H01L 31/00 — Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов

Номер патента: 435745

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 31/00

Метки: фотосимистор

...световой 15 сигнал подают на периферийные участки в месте выхода р-п-переходов на поверхность.Цель изобретения - упрощение управления прибором с помощью светово го потока.Предложенный фотосимистор отличается тем, что проекции внешних слоев электронного типа проводимости на нижнюю или верхнюю поверхность пластины перекрываются в области освещаемого участка структуры. На фиг, 1 показан предложенный фотосимистор, разрез по области управ ленни; на фиг. 2: а, б - то же, внд сверху и снизу соответственно; в - разрез по А-А.Фотосимистор содержит слой 1 исходного материала электронного типа проводимости с низкой концентрацией примеси, слои 2,3 полупроводника дырочного типа; слои 4,5; сильнолегированного полупроводника электронного типа,...

Номер патента: 1101099

Опубликовано: 07.03.1985

Авторы: Берзин, Коваль, Кривич, Медвидь, Мейерс

МПК: H01L 31/00

Метки: фотоприемник

...йз плоско.параллельной пластины 1, выполненной 99 3иэ полупроводникового материала и имеющий две области .(поверхности) 2 с максимальной скоростью рекомбинации, магнита 3 с градиентом напряженности, направленным по оси У, и регулируемого источника 4 электрического напряжения, регистрирующего устройства 5; кривая 6 показывает равновесную концентрацию при Е =О, кривая 7 - режим обеднения, кривая 8- режим обогащения, кривые 9-11 - распределения чувствительности при различных напряженностях электрического поля.Фотоприемник работает следующим образом.При включении Фотоприемника в электрическую цепь на неравновесные носители, генерированные светом в полупроводниковой пластине действует сила Лоренца где Н " напряженность магнитногополя 10...

Номер патента: 1202077

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Ломакин, Тришенков, Эскин

МПК: H01L 31/00, H04N 5/335

Метки: зарядовой, излучения, импульсного, помощью, преобразования, прибора, связью, сигнал, электрический

...Толстыми сплошными линиями (фиг.2) показан профиль потенциала на поверхности полупроводника в начале интервала времени между последовательными сбросами неинформативного заряда иэ фоточувствительных ячеек 1 в области 2 стока зарядов. Уровень неинформативного заряда к концу указанного интервала обозначен тонкой пунктирной линией (фиг,2) В соответствии с этим выбирают высоту потенциального барьера между фоточувствительными ячейками 1 и регистрами 3 сдвига. По окончании ука-, занного .интервала времени, выбираемого соответствующим длительности Т импульсного излучения, потенциальный барьер между Фоточувствительными ячейками 1 и областями 2 стока зарядов устраняют (толстая пунктирная линия на фиг,2), подавая импульс напряжения на...

Номер патента: 1111266

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Вълчанов, Демидов, Заборонский, Мейксон, Събов

МПК: A01C 7/00, H01L 31/00

Метки: датчик, фотоэлектрический

...датчика, 40Датчик содержит фотоприемник 1,установленный внутри светоотражателя2, который закрыт защитным стеклом3. В отверстии защитного стекла Закреплен светонепроницаемый экран 4,имеющий защитную светопрозрачнуювставку 5, против которой установленсветовой излучатель 6, например светодиод, работающий в импульсном режиме, который обеспечивается импульсным генератором 7. Светонепроницаемый экран 4 со светопрозрачнойвставкой 5 установлен так, чтобыстекло экрана 4 располагалось в зонемежду световым излучателем 6 и фотоприемником 1, а. торец светонепроницаемого экрана со светопрозрачнойвставкой 5 был в одной плоскости с 266 2наружной поверхностью защитного стекла 3.Выход фотоприемника 1 соединен с выходом усилителя 8 через...

Номер патента: 1274032

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Демченко, Романовский

МПК: H01L 31/00

Метки: действия, коэффициента, полезного, солнечных, элементов

...от центра около 2/3 радиуса. солнечного элемента, Для уменьшения нагрева проводов термопары солнечным излучением они изолированы лавсановой пленкой и сверху обмотаны алюминиевой фольгой. Термопара выполнена таким образом, что сигнал с нее на потенциометр 9 поступает по медным проводам, образующим спаи вдифференциальной термопаре. Зеркало 1 и диафрагма 2 закреплена на цилиндрической опоре 10, конструкция которой позволяет осуществить качание в вертикальной плоскости в угле около 60 . Опора 1 Озакреплена на валу 1, поддерживаемом посередине его длины опорой сподшипником 12, а снизу закрепленном на валу редуктора 13. Такая кон1274 Вычисляют КПД СЭ по отношению к поглощаемому излучению по формуле КПД = в -.1 ОЕ. РФормула изобретения...

Номер патента: 1293453

Опубликовано: 28.02.1987

Авторы: Галяткин, Костенко, Формозов

МПК: F25D 3/00, H01L 31/00

Метки: аппарате, космическом, параметров, преобразователя, расположенного, стабилизации, фотоэлектрического

...1 система стремится к новому тепловому равно-. весию. При этом наличие плавящегося вещества в теплообменнике 1 обеспечивает за счет скрытой теплоты плавления стабилизацию его температуры на уровне температуры плавления Т . Ю и, следовательно, стабилизацию параметров преобразователей 2 и 10. После окончания плавления вещества в теплообменнике 1 его температура начинает повышаться и при достижении 15 температуры, равной температуре Т, начинается процесс плавления вещества, размещенного в контейнерах 3 и 12, При этом большая теплоемкость теплообменника 1 из-за наличия в нем рас плавленного вещества увеличивает тепловую инерцию системы, способствует замедлению процесса плавления вещества в контейнерах 3 и 12 и тем самым...

Номер патента: 644211

Опубликовано: 30.04.1987

Авторы: Вул, Петросян, Фистуль, Шик, Шмарцев

МПК: H01L 31/00, H01L 43/00

Метки: датчик, фотогальваномагнитный

...к освещаемой поверхности, контакты которого расположены вплоскости, перпендикулярной направлению градиента.Фотогальваномагнитный датчик работает следующим образом.При,помещении пластины полупроводника в магнитное поле, перпендикулярное направлениюосвещения датчика,наконтактах, расположенных в плоскости, перпендикулярной направлению градиента ширины запрещенной зоны, возникает фотомагнитная ЭДС, величинакоторой зависит от,напряженности магнитного поля,Известные фотогальваномагнитныедатчики не позволяют измерять величину магнитного поля с достаточновысокой чувствительностью.Цель изобретения - повышение чувствительности к магнитному полю.Это достигается тем, что градиентширины запрещенной зоны дЕ выбраниз условия: 2Т "...

Номер патента: 608383

Опубликовано: 23.09.1987

Авторы: Гольбрайх, Кравченко, Плотников, Шубин

МПК: H01L 31/00

Метки: импульсов, регистрации, световых

...напряМДП-структуры с линейной нарастаюженность электрического поля в припощей вершиной. верхностной области полупроводникаНа чертеже представлено устройство 10 достаточна для возникновения процесдля реализации предложенного способа, са ударной ионизации, что позволяетгде 1 - МДП-структура, 2-сопротивле- осуществить фоторегистрацию световогоние нагрузки, 3-импульсный источник импульса с усилением, Могут быть иснапряжения, 4 - линия задержки, 5 - пользованы МЦП-структуры 1, изготовзадающий импульсный генератор, вклю ленные на основе кремния типа КДБчающий источник света, 6 - импульсный (кремний дырочный, легированный боисточник света, 7 - фокусирующая сис- ром), концентрация носителей в кото 16тема. ром варьируется в пределах 1 ОЬ...

Номер патента: 1102438

Опубликовано: 23.11.1987

Авторы: Вилиам, Карол, Колчанова, Мариан, Михайлова, Франтишек, Яссиевич

МПК: H01L 31/00, H01L 31/06

Метки: фотоприемник, чувствительностью

...которые могут принимать участие в процессе ударной ионизации.,В случае обратного соотношения между сечениями все имеющиеся на примеси электроны быстро будут переведены светом в зону проводимости, примесь опустошается, и с ационарный процесс ударной ионизации, приводящий к повышению чувствительности, прекращается.Примесь выбрана лежащей вблизи середины запрещенной зоны, а именно,уровня ферми Е в -области соотношением: Е +2 КТсЕЕ+61 сТ,а толщина 1-области М превышаетдлину ионизации примеси электронами,где Х - постоянная Больцмана,Т - температура в градусах Кельвина.Поставленная цель достигаетсятем, что в способе управления чувствительностью Ьотоприемника, включающем освещение 1-области светомиз спектрального интервала 1-1,4 мкмпри...

Номер патента: 337061

Опубликовано: 23.03.1988

Автор: Михайловский

МПК: H01L 31/00

Метки: детектор, магнитный

...сигнала под действием реальныхшумов возникает прецессия намагниченности с Флюктуациями определяемыми шириной полосы частот СВЧ усилителя перед магнитным детектором и величиной частоты релаксации Феррита. Вэтом случае выходное ЗДС с магнитногодетектора определяется не полной величиной изменения намагниченности 6 М ш , а лишь величиной Флюктуаош максций намагниченности аМ . Для увелий чения разности между величинамиЬМ ,о и ЬМ ш необходимо подбиратьоптимальное значение амплитуды подаваемого на детектор шума.При включении модуляции подмагничивающего поля, т.е. при перестройке детектора с некоторой частотой (по- прежнему в отсутствие СВЧ сигнала), поведение намагниченности магнитного полупроводника качественно сохраняется тем же самым,...

Номер патента: 1575670

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Клетченков, Политанский, Яганов

МПК: G01K 7/22, H01L 31/00

Метки: дистанционного, температуры

...тельно соединенньх р-п- ереходовв при ООЛ" ц(81114 И 8 ГО СВЕТОВ: М ГО 1 ОКОМ ИСТОЯ НИЫ.5 излучс(1 ия возникает фото%. ХОЛО:того1хода Оф, равная сумме фого=,(цС холо,."(ОГО хода О(г, где = 1,2К, ка)кдО.о из г)-и-Г 8- реходов, Так как фотоприемник 1 вьПол(1811 групповым методом по интегоальной .(Оду" п 1)Оводниковой технолОгии, все р-иходы и м 810 т и де нтич и ые ха рэктерисг(К 1, следоьательно, Оф . О(ф, Г 1 ри этом темпе 5.ри урная зависимость (Отоприемн 5)ка 1 определяется вь(ра)кениемО 1) = КОА(,)о) - а 11 - о 11Известно, (то апряжен(е на за,.во.,.)8 МД 1-т)анзист 01)а 2 Опо:":,Геляетсг су м:й фото:ДНЗГ )5 в(ения СМ 8 ЩЕНИЯ ф 3 Т)Г(Р 14" ем 1 ика 1, вкл 101 еннОГО на 8 ГО вхд(е. Л 5)и этОм ток стока МДГ 1-тра(зист 01)а 2 равен 1 с...

Номер патента: 1714336

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Ахмедов, Каримов

МПК: G01B 7/16, H01L 31/00

Метки: исследования, тензоэффекта, фотовольтаического

...послед- На балке 1 нанесена риска 11, а на винте няя закреплена на выступе параллельно 4 - дведлинныериски 12 ирядкоротких 13, пластине, а винт установлен в резьбовом которые делят винт 4 по окружности, напри- отверстии с воэможностью перемещения в 25 мер, на 12 частей, т,е, угол между двумяо.плоскости наименьшей жесткости тензо- соседними рисками составляет 30; Шаг балки. Дополнительно установлены пред- резьбы винта 4 равен, например, 0,5-1 мм. метный стол и пара опор, при этом опоры Поворот винта 4 от одной риски 12 к другой закреплены на пластине противоположно соответствует смещению винта 4 в верти- выступу на линии, перпендикулярной оси 30 кальном(осевом) направлении на величину симметрии тензобалки, и образующих со- полного...

Номер патента: 1671088

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Сисакян, Шварцбург, Шепелев

МПК: H01L 31/00

Метки: амплитудной, излучения, модуляции, электромагнитного

...11 ииизлучелся),а Лиг. 2 привелены зависимостиКОЗссйсСИИЕцтОВ ОтражЕНИя От тЕМПЕратуры носителей, получецньсе расчетомца .)И, Зависимости построены дляполупроводника пбаЛз, плазменной частоти (д = 5 10 Гц и длины волныссадцсакего ца полупроводник излучения- 0,376 мм, Рядом с каждой кривой.кц саво значение угла падения и полярцзасссссс ссзлучесс)1 я. на фиг. 3 приведеЦЫ ССВ)ССССМоетСС КОЭАЬ 11 ЦИЕцта ОтРажЕсссссс от Т для 1 - поляризованного иэо20лу сенин, угла падения 60 и плазмен"сссастоть)Я= 5 10 Ги, соотнетствус сс различным значениям длины волныотражающегося от полупроводника пСаАвизлучегцсц (значения длины волны указаны у каждой кривой),Пз градтиссосс, приведенных на Аиг.2), сссс)сссо, что измессещсе температурысоссстессй ыа...

Номер патента: 1340509

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Бакуев, Мармур, Оксман

МПК: H01L 31/00

Метки: устройства, фотоприемного

...того, что навеску свинца массой 0,1 г помещают на площадь контакта 1 мм, Вплавление производят при темпера 2туре 973 К, а охлаждение - со скоростью 0,016 град/с, Фотоответ при 77 К для излученияс длиной волны 10,6 мкм достигает 0.1 мВ/Вт в фотовольтаическом режиме,П р и м е р 3, Фотоприемное устройство изготавливают так ке, как в примере 1, за исключением того, что навеску свинца массой 0,01 г помещают на площадь контакта 1мм, Вплавление производят при температуре 1173 К, а охлаждение - со скоростью 1,6град/с, Фотоответ при 77 К для излучения с5 длиной волны 10,6 мкм достигает 0,1 мВ/Втв фотовольтаическом режиме,П р и м е р 4; Фотоприемное устройствов аиде фотоактивного контакта олово-германий изготавливают с использованием...

Номер патента: 755104

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Вето, Колотков, Кузнецов, Левин, Пресс, Рубинштейн, Седунов, Угрюмов, Шилин

МПК: H01L 27/148, H01L 31/00

Метки: видеосигналов, движущегося, зарядовой, изображения, приборах, связью, формирователь

ФОРМИРОВАТЕЛЬ ВИДЕОСИГНАЛОВ ДВИЖУЩЕГОСЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ПРИБОРАХ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащий светочувствительную матрицу, выходной сдвиговый регистр и тактовые шины, расположенные на одном полупроводниковом кристалле, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих освещенностей воспринимаемого изображения, он дополнительно содержит фотодетекторы и электронные ключи, сформированные на том же кристалле, а светочувствительная матрица разделена в направлении движения изображения на секции, электрически связанные между собой, кроме секции, контактирующей с выходным сдвиговым регистром и тактовыми шинами через соответствующие электронные ключи, электрически связанные с фотодетекторами.