аподизованный с переменным перекрытием электродов полосозадающий встречно-штыревые преобразователи и расположенные между ними токопроводящий экран, отличающееся тем, что, с целью повышения точности воспроизведения амплитудно-частотной характеристики путем уменьшения дифракционных искажений, в токопроводящем экране со стороны аподизованного преобразователя вдоль направления распространения акустической волны выполнены прорези, пространственный шаг L которых монотонно возрастает от центра токопроводящего экрана к его периферии, причемai/L

Номер патента: 1560023

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Калянин, Колобков, Новиков, Фунда

МПК: H03H 3/02

Метки: кварцевый, резонатор

КВАРЦЕВЫЙ РЕЗОНАТОР, содержащий диэлектрический корпус из крышки и основания, соединенных между собой связующим материалом, пьезоэлемент с электродами на его рабочих гранях и контактными площадками, расположенными на рабочих поверхностях токовводов и кристаллодержателей, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и улучшения массогабаритных характеристик, кристаллодержатели выполнены из полосок металлической фольги в виде гребенки, присоединенных к пьезоэлементу по его периметру, при этом между рабочей поверхностью пьезоэлемента и основанием выполнен зазор, равный толщине полоски из металлической фольги, количество которых выбрано из выраженияn ma/P,

Номер патента: 1713405

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Литвиненко, Молотков

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

ДИСПЕРСИОННАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ по авт. св. N N 1627052, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения вносимого затухания, второй преобразователь смещен на расстояние относительно первого вдоль своей оси симметрии в сторону того края апертуры, где расположены электроды первого преобразователя, наиболее удаленные от второго преобразователя, причем = Xcos 1 + ,где - угол наклона первого преобразователя;K - коэффициент...

Номер патента: 1556504

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Бронникова, Исаев, Ларионов, Сахаров

МПК: H03H 9/54

Метки: монолитный, фильтр

МОНОЛИТНЫЙ ФИЛЬТР, содержащий размещенные на пьезоэлектрической пластине попарно акустически связанные между собой точечные резонаторы с электродами прямоугольной формы, оси каналов акустической связи которых совмещены с направлением максимальной акустической связи пьезоэлектрической пластины, отличающийся тем, что, с целью уменьшения габаритов при обеспечении максимальной избирательности и минимального вносимого в полосе пропускания затухания, поперечные оси симметрии каждой из пар акустически связанных точечных резонаторов совмещены с осью симметрии пьезоэлектрической пластины, выполненной из танталата лития среза XYS/ -49 2o, перпендикулярной оси каналов...

Номер патента: 1685234

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Баранов, Ермаков, Исаев, Ларионов, Литвинов, Сахаров

МПК: H03H 9/56

Метки: монолитного, пьезоэлемент, фильтра

ПЬЕЗОЭЛЕМЕНТ МОНОЛИТНОГО ФИЛЬТРА, содержащий пьезоэлектрическую пластину, размещенные на ее основных гранях перекрывающиеся возбуждающие электроды с выводами, отличающийся тем, что, с целью расширения полосы пропускания фильтра, продольные оси симметрии возбуждающих электродов смещены относительно продольной оси акустического канала параллельно ей в противоположные стороны, при этом величина смещения выбрана из соотношения b = ( 0,1 - 1,0 ) hпэ,где b - величина смещения продольных осей симметрии возбуждающих электродов относительно продольной оси акустического канала, м;

Номер патента: 1750407

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, подстройки, приборов, центральной, частоты

1. СПОСОБ ПОДСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ ПРИБОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий измерение центральной частоты прибора, сравнение ее с заданной, при несовпадении которых осуществляют обработку поверхности прибора в ВЧ-плазме нейтрального газа, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных за счет увеличения точности подстройки центральной частоты прибора, управление величиной подстройки центральной частоты осуществляют путем изменения плотности ВЧ-мощности в плазме, при этом обработку прибора в ВЧ-плазме осуществляют в течение 15 - 20 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при проведении обработки прибора в плазме аргона требуемую плотность ВЧ-мощности в плазме определяют, исходя из...

Номер патента: 1750406

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, настройки, поверхностных, резонаторов, центральной, частоты

СПОСОБ НАСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий обработку в плазме аргона в течение 120 - 600 с, отличающийся тем, что, с целью повышения точности настройки, перед обработкой в плазме аргона проводят предварительную настройку частоты путем отжига кристаллов в атмосфере водорода при 250 - 450oС, а обработку в плазме аргона проводят в течение времениt = ,где t - время обработки/ с;f - частота резонатора перед окончательной подстройкой, Гц;

Номер патента: 1779212

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Кондратьев, Машинин, Науменко, Орлов

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, однонаправленный, поверхностных

ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН(ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей грани которого расположены периодические структуры с первым и вторым в направлении излучения ПАВ противофазными возбуждающими электродами, объединенными соответствующими суммирующими шинами, замкнутый отражающий электрод, выполненный в виде двух металлических полосок, параллельных возбуждающим электродам и соединенных перпендикулярной металлической перемычкой, и изолированный отражающий электрод, выполненный в виде металлической полоски, параллельной возбуждающим электродам, отличающийся тем, что, с целью повышения направленности излучения ПАВ и технологичности, в каждую периодическую структуру дополнительно введены...

Номер патента: 1225457

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Заличев, Карпеев, Кондратьев, Семенов

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волн, поверхностных

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН, содержащий пьезоподложку с расположенной на ее рабочей поверхности встречно-штыревой структурой электродов, образованной двумя вложенными друг в друга периодическими решетками однофазных штыревых электродов одинаковой апертуры, одноименные концы которых гальванически соединены с двумя соответствующими коллекторными шинами, расположенными вне апертуры преобразователя и выполненными в виде металлических полос постоянной ширины, одна из которых имеет форму меандра с периодом, равным периоду решетки однофазных электродов, соответствующие концы коллекторных шин гальванически соединены между собой, а их средние выводы соединены с сигнальной и общей клеммами преобразователя, отличающийся тем, что,...

Номер патента: 1517711

Опубликовано: 30.08.1994

Автор: Зеленов

МПК: H03H 9/00, H03H 9/64

Метки: акустических, волн, поверхностных

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН (ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого размещены первая и вторая электродные структуры, каждая из которых содержит контактные площадки и две разнополярные группы параллельных перекрывающихся электродов, причем штыревые электроды первых групп гальванически соединены между собой, а штыревые электроды вторых групп соединены гальванически соответственно с первой и второй контактной площадкой, перекрытие штыревых электродов в первой электродной структуре выполнено неравномерным, а электроды первой группы первой электродной структуры соединены между собой резистивными элементами, а также потенциальную и общую клеммы, отличающийся тем, что, с целью...

Номер патента: 1591729

Опубликовано: 30.08.1994

Автор: Зеленов

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

ФИЛЬТР НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ(ПАВ), содержащий пьезоэлектрическую подложку с расположенным на ее рабочей грани двунаправленным входным преобразователем ПАВ, по обе стороны от которого размещены первый и второй выходные преобразователи, отличающийся тем, что, с целью уменьшения вносимых потерь, выходные преобразователи выполнены из полосковых электродов, объединенных с одной стороны контактными площадками, которые электрически соединены между собой через резистор, причем расстояния между продольными осями симметрии соседних электродов в выходных преобразователях и расстояния между вертикальной осью симметрии входного преобразователя и ближайшими к нему электродами первого и второго выходных преобразователей выбраны из...

Номер патента: 1313314

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/10

Метки: акустических, волнах, кварцевых, поверхностных, подстройки, резонаторов, частоты

СПОСОБ ПОДСТРОЙКИ ЧАСТОТЫ КВАРЦЕВЫХ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий измерение частоты резонатора и сравнение ее с заданной, при несовпадении которых осуществляют нагрев резонатора при температуре, превышающей 250oС, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов подстройки частоты и повышения ее точности, нагрев резонатора осуществляют в течение 20 - 40 мин, а температуру нагрева выбирают из выражения500 C > T = 250 C + A ,где Т - температура...

Номер патента: 1648233

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Афанасьев, Рудый, Серкова

МПК: H03H 9/00, H03H 9/15

Метки: магнитоперестраиваемый, свч-резонатор

1. МАГНИТОПЕРЕСТРАИВАЕМЫЙ СВЧ-РЕЗОНАТОР, содержащий перестраиваемую магнитную систему, между полюсами которой расположен звукопровод с размещенным на его рабочей грани преобразователем объемных акустических волн, выполненным в виде слоя пьезоэлектрического материала, на рабочей поверхности которого размещены электроды, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регулирования рабочей частоты, в него введена по крайней мере одна монокристаллическая ферритовая пленка, размещенная параллельно рабочей грани звукопровода с обеспечением электрического контакта с плоскостью по крайней мере одного электрода, звукопровод выполнен из немагнитного диэлектрика, а значение напряженности магнитного поля перестраиваемой магнитной системы выбрано...

