H01J 9/02 — изготовление электродов или электродных систем

Номер патента: 1189278

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Успенский, Федяков

МПК: H01J 9/02, H01J 9/04

Метки: источника, электронов

...соотношение у,ехр (о( й) ( 1, у хехр Ы (й + 0)Д 71 (1), При этом между катодом и анодом загорается высоковольтный тлеющий разряд, известный в литературе как разряд с полым анодом, Благодаря наличию в аноде отверстий разряд горит преимущественно вдоль их осей, так как для него создаются наиболее благоприят ные условия, поскольку выполнено соотношение у ехр 1 Ы (й+ 0)71. Ускоренные ионы, образовавшиеся в высоковольтном тлеющем разряде, бомбардируют катод, распыляя материал с ма-; 35 лой эмиссионной способностью и создавая таким образом участки с большой эмиссионной способностью, расположенные против отверстий в аноде.Как показывает практика, размер 40 этих участков определяется соотношением размеров Э/Й, но всегда меньше диаметра...

Номер патента: 1661874

Опубликовано: 07.07.1991

Автор: Пасутман

МПК: H01J 9/02, H01K 3/02

Метки: головка, ламп, накала, спиралей, спирализационная, тел, электрических

...спиралей, и может быть использовано в производстве электрических ламп,Целью изобретения является увеличение эксплуатационной надежности спирализационной головки,На чертеже представлена спирализационная головка, поперечное сечение.Устройство содержит корпус 1, в котором установлены крышка подшипника 2 со шпинделем 3, колодка 4 с контактными выводами 5 и 6 первичной индукционной катушки 7, Полухомут 8 крепит баллоноограничитель 9. На шпинделе 3 закреплены изолирующая втулка 10, вывод 11 вторичной индукционной катушки, контактное кольцо 12; шпуля 13 с навиваемой проволокой, имеющей баллонирующий участок проволоки 14, Также на шпинделе закреплена дюза 15, через которую протягивается керн 16. Гайка 17 через изолирующую втулку 18...

Номер патента: 1762334

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Лысенко, Мардилович, Мухуров, Сидоренко

МПК: H01J 9/02

Метки: вакуумных, высокотемпературных, диэлектрических, интегральных, схем

...способные удерживать молекулярный СО 2,При добавках в З -ный раствор Н 2 С 20 менее 0,2 Н 2304 после отжига при Т1100 К диэлектрические детали содержат включения как щавелевой, так и серной кислот, При увеличении концентрации Н 2304 от 0,4% и вплоть до 4 о , можно добиться, что в решетку будут внедряться только ионы серной кислоты, Однако при таком содержании Н 2304 в электролите формируется оксид обладающий, особенно после отжига, очень низкими прочностными характеристиками (в связи с этим такой оксид совершенно не пригоден для изготовления диэлектрических деталей для высокотемпературных ВИС) и содержащий большое количество сорбированной воды. Только добавки Н 2304 в количестве 0,2 - 0,4% позволяют формировать диэлектрические...

Номер патента: 1798833

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Гнидо, Закурдаев, Сурков, Трусов

МПК: H01J 9/02

Метки: микроскопа, острийного, сканирующего, туннельного, эмиттера

...приходился на середину паза 6 держателя 2,В качестве материала заготовки 3 используется стержень из тугоплавкого металла, например, вольфрама диаметром 1,5 мм. Большой диаметр заготовки 3 необходим для обеспечения требуемой жесткости острия,К заготовке 3 к электроду 4 от источника 5 подается рабочее напряжение. Процесс формирования острия проходит в 3 стадии,Первая ступень острия формируется при токе 100 мА и напряжении 10 В. Линия смачивания электролитом заготовки (мениск) поддерживается на постоянном уровне путем опускания штока 9 в электролит, что исключает самопроизвольный сброс мениска.Постоянный контроль за процессом травления ведется с помощью микроскопа, При достижении диаметра заготовки порядка 800 мкм с помощью штока 9 смещают...

Номер патента: 1807529

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Бишаев, Демидов, Обухов, Трухин

МПК: H01J 9/02

Метки: металлическим, прибора, фотокатодом, электронного

...фотокатод 30эмиттирует электроны, которые формируются в электронный луч под действием электрического поля между катодом и анодомпушки, возникающего при приложении потенциала к катоду от высоковольтного источника питания,Обычно эффективность фотокатодаэлектронного прибора определяется вели чиной квантового выхода40у=.ОЬ/Е,где 0 - заряд электронов, ушедший с фото- катода в режиме насыщения тока, определяется интегрированием импульса фототока с 45 катода;Е - энергия лазерной вспышки, определяемая по сигналу с регистратора отраженного света с помощью предварительной калибровки;Ь - энергия кванта лазерного света, Величина квантового выхода неактивированных металлических катодов (из алюминия, магния и др, и их сплавов) 10 из-за наличия на...

