H01J 9/02 — изготовление электродов или электродных систем

Номер патента: 728181

Опубликовано: 15.04.1980

Автор: Хузмиев

МПК: H01J 9/02

Метки: газоразрядных, приборов, формовки, электродов

...844 Корректор М, Де Подписноетета СССР Редактор Е. ГончарЗаказ 47(59 ЦНИИПпо113035, М филиал ППП И Государственного комиделам изобретений и открытийосква, Ж - 35, Раушская наб д. 4/5Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4"период не менее, чем двумя импульсами "- " -напряжения, совпадающими с полярностьюформующего напряжения.Сущность способа заключается в следующем.При совпадении полярностей в каждыйполупериод формующего напряжения и инициирующих импульсов зажигание дугового разряда существенно облегчается, так как ", :,развитие дуги происходит на базе сформи "-рованного импульсным разрядом катодного ;" - .пятна на отрицательном в данный моментэлектроде. Образуется стянутый дуговой канал с большой плотностью тока, что способствует...

Номер патента: 733862

Опубликовано: 15.05.1980

Авторы: Аршинов, Боравская, Вошедченко, Григорьева, Гугунишвили, Иванова, Лаповок, Морохов, Фролов, Чижик

МПК: B22F 3/11, H01J 9/02

Метки: металлических, пористых

...возможно тоньше (до размера частиц 1 мкм именьше). Полученную смесь прокатывают в ленту и подвергают термообработоке: нагревают заготовку до 250 С, приэтой температуре ее выдерживают втечение 1 ч. Затем для полноты удаления влаги температуру доводят до 350 Си затем заготовку охлаждают. Температура разложения аэотнокислой соли, например, никеля 110 С, дляарантированной полноты прохождения процессарабочая температура вэята приблизительно 250 С.Приме р 1, Берут 90 вес.ч,никелевого порошка со средним размеромчастиц 2-3 мкм и 10 вес.ч. нитрата никеля М (ИО), 6 НО, предварительноизмельченного в шаровой мельнице в те 10 чение 1 ч и просеянного через сито0,05 мм. Смесь тщательно перемешиваю в шаровой мельнице в течение 30...

Номер патента: 744776

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Баландин, Кравченко, Румянцев

МПК: H01J 9/02

Метки: приборов, прожектора, электронного, электроннолучевых

...1 изображена схема электроискровой обработки обновляемым непрофилированным электродом проволокой черновых отверстий в диафрагмах собранного 15электронного прожектора; на фиг. 2 - схема удаления материала электродом-проволокой при его круговом периодически расширяющемся движении.Сущность способа состоит в следующем, Перед сборкой электронного прожектора ра .1 в диафрагмах 2, 3, 4 изготавливают черновое отверстие с припуском под чистовую обработку одним из известных методов сверлением, пробивкой, электроискровой прошивкой, лучем лазера и др.744776 Формула изобретения Составитель Е. Граф яда Техред К. Шуфрич Тираж 844 ЦНИИПИ Государственного коми по делам изобретений и о 113035, Москва, Ж - 35, Раушская ли ад ППП Патент, г. Ужгород, л...

Номер патента: 744777

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Бегляков, Грин, Садыкова

МПК: H01J 9/02

Метки: круглых, оправка, плоских, сеток

...экранами 2 имеют возможность радиального перемещения от реечной передачи 4.Оправка работает следущим образом, При намотке проволоки 5 на корпус 1 кольцевые экраны 2 утоплены в тело оправки. Намотка проволоки производится на поверхность оправки. Оправку выполняют в форме многогранника, приближенной к цилиндрической, После намотки проволоки 5 кольцевые экраны 2 с помоШью реечной передачи 4 подводятся до соприкосновения с проволокой 5 и производится гальваническое закрепление ее с кольцевыми экранами 2. После снятия кольцевых экранов 2 с закрепленной на них проволокой 5 с оправки можно использовать данную оправку для следующей намотки проволоки. В результате получается плоская круглая сетка, представляющая собой кольцевой экран с...

Номер патента: 765906

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Дьяконова, Милешкина

МПК: H01J 1/30, H01J 9/02

Метки: автофотокатода

...число генерационно-рекомбинационных центров поверхности, ответственных за 1 . Операция охлаждениятакже является универсальной дляуменьшения генерационно-рекомбинационной способности поверхности,которая пропорциональнаер(- ф, .где Ц - энергия активации процес 15са.Адсорбция кислорода, универсального акцептора, умзньщая плотностьповерхностных состояний полупроводника пэ, также недет к уменьшению20 1, Перечисленные причины позволяютсчитать очистку поверхности автокатода, ее охлаждение и адсорбциюкислорода на ней универсальными операциями, ведущими к повышению Фотод 5 и термочувстнительности антофотокатода.Оптимальной температурой охлаждения является температура жидкогоазота ( 1 10 ): меньшее охлаждениеменее эффективно н соответствиисо...

Номер патента: 785904

Опубликовано: 07.12.1980

Авторы: Григорьева, Лаповок, Морохов, Томашпольский, Фролов, Чижик

МПК: H01J 9/02

Метки: разнородных, соединения

...образец, удлиняясь или укорачиваясь в поперечном к намагничиванию направлении. За счет такого магнитострикционного эффекта происходит проталкивание припоя через капилляры пористой среды, т, е. увеличивается скорость пропитки, а также достигается более качественное заполнение капилляров, возможно заполнение даже тупиковых капилляров.В результате импульсного сжатия и растяжения пористой среды, синхронно изменению электромагнитного поля, особенно в высокопористых средах, имеющих малый модуль упругости, происходит разрушение твердыми микрочастицами окислов и загряз- та иеннй на соединяемых деталях. Интегрально это позволяет эначйтельно улучшить физико-механические свойства полученного соединения. При определении оптимума технологи-,ла...

Номер патента: 805443

Опубликовано: 15.02.1981

Авторы: Вайнштейн, Волчкевич, Иванов, Казаков, Кахановский, Кистенев, Левков, Немцов, Саакян, Сезонов

МПК: H01J 9/02

...в зоне б, который не захватывает нарукных элементов электродной системы.Давление в этой зоне показано на фиг.З, кривой 9. Из чертежа видно, что если отсутствует осевой поток 3 газа, то в центральной части прибора образуется эона пониженного давления, и если туда поместить электродную систему, то инородные частицы будут собираться в центре нее. Такии образомчтобы вывести эти частицы из центральной зоны, там надо создать зону повышенного давления, что показано .на фиг.З кривой 10, ко- бО торая характеризует распределение давления внутри объема без газового потока, вводимого по спирали. Исходя из анализа кривой 10 видно, что при отсутствии вихревого потока вокруг 65 электродной системы, выноса загрязнений также не произойдет, так...

Номер патента: 828261

Опубликовано: 07.05.1981

Авторы: Дранова, Ксенофонтов, Кулько, Лазарев, Лазарева, Михайловский

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: автоэмиттерас, локализованной, острийного, эмиссией

...в электрическом поле и термообработку в кислородсодержащей среде, последняя содержит кислород в количестве от50 до 100% числа атомов циркония в сплаве, причