Способ реставрации микроизображений, например, фотошаблонов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советских Социалистических Республикс присоединением заявки М 2088272/10 Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретенийи открытий 1;23) ПриоритетОпубликовано 15.09.76, Бюллетень34 Дата опубликования описания 24.09.76(71) Заявитель СОБ РЕСГАВРАЦИИ МИКРОИЗОБРАЖЕНИЙ, НАПРИМЕР ФОГОШАБДОНО В 54 На дефектный эмульс 1 со стороны эмльсии н анисм слой диазотиппого иной 3 - 4 мкм и высуш в течение 20 мин при 70 С Примерфотошаблон центрифугиро риала 3 толщ 5 его в шкафу онный аносятматс- ивают щираС. Известны способы реставрации микроизображений, например фотошаблонов, заключающиеся в нанесении на дефект микроизображения ретуширующего материала кисточкой или другим инструментом (1).Недостатками известных способов реставрации и ретуширования микроизображений являются низкое качество реставрации фото- шаблонов и большая трудоемкость, так как при ретушировании фотошаблонов выступы ретуширующего материала мешают созданио плотного оптического контакта, необходимого при копировании для правильной передачи изображения.Для улучшения качества микроизображения по предлагаемому способу ретуширующий материал наносят на всю площадь микроизображения с последующим затемнением его на непрозрачных участках путем экспонирования через маску и химической обработки. Согласно этому способу маскирование изображения осуществляется либо при помощи красителя, удаляемого после экспонирования, либо при помощи зеркальной копии основного микро- изображения,Возможная реализация описываемого способа представлена на фиг. 1 и 2, где 1 - фотошаблон с дефектами, 2, 3 - диазотипный материала, 4 - краска, 5 - зеркальная копия, 6 - пятно. Фотошаблон с нанесенным диазоматериалом устанавливают под микроскоп и наносят на дефекты 2 капельки невысыхающей крас ки 4, максирующей УФ излучение, после чего пластину экспонируют УФ светом. Временную краску убирают тампоном, Изображение проявляют в парах аммиака прп нормальных условиях, В результате над дефектом об разуется пятно 6, маскирующее дефект в УФсвете.Невысыха 10 щу 10 1 сраску можно использовать для маскирования при размере ретушируемых дефектов на темных полях размером 20 более 50 мкм, Реставрированное микроизображение является безрельефным, что важно для операции копирования пзооражений контактным аюсобом. 25 11 ри мер 2. На металлизированный фошаблон 1 с дефектом 2 со стороны мака ющего покрытия экструзионным способом носят слой диазотипного матсриала 3 тол ной 4 - 5 мкм и высушивают его в инф 30 красных лучах в течение 3-х мин при 70)ставите, и Л. Тепловахрсд Е Подурушииа ректор Е Хмелев Редактор С. Хейфи Голписиов ССС 1 Тираж 581митста Совета Микистси ш и открытийРаушскаи иаб., и. 4/ Изп.1606 Государстпсииого к по делам изобр 13035, москва, Яаказ 2058,12ЦНИИП шографии, пр Сапунова,Далее на стандартных установках проводят совмещение и экспонирование УФ светом диазоматериала на дефектном фотошаблоне через зеркальную копию 5 фотошаблона, После проявления изображения в парах аммиака в нормальных условиях получают фотошаблон, не имеющий дефектов, так как вероятность совпадения дефектов на основном фотошаблоне, диазоматериала и зеркальной копии чрезвычайно мала. Изобретение может быть использовано в производстве прецизионных фотошабл онов с малой дефектностью, которые необходимь 1 для изготовления больших интегральных схем. Формула изобретения Способ реставрации микроизображепий,например фотошаблонов, заключающийся в 5 нанесении на микроизображение ретуширующсго материала, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества микроизображснпя, рстуширующий материал наносят на всю плоцадь микроизобр ажения с последующим 10 затемнением на непрозрачных участках путем экспонирования через маску и химической обработки. Источник информации, принятый во вни 15 мание при экспертизе: 1. Патент США М 3804 б 23, кл. 9 б, 1974.
СмотретьЗаявка
2088266, 30.12.1974
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6429
ЖУРАВЛЕВ ВИКТОР ПАВЛОВИЧ, ВОЛКОВ АНАТОЛИЙ АНАТОЛЬЕВИЧ, БАЮКОВ ВЛАДИМИР БОРИСОВИЧ, КАЛИНИН МИХАИЛ СЕМЕНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G03C 11/04, H01L 21/70
Метки: микроизображений, например, реставрации, фотошаблонов
Опубликовано: 15.09.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-528537-sposob-restavracii-mikroizobrazhenijj-naprimer-fotoshablonov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ реставрации микроизображений, например, фотошаблонов</a>
Способ идентификации дефектов в фотошаблонах с повторяющимися фрагментами изображений
Номер патента: 1104550
Опубликовано: 23.07.1984
Автор: Шафер
Метки: дефектов, идентификации, изображений, повторяющимися, фотошаблонах, фрагментами
...фрагмента изображения (модуля) шаблона, ориентируют шаблон накоординатном столе, фокусируют прошедший шаблон световой луч на Фотодетектор, преобразуют сигнал с фотодетектора в цифровую форму и вводятего в процессор, в котором его сравнивают с цифровой информацией эталон 5ного фрагмента, записанной в памятиЭВИ, выявляют различия между ними изаписывают их координаты в запоминающее устройство. Для классификациидефектов формируют на экране видео 20контрольного устройства совмещенныеизображения контролируемого и эталонного Фрагментов в разных цветах,анализируют различия между ними ипринимают решение о наличии дефектови их критичности 1).Недостатком данного способа является сложность технической реализа-ции, выражающаяся в...
