Фотосопротивление

Номер патента: 1028204

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Алмазов, Малютенко, Федоренко

МПК: H01L 21/66

Метки: биполярной, диффузии, заряда, коэффициента, неравновесных, носителей, полупроводниках

...зондируютщего инфракрасного излучения, прошедшего и отраженного от пластины в момент достижения максимального значения интенсивности света, вызывающего генерацию электронно-дыроч.ных пар при двух или более значениях его интенсивности, а коэффициент биполярной диффузии неравновесных носи телей заряда вычисляют по формуле 47 47 И 4 ат - +К, аг где в ; в- относительные коэффициенты пропускания и отражения при боль . шей интенсивности 5 света, вызывающего генерацию электронно дд дырочных пар - то же при меньшей интенсивности света 30 вызывающего генерацию электронно-дырочных парф(5) лярной диффузии благодаря контрОлю интенсивности возбуждающего и зондирующего излучений в каждом импульсе возбуждающего света. Это позволяет устранить влияние...

Номер патента: 1778821

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Иванов, Федорцов

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактного, времени, жизни, неравновесных, носителей, полупроводниках

...волны зонда измерение времени жизни либо вообще перестает быть возможным в силу непрозрачности образца, либо существенно снизить чувствительность способа, Это исключает возможность применения описанного выше способа прототипа для измерения объемного времени жизни неравновесных носителей тока в легированных полупроводниках.Целью предлагаемого изобретения является расширение области применения за счет получения возможности измерения объемного времени жизни неравновесных носителей тока в легированных полупроводниках и повышение чувствительности,Поставленная цель достигается тем, чтов предложенном способе зондирующее и инжектирующее излучения выбирают из области максимальной прозрачности исследуемого образца (сохраняя при этом условие,...

Номер патента: 742788

Опубликовано: 25.06.1980

Авторы: Давыдов, Захаров, Штрапенин

МПК: G01N 27/78

Метки: массы, носителей, полупроводниках, свч, эффективной

...прошедшей через образец мощности от напряжения магнитного поля.Установка состоит иэ генератора 1, развязывающего аттенюатора 2, О перехода с прямоугольного волновода на круглый 3, поляризатора 4, измерительного волновода Ъ, полупроводникового образца 6, перехода с круглого волновода на прямоугольный 7, кристаллического детектора 8, селективного усилителя 9, двухкоординатного самописца 10, соленоида 11, источника питания соленоида 12,дьюара 13 с жидким азотом. 20Работает установка следующим образом.СВЧколебания от генератора 1 через аттенюатор 2, переход с пряьюугольного волновода на круглый 3 и поляризатор 4, в качестве которого служит отрезок эллиптического волновода, поступают в измерительный волновод 5, изготовленный из...

Номер патента: 803759

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Крутоголов, Лебедева, Соколов, Стрельченко

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионной, длины, заряда, неосновных, носителей, полупроводниках

...излучением со стороны, дротнвоположнои переходу электролит - полундроводник, изменяя длину волны излучения, измеряют спектральную зависимость фото- тока 1 (Л) через переход. В спектральном диапазоне, где выполняются условия аТ 1 и а 1.)1 (т. е, аТ 10, а 1, 10), фототок 1, (Л) описывается выражением; где= О/5 есть отношение коэффициента диффузии 0 .неосновных носителей заряда к скорости их рекомзо бинации 5,на освещаемой поверхности полупроводника;В - коэффициент:пропорциональности,Построив график зависимости 1,(Л) от 35 1/а (Л) в указанном спектральном диапазоне,и продлив получившуюся прямую до дересечения с осью абсцисс, на которой отложены значения 1/а (это соответствует случаю, когда левая часть уравнения (2) обра...

Номер патента: 1384117

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Малютенко, Тесленко

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактный, времени, жизни, заряда, неравновесных, носителей, полупроводнике, эффективного

...излучения, ш - эффективная45масса электрона.Для, детектирования излучения использовался фоторезистор иэСЙИ 808 Те при 77 К, который имеетграницу чувствительности при =11 мкм.Таким образом, практически диапазондлин волн 1-11 мкм, Иаксимальный коэффициент поглощения в этом диапазоне .равен для максимальной концентра 18 в.цин электронов 10 см .К = 200 см,.Следовательно толщина д образцадолжна быть впределах 0,52 ,й4 50 мкм, например 10 мкм. Для длины волны0,8 мкм.поглощение определяетсямежзонными переходами. Коэффициент поглощения длятаких переходов зависит от энергиикванта и не зависит от концентрацииносителей заряда, Таким образом,временная зависимость плотности излучения на длине волны 0,8 мкм не будет пропорциональна концентрации...