Патенты с меткой «оптрон»

Номер патента: 435595

Опубликовано: 05.07.1974

Авторы: Богуславский, Свечников, Шиман

МПК: H03K 17/78

Метки: ключевой, оптрон

...1 нанесен на диэлектрическую подложечку б, приклеенную к,позистору 2, Излучатель 6 с помощью,компаунда 7 омонтирован над фоторезистором. 2Работает устройс пво следующим образом.В нормальном режиме на фоторезисторе выделяется небольшая мощность, температура его перегрева невысока, и вольтамперная ха;рактеристика (ВАХ) позистора имеет вид 8,;При потере устойчивости цепи значительно повышается температура перепрева оптрона, при этом,вольтамперная характеристика позистора деформируется до вида 9. Если ми оимум ВАХ позистора меньше по абсолютнойвеличине минимума кривой 10 - ВАХ оптрона, что лепко реализуемо, то цепь переходит ,в режим, соо пветствующий точке Б - точке пересечения деформированной ВАХ 9 пози 1 у стора и иривой 11 -...

Номер патента: 438118

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Горохов, Дмитриев

МПК: H03K 17/78

Метки: быстродействующий, оптрон, фотодиодный

...управления,инверсный и неинверсный выходы которойподключены к .основному источнику излучения дополнительного фотодиодного оптрона. 25На чертеже изображена схема быстродействующего фотодиодного оптрона.Быстродействующий фотодиодный оптронсодержит устройство 1 управления, имеющеевходную шину 2 и выходные шины 3 и 4, 30 подсоединенные к источникам излучения, например светодиодам 5 и 6,Светодиод 5, оптически связанный с фото- диодом 7, представляет собой дополнительный фотодиодный оптрон.Резистор 8 включен параллельно фотодиоду 7 и цепочке основных фотодиодов 9 - 11, оптически связанных с светодиодом 6.Устройство работает следующим образом.В исходном состоянии управляющий сигнал отсутствует, фотодиоды 9 - 11 не облучены, и фото-э.д.с....

Номер патента: 445153

Опубликовано: 30.09.1974

Автор: Горохов

МПК: H03K 17/78

Метки: быстродействующий, оптрон, фототранзисторный

...отсутствует. Тогда блок 14 выдает такой сигнал, что ключ 11 разомкнут, а ключ 12 15 может быть как в разомкнутом, так и в замкнутом состоянии, В этом случае фототранзи стор 1 имеет большое сопротивление, и наг рузка 4 оказывается отключенной от источни.ка 5 коммутируемого сигнала.20 Пусть подан управляющий сигнал. Тогдаблок 14 выдает такой сигнал, что ключ 11 замыкается, а ключ 12 обязательно переходит в разомкнутое состояние. В этом случас фото- транзистор 1 освещается и имеет малое сопро тивление, а фотодиод 6 не освещается и имеетбольшое сопротивление, препятствующее возникновению запирающего базового тока фото- транзистора, что обеспечивает большую светочувствительность фототранзистора. Нагрузставптель А. Дедюх Бычкова Техред...

Номер патента: 450360

Опубликовано: 15.11.1974

Авторы: Горохов, Дмитриев

МПК: H03K 17/78

Метки: оптрон, фотодиодный

...фото э.д,с. каждого фотодиода из-за неидентичности электриче ских характеристик каждого из них.Цель изобретения - уменьшение величины остаточного напряжения на выходе ключа при выходном токе, равном нулю во всем диапазоне рабочих температур и управляющих то ков, то достигается тем, что два последовательно-встречно включенных фотодиода соединены последовательно с другими двумя последовательно-встречно включенными фотодиодами, а место соединения двух пар по следовательно-встречно включенных фото- диодов через переменные резисторы подключено к местам соединения диодов каждой из пар последовательно-встречно включенных фотодиодов. 30 рыби/,До подачи управляющего сигнала фотодиоды не освещаются и ключ закрыт. Максимальное напряжение...