Способ образования выпуклого изображения, например, на пластинах
Номер патента: 146213
Опубликовано: 01.01.1962
МПК: G03F 7/20
Метки: выпуклого, изображения, например, образования, пластинах
...грунтуют и сушат в термостате при температуре 100 в течение 1 час, После этого наносят в два слоя черную эмаль АМ с промежуточной сушкой в термостате при температуре 70 и послед ошей сушкой на воздухе и в термостате. Затем наносится слой белой эмали АССП в несколько приемов с промежуточ 1 зь 1 мп сушками в термостате.Подготовленные таким ооразом поверхности прошкуривают и очи. .щаюг от остатков пь 1 ли .Затем наносят на эти поверхности тонким слоМ 146213 ем светочувствительную эмульсию, просушивают ее и засвечивают через негатив наносимого изображения, После этого проявляют изображение отмывкой теплой водой в течение 1 - 2 мин до обнажения лаковой пленки в незадубленных местах. Далее пг осушивают заготовку и удаляют оонаженные...
Устройство для клеймения, например, кож после измерения их площади
Номер патента: 128624
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Вашкявичус, Заботка
МПК: G01B 5/26
Метки: клеймения, кож, например, площади, после
...цепь реле, включающего магнитный пускатель 17 электродвигателя 14, и одновременно включаются электромагнитная муфта 7 на горизонтальном валу 6 и кулачковая электромагнитная муфта 16 ня галу 13 нумератора 12.Включенный в раооту электродвигатель 14 вращает гибкий вал 10 через редуктор 11 и вял 13 нумерггОра 12 через муфту 16, вследствие чего на барабанах нумератора происходит набор цифр, соответствующий показаниям указателя 2 на циферблате 3. Соответствие показаний указателя 2 набору чисел на нумераторе 12 достигается тем, что шкала циферблат 3 по своей окружности разделена на 300 делений, каждое равно 1 дя площади, а вал 13 нумератора 12 кинематичсски соединеч с горизонтальным валом б рычага 8 через редуктор 11 с передаточньгм...
Способ изготовления трафаретной печатной формы
Номер патента: 941212
Опубликовано: 07.07.1982
Авторы: Абдусаламов, Васильева
МПК: B41C 1/14
Метки: печатной, трафаретной, формы
...легкоплавким сплавом осуществляют перед нанесением на сетку фотополпмера, а после проявления изображения производят травление легкоплавкого сплава в незащищенных фотополимером местах.На чертеже показана последовательностьь операций способа.Металлическую сетку натягивают на раму. Затсм обсзжцривают в течение 30 мин в 20%-ном растворе щавелевой кислоты, промывают проточной водой и нейтрализуют оставшиеся следы кислоты 5 О 10-ным раствором аммиака, снова промывают и сушат (см. чертеж а).После этого заполняют отверстия сетки сплавом олова, например ПОС нли Розе путем горячего обслуживания, получают пластину (см. чстеж б 1. Затем при температуре 95+ 5 С наносится слой фотополимера, выдерживают заготовку при неактиничном освещении для...
Способ изготовления матриц для гальванопластического формирования плоских сложнопрофилированных изделий
Номер патента: 1810397
Опубликовано: 23.04.1993
Авторы: Булгакова, Есин, Зуева, Калашников, Нестерова, Радковский, Розенштейн, Сацкая, Таранец, Треушников
МПК: C25D 1/10
Метки: гальванопластического, матриц, плоских, сложнопрофилированных, формирования
...нижнего слоя, наносили методом центрифугирования на металлическое основание из"0 нержавеющей стали 12 Х 18 Н 10 Т толщиной1 мм и сушили при температуре 50 С втечение 30 мин, Раствор ФПК, приготовленный для верхнего слоя наносили методомцентрифугирования на лавсан толщиной15 30 мкм и сушили при температуре 50 С в(валика) лавсановую пленку с нанесеннымслоем ФПК прикатывали на металлическоеоснование с нанесенным слоем ФПК таким20 образом, чтобы произошло сцепление обоих слоев ФПК (не должно быть защемленных пузырьков воздуха),Экспонирование проводили светомртутной лампы ДРК - 120 через фотошаблонс заданным рисунком в течение 120 с, Интенсивность света падающего на поверхность фотошаблона составляла 100 Вт/м.После экспонирования...
Предыдущий патент: Устройство для регулирования светового потока в кинокопировальном аппарате
Следующий патент: Способ установки приспособлений на многопозиционном станке для фиксирования обрабатываемых деталей(например, часовых) и устройство для его осуществления
Случайный патент: Способ разработки месторождений полезных ископаемых