Номер патента: 1738014

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Коржавый, Кучеренко, Цимбаревич

МПК: C01B 13/28, H01J 1/30, H01J 9/02 ...

Метки: газовых, защитных, катодов, лазеров, оксидных, поверхности, покрытий, холодных

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ЗАЩИТНЫХ ОКСИДНЫХ ПОКРЫТИЙ НА ПОВЕРХНОСТИ ХОЛОДНЫХ КАТОДОВ ГАЗОВЫХ ЛАЗЕРОВ , содеpжащее металлическую вакуумную камеpу, pазмещенные внутpи нее электpоды, обpазующие pазpядный пpомежуток, металлический деpжатель катодов, блок питания, выходы котоpого пpисоединены к электpодам pазpядного пpомежутка, источник постоянного напpяжения смещения потенциала катодов, положительный вывод котоpого пpисоединен с деpжателю, отличающееся тем, что, с целью повышения пpоизводительности устpойства и качества покpытий за счет увеличения pавномеpности окисления, блок питания выполнен в виде источника пеpеменного тока, электpоды установлены один напpотив дpугого с постоянным pасстоянием между ними, деpжатель катодов установлен в...

Номер патента: 1478891

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Озур, Проскуровский, Янкелевич

МПК: H01J 1/30, H01J 9/02

Метки: микросекундных, пучков, сильноточных, формирования, электронных

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОСЕКУНДНЫХ СИЛЬНОТОЧНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПУЧКОВ в электронной пушке путем включения искровых источников анодной плазмы и подачи ускоряющего напряжения на катод, отличающийся тем, что, с целью улучшения однородности пучка по сечению, электронную пушку помещают во внешнее сопровождающее магнитное поле и непосредственно перед подачей ускоряющего напряжения на катод подают импульс напряжения положительной полярности длительностью t = (10-8 - 10-6) с амплитудой не менее 100 В, обеспечивающей плотность электронного тока на катод j ( А / см2) согласно соотношению j = ( 1 - 5)

Номер патента: 638169

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Григоришин, Дубровенская

МПК: H01J 9/02

Метки: вакуумная, интегральная, схема

1. ВАКУУМНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА по авт. св. N 529687, отличающаяся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, на подложке с катодно-подогревательными элементами, напротив консольных навесов по краям сквозных щелей, выполнены дополнительные пленочные щелевые сетки.2. Схема по п.1, отличающаяся тем, что на подложке с анодносеточными элементами под анодами выполнены дополнительные пленочные сетки.

Номер патента: 529687

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Григоришин, Дубровенская, Игнашев, Котова, Кравец, Сурмач

МПК: H01J 9/02

Метки: вакуумная, интегральная, схема

ВАКУУМНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая две диэлектрические подложки, на которых выполнены анодно-сеточные и катодноподогревательные узлы активных элементов и пассивные элементы, отличающаяся тем, что, с целью расширения топологических возможностей построения вакуумных интегральных схем и повышения степени их интеграции, по крайней мере, на одной из подложек внутри углублений имеются консольные навесы, на которых, в местах расположения активных элементов, выполнены пленочные щелевые сетки, а аноды активных элементов и пассивные элементы размещены в одной плоскости на дне углублений.

Номер патента: 1131379

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Воробьев, Григоришин, Котова, Шкунов

МПК: H01J 9/02

Метки: подложки, структур, управляющих, электродных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ УПРАВЛЯЮЩИХ ЭЛЕКТРОДНЫХ СТРУКТУР, включающий получение углублений и отверстий в них путем анодирования алюминиевой пластины на заданную толщину, фотолитографии и травления через маски металла и оксида и удаление непрореагированного алюминия, отличающийся тем, что, с целью повышения качества подложки, в анодированном алюминии вначале формируют углубления, затем анодируют алюминий со стороны углубления и в нем формируют отверстие со стороны непрореагировавшего алюминия.

Номер патента: 470226

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Григоришин, Игнашев, Котова, Кравец, Шохина

МПК: H01J 9/02

Метки: вакуумных, микроприборов, структуры, электродной

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ВАКУУМНЫХ МИКРОПРИБОРОВ, включающий операции электрохимического анодирования, защиты отдельных участков подложки, ее травления и формирования на ней электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности геометрии структур, алюминиевую подложку подвергают "мягкому" первичному анодированию, линии контуров и места углублений многоэлектродной структуры защищают фоторезистом, проводят дальнейшее анодирование алюминия на требуемую глубину, затем снимают фоторезист, стравливают первичный слой "мягкого" анодирования, вытравливают на необходимую глубину алюминий в местах будущих углублений и контуров и проводят окончательное анодирование.