Номер патента: 1335110

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/10

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ(ПАВ), включающий формирование на рабочей грани пьезоэлектрической подложки системы канавок отражательных решеток, заполненных электропроводящим материалом, и электродов встречно-штыревых преобразователей, формирование защитного покрытия для встречно-штыревых преобразователей, вытравливание электропроводящего материала из системы канавок отражательных решеток, удаление защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет уменьшения разброса центральной частоты, в процессе формирования системы канавок отражательных решеток их дополнительно вытравливают на величину, равную 10 - 15% от заданной глубины, а перед вытравливанием электропроводящего...

Номер патента: 1630589

Опубликовано: 15.10.1994

Автор: Линючев

МПК: H03H 7/30

Метки: задержки

...программируемуюлинию задержки 2 и линию задержки 3 сотводами. Подключение отвода линии задержки 3 через мультиплексор 6 происходитпо коду со счетчика коррекции 8, которыйсоответствует задержке, сформированной Формула изобретенияУСТРОЙСТВО ЗАДЕРЖКИ, содержащее линию задержки, отличающееся тем, что, с целью расширения области применения путем обеспечения возможности задержки как импульсного, так и непрерывного .высокочастотного сигнала, в него введены элементы ИЛИ, генератор импульсов, пороговый элемент, счетчик, счетчик коррекции, линия задержки с отводами и мультиплексор, при этом входы элемента ИЛИ соединены соответственно с шиной задерживаемого сигнала и с шиной запуска, выход через линию задержки, выполненную программируемой,...

Номер патента: 1313317

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Кисляков, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонатор

РЕЗОНАТОР НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ(ПАВ), содержащий пьезоэлектрическую подложку, по крайней мере один встречно-штыревой преобразователь (ВШП) ПАВ, электроды которого расположены в углублениях на рабочей грани пьезоэлектрической подложки, и отражательные структуры, выполненные в виде системы канавок, глубина которых меньше глубины углублений под электродами ВШП ПАВ, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности конструкции резонатора, область пьезоэлектрической подложки с электродами ВШП ПАВ выполнена с выступом над областями пьезоэлектрической подложки с канавками отражательных структур, причем высота выступа выбрана в соответствии с выражениемh = h1-h2 ,где h - высота выступа...

Номер патента: 1734562

Опубликовано: 30.11.1994

Автор: Линючев

МПК: H03H 7/30

Метки: высокочастотного, задержки, сигнала

УСТРОЙСТВО ЗАДЕРЖКИ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО СИГНАЛА, содержащее усилитель-формирователь, соединенный входом с выходом линии задержки, переключатель, фильтр, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, в него введены формирователь, выходной ключ, генератор импульсов, счетчик, триггер, линия задержки с отводами, синхронизатор, мультиплексор, реверсивный счетчик и импульсный фазовый детектор, а в качестве фильтра использован фильтр низкой частоты, при этом формирователь соединен входом с ВЧ-входом устройства, выходом с первым входом переключателя, первым входом синхронизатора и первым входом импульсного фазового детектора, второй вход переключателя соединен с выходом мультиплексора, вторым входом импульсного фазового детектора и вторым входом...

Номер патента: 1419474

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Колковский, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, устройств

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УСТРОЙСТВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий формирование на пьезоэлектрической подложке токопроводящего слоя электродов и электрических шин встречно-штыревых преобразователей (ВШП), регистрацию амплитудно-частотной характеристики, сравнение ее с заданной по результатам которого осуществляют отбраковку изготавливаемых устройств, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изготавливаемых устройств, одновременно с формированием токопроводящего слоя электродов и электрических шин ВШП формируют между электрическими шинами ВШП токопроводящий слой в виде меандра, измеряют его сопротивление, производят сравнение его значения с заданным; по результатам которого осуществляют дополнительную отбраковку...

Номер патента: 1620022

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Дивногорцев, Кондратьев, Науменко, Орлов, Семенов, Синицина

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, однонаправленный, поверхностных

ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН(ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей грани которого расположена встречно - штыревая структура электродов, противофазные возбуждающие электроды которой объединены первой и второй суммирующими шинами, и отражающие электроды, размещенные между соответствующими возбуждающими электродами с расстоянием между центрами возбуждающих и отражающих электродов, равным одной восьмой длины ПАВ на средней частоте однонаправленного преобразователя, и выполненные в виде металлических полосок, попарно соединенных одна с другой перемычками и размещенных на расстоянии между их центрами, равном одной четверти длины ПАВ на средней частоте однонаправленного преобразователя,...

Номер патента: 1448986

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Адоньев, Невский

МПК: H01L 41/08, H03H 9/00

Метки: пьезоэлектрический

ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащий низкоомную базу, выполненную в виде трехгранной призмы с тупым углом при вершине тыльных граней, и размещенный на ее основании с акустическим контактом с ним слой пьезополупроводника с диффузионной высокоомной областью, отличающийся тем, что, с целью уменьшения искажений амплитудно-частотной характеристики, угол при вершине тыльных граней выбран в пределах 115 - 130o.

Номер патента: 1579418

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Насонова, Пантюхина, Ясинский

МПК: H03H 9/54

Метки: полосовой, пьезоэлектрический, фильтр

ПОЛОСОВОЙ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ФИЛЬТР, содержащий входную и выходную потенциальные клеммы, дифференциальный операционный усилитель, выход которого соединен с выходной потенциальной клеммой и через резистор обратной связи с его инвертирующим входом, два пьезорезонатора, первые выводы которых соединены с входной потенциальной клеммой фильтра, а второй вывод каждого из пьезорезонаторов соединен соответственно с первым выводом первого и второго резисторов, инвертирующий вход операционного усилителя соединен с вторым выводом первого резистора, а неинвертирующий вход - с вторым выводом первого резистора, соединенного через третий резистор с общей шиной, отличающийся тем, что, с целью улучшения соотношения сигнала/шум, в него введены четвертый и...

Номер патента: 1281125

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Вишняков, Воробьев, Скляров, Шевелев

МПК: G06F 17/14, H03H 17/06

Метки: доплеровских, низкочастотных, сигналов, формирования

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ НИЗКОЧАСТОТНЫХ ДОПЛЕРОВСКИХ СИГНАЛОВ, содержащее регистр частоты и регистр амплитуды, тактовые входы которых подключены соответственно к первому и второму выходам дешифратора адреса, вход которого является входом синхронизации устройства, информационный вход которого подключен к информационным входам регистра частоты и регистра амплитуды, отличающееся тем, что, с целью расширения области применения за счет увеличения диапазона выходных частот, задания и проверки отрицательных значений скоростей и независимой регулировки средней частоты и ширины спектра, в него введены счетчик адреса, счетчик , регистр ширины спектра, триггер знака, первый и второй блоки памяти, первый и второй блоки постоянной памяти, генератор...

Номер патента: 1783947

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, настройки, поверхностных, резонаторов, центральной, частоты

СПОСОБ НАСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий измерение центральной частоты резонатора, сравнение ее с заданной и плазмохимическое травление рабочей поверхности кристалла резонатора в плазме фторсодержащего газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных резонаторов, перед измерением центральной частоты дополнительно проводят обработку резонатора в плазме нейтрального газа в течение 200 - 300 с.

Номер патента: 1739826

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Кибирев, Филимендикова, Ярош

МПК: H03H 3/02

Метки: кварцевых, кристаллических, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КВАРЦЕВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий механическую обработку заготовки из кварца и ее химико-динамическое травление в кислотном растворе с поверхностно-активными добавками, проводимое в два этапа, первый из которых проводят при температуре 348 - 373 К, отличающийся тем, что, с целью уменьшения трудоемкости и повышения выхода годных, химико-динамическое травление на первом этапе осуществляют до получения шероховатости поверхности заготовки не более 5 10-8 м, а на втором этапе, проводимом при той же температуре, что и первый, до получения шероховатости поверхности заготовки не более 3

Номер патента: 1552979

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Кибирев, Ярош

МПК: H03H 3/02

Метки: кварцевых, кристаллических, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КВАРЦЕВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий механическую шлифовку основных граней кварцевых пластин, глубокое травление рабочей зоны через маску металлизации, нанесенную на периферийную область кварцевой пластины, и удаление маски металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных элементов, глубокое травление производят в несколько циклов, перед каждым из которых в центральную область рабочей зоны каждой из основных граней кварцевой пластины наносят соосно с рабочей зоной защитное покрытие в форме круга, а после глубокого травления осуществляют удаление всех защитных покрытий, при этом время каждого цикла глубокого травления и радиус круга каждого защитного покрытия выбраны в соответствии с...