Номер патента: 499671

Опубликовано: 15.01.1976

Авторы: Гаршенин, Горохов, Рыбаков, Турыгин

МПК: H03K 17/78

Метки: оптрон, фототиристорный

...тем, что в предлагаемом оптроне вывод от базовой области подсоединен к катоду фототиристора через переключающий фоточувствительный элемент, оптически связанный с дополнительным источником излучения, который подключен к другому выходу устройства управления, причем один из выходов устройства управления является инверсным по отношению к другому,(51) Ы Кл з Н ОЗК 1778 Н ОЗК 17/72499671 гЮфиг, У В таком состоянии базовый вывод 4 фототиристора 1 оказывается подключенным к катоду фототиристора через малое сопротивление фототранзистора б, освещаемого вспомогательным светоизлучателем 7, фототиристор 1 закрыт и способен выдерживать большие скорости нарастания напряжения на анодном выводе 2 относительно катодного вывода 3, т. е. фототиристорный...

Номер патента: 531031

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Тронько, Шиманская

МПК: G02F 3/00

Метки: оптрон

...оптрона от внешнего магнитного поля позволяет расширнть область его применения, повысить эффективность и уменьшить габариты. т 0 я тем, что модулядмагничивающей каомещено магнитооп тор выполне виде п оторой шки, внутри Изобретение относится к ктронике, а именно к оптронам с неуправляемым источником света.Известны оптроны, содержащие источник излучения и фоторезистор1 . Их квантовый выход по управляющему сигналу без охлаждения низок, а глубокое охлаждение ог - раничивает применение оптронов.Известны также оптроны с неу мым источником света, модулято сивности света и фотоприемником используется электрооптический модуля ор интенсивности света2 , Параметры таких оптроновнезависят (или слабо зависят) от магнитного поля.Целью изобретения...

Номер патента: 551730

Опубликовано: 25.03.1977

Авторы: Костюкевич, Осинский

МПК: H01L 31/12

Метки: оптрон

...р-й-переход 1 светодиода, пе. редающую среду из двуокиси кремния 2 и р-нпереход 3 фотоприемника. При изготовлении оптрона в пластине кремния 4 т-типа толщиной 200-300 мк вытравливают сквозные отверстия 5 диаметром 200-ЗООмк. По известной планарной технологии формируется р-и-переход 3 фотоприемника методом диффузии примесей р-типа. Окислением создается слой двуокиси кремния 2 толщиной 0,1-0,2 мк, осуществляющий электрическую развязку светодиода и фотоприемника. Окисленные сквозные отверстия апитаксиально заращиваются полупроводниковым материалом 6 светодиода, например арсенидом галлия п-типа, по одному из известных способов, Затем создаются р.%переход 1 светодиода и омические контакты 7 и 8 фотоприемника и светодиода по известной...

Номер патента: 817807

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Конюхов, Матюнин, Плют

МПК: H01L 31/00

Метки: оптрон

...зависимость результирующего температурного ко" эффициента Кр термостабилизированного светофильтром оптрона от отношения 5 о светового потока Гф, падающего на фотоприемник 3 через термостабилизирующий светофильтр 4, к полному световому потоку излучателя Г , 5 = Г /Г .Здесь К д максимально допустимое значение температурного коэффициента не стабили"15 20 25 Формула изобретенияОптрон, содержащий оптически связанные фотоприемник и излучатель,расположенные в корпусе, о т л и "ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюобеспечения температурной стабили 5 зации характеристик оптрона и компенсации влияния технологическогоразброса температурных и.спектраль.=.ных характеристик элементов оптрона,в цепь оптической связи излучателяс фотоприемником введены...

Номер патента: 1127094

Опубликовано: 30.11.1984

Автор: Сидоров

МПК: H03K 17/78

Метки: ключевой, оптрон

...тока большего уровня, а аноды диодов Шоттки,вход генератора тока меньшегоуровня и выход генератора тока большего уровня соединены с вторым входным выводом,1127094 3 8755/ НИИПИ краж 86 Подписно тфжтф г Ужго ул,Проекты нератора 11 и фотодиода 3. Поэтому в указанном режиме относительно малых уровней входного тока оптрона связка фотодиод 3 -генератор 11 усилитель 9 обеспечивает отрица тельную обратную связь, стабилизирующую электрическое состояниеоптрона и приводящую к тому, что выходной ток (ток фотодиода 2) слабо зависит от входного тока:(ток через 0 вывод 5). Таким образом передаточная характеристика оптрона на этом участке являетсядостаточно пологой.Как только фототок фотодиода 3 достигает уровня тока генератора 11, 1 усилитель 9...