Номер патента: 529772

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Больбасов, Григоришин, Кухновец, Морозов

МПК: H01J 9/02

Метки: прибора, системы, электровакуумного, электродов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОДОВ ДЛЯ ЭЛЕКТРОВАКУУМНОГО ПРИБОРА, включающий операции нанесения защитной пленки, анодирования, травления алюминия, нанесения проводящих покрытий, отличающийся тем, что, с целью получения системы гальванически развязанных электродов с отверстиями и варьирования междуэлектродными расстояниями, защитную пленку наносят одновременно с обеих сторон пластины, анодируют обе стороны пластины на глубину, обеспечивающую электродные расстояния и толщину электрода, и вытравливают оставшийся алюминий в местах отверстий.

Номер патента: 580767

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Григоришин, Котова, Кухновец

МПК: H01J 9/02

Метки: диэлектрических, отверстиями, углублениях

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ В УГЛУБЛЕНИЯХ, содержащий операции предварительного покрытия алюминиевой пластины мягким слоем анодной окиси алюминия, нанесения в местах будущих углублений слоя фоторезиста, анодирования в слаборастворяющем анодную окись алюминия электролите, удаления фоторезиста, повторного анодирования и вытравливания оставшегося алюминия, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности изготовления отверстий и их расположения, после операции покрытия пластины мягким слоем анодной окиси алюминия всю пластину, за исключением мест будущих отверстий, покрывают фоторезистом, в незащищенных местах получают твердый слой окиси алюминия анодированием в электролите, не растворяющем анодную окись...

Номер патента: 1708093

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Зильберман, Калашникова, Киселев, Панов, Попов

МПК: H01J 9/02

Метки: автоэлектронного, катода, прибора, электровакуумного

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АВТОЭЛЕКТРОННОГО КАТОДА ЭЛЕКТРОВАКУУМНОГО ПРИБОРА, содержащего систему эмиттеров на металлическом основании, покрытом слоем соединений щелочноземельных металлов, включающий термическое активирование до 1400 К и высоковольтную импульсную тренировку до установления стабильной величины тока, отличающийся тем, что, с целью повышения эмиссионной способности катода и его долговечности, амплитуду импульсов напряжение выбирают достаточной для пробоя межэлектродного промежутка, но с напряженностью электрического поля у поверхности автоэмиттеров не более 1 106 В/см при энергии пробоя в импульсе 0,02 0,03 Дж.

Номер патента: 532299

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Жилкина, Игнашев, Шохина

МПК: H01J 9/02

Метки: алюминия, анодной, окиси

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДЕТАЛЕЙ ИЗ АНОДНОЙ ОКИСИ АЛЮМИНИЯ путем придания алюминиевой заготовке требуемой формы, электрохимического окисления заготовки и избирательного вытравливания неокисленного алюминия, отличающийся тем, что, с целью обеспечения прозрачности деталей и их формоустойчивости, после избирательного вытравливания детали из анодной окиси алюминия нагревают в окислительной атмосфере, например на воздухе, до 700 - 900oС между эквидистантными поверхностями.

Номер патента: 647984

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Игнашев, Сидоренко

МПК: H01J 9/02

Метки: диэлектрических

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ преимущественно для вакуумных интегральных схем, включающий селективное электрохимическое оксидирование алюминиевой заготовки, химическое травление неокисленных участков, нагревание в окислительной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью улучшения диэлектрических свойств деталей за счет уменьшения их пористости, после нагревания в окислительной атмосфере диэлектрические детали обрабатывают жидким тетраэтоксисиланом, нагревают до 750 - 800oС и выдерживают 10 - 15 мин, после чего упомянутые операции повторяют многократно.

Номер патента: 1115503

Опубликовано: 27.03.1996

Автор: Игнашев

МПК: C25D 11/02, H01J 9/02

Метки: алюминиевых, анодирования, пластин

1. Способ анодирования алюминиевых пластин, включающий электрохимическое окисление алюминиевых пластин в электролите при проведении процесса в импульсном режиме, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества оксидной пленки, процесс проводят, сообщая пластинам непрерывное движение с выходом из электролита при частоте периодов 20 - 100 в минуту.2. Устройство для анодирования алюминиевых пластин, содержащее ванну с системой циркуляции электролита, катод, пластинодержатель и источник постоянного тока, отличающееся тем, что, с целью улучшения качества оксидной пленки, оно снабжено приводом вращения пластинодержателя, выполненным в виде ступицы со спицами, по торцам которых выполнены прорези для крепления пластин, ось ступицы...

Номер патента: 407406

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Александров, Больбасов, Григоришин, Игнашев, Калугин, Кузьмичев, Шохина

МПК: H01J 21/10, H01J 9/02

Метки: прибора, структуры, электровакуумного, электродной

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ЭЛЕКТРОВАКУУМНОГО ПРИБОРА, содержащий операции полировки алюминиевой заготовки, формирования на ней электродов с выводами и электрохимического анодирования алюминиевой заготовки, отличающийся тем, что, с целью изготовления многоэлектродной структуры, перед операцией полировки на поверхности алюминиевой заготовки выполняют микрорельеф для размещения электродов и контур многоэлектродной структуры, а формирование электродов с выводами выполняют после операции электрохимического анодирования вакуумным напылением.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью упрощениия технологии изготовления электродной структуры, микрорельеф выполняют многопуансонным инструментом, совершающим...

Номер патента: 524440

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Григоришин, Дубровенская, Игнашев, Котова, Кравец, Сурмач

МПК: H01J 9/02

Метки: диэлектрических, подложек

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК из алюминиевых пластин для вакуумных интегральных схем, включающий операции нанесения защитной пленки, электрохимического анодирования пластины, локального травления алюминия в местах углублений, отличающийся тем, что, с целью получения консольных навесов в углублениях подложки и обеспечения возможности регулирования местоположения консолей по высоте внутри углублений, пластину вначале анодируют в местах консольных навесов, затем покрывают эти места защитной пленкой и анодируют остальную часть пластины до тех пор, пока не будет достигнуто требуемое возвышение уровня поверхности окиси алюминия над уровнем навесов.

Номер патента: 1452388

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Дудорова, Меркушов, Шлифер

МПК: H01J 9/02

Метки: анодного, блока, магнетрона, обращенно-коаксиального

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АНОДНОГО БЛОКА ОБРАЩЕННО-КОАКСИАЛЬНОГО МАГНЕТРОНА, включающий изготовление медной заготовки анода в виде цилиндра с кольцевым выступом и двух заготовок накладок в виде втулок из тугоплавкого металла, жесткое соединение заготовок и механическую обработку соединения заготовок, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и ресурса, заготовку анода выполняют длиной на 10-15% больше длины анодного блока с внутренней цилиндрической полостью, соосной с выступом, а заготовки накладок выполняют в виде шайб с внутренним диаметром, равным наружному диаметру цилиндра заготовки анода, причем в каждой шайбе с одного торца выполняют цилиндрическую выточку с диаметром, равным диаметру кольцевого выступа, и глубиной, на 0,04...

Номер патента: 1802633

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Веревкин, Герцен, Жариков, Котюргин

МПК: H01J 9/02

Метки: молибденовых, мощных, поверхностей, приборов, рабочих, электровакуумных, электродов

Способ обработки рабочих поверхностей молибденовых электродов мощных электровакуумных приборов, включающий формирование электродов и электрохимикомеханическую полировку рабочих поверхностей электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения электрической прочности электродов, после электрохимикомеханической полировки проводят проплавление поверхностного слоя рабочей поверхности электрода на глубину 0,15 - 0,8 мкм лазерным пучком до образования мелкокристаллической или квазиаморфной структуры поверхностного слоя.

Номер патента: 1493054

Опубликовано: 27.11.2004

Авторы: Горбатов, Зуев

МПК: H01J 9/02

Метки: катодно-сеточного, узла

Способ изготовления катодно-сеточного узла электровакуумного прибора, включающий изготовление катодного узла, катод которого выполнен с периодически профилированной боковой поверхностью, сборку катодного узла с сеткой, юстировку и фиксацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных, юстировку осуществляют вращением катодного узла вокруг его оси на угол не менее 360° и одновременно измеряют электрическую емкость системы катодный узел-сетка, определяют угловое положение катодного узла относительно сетки, при котором емкость системы минимальна, устанавливают катодный узел в это положение и поворачивают его на угол, равный -180°/n-180°/n, где n - количество...

Номер патента: 1461294

Опубликовано: 10.11.2009

Авторы: Галкин, Епанчинцев, Кириченко, Косинов, Русин, Чередниченко

МПК: H01J 9/02

Метки: катодов, полых, тантала

Способ изготовления полых катодов из тантала, преимущественно для плазменных нагревательных устройств, включающий формирование полости в заготовке и ее механическую обработку, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности тока за счет повышения теплопроводности катодов в радиальном направлении, в полость катода в вакууме вводят нагревательный элемент, разогревают катод до температуры, превышающей температуру рекристаллизации тантала, и выдерживают в течение времени t, c, выбранного из условия t = K· ,где K = 3,6·105 - размерный коэффициент, с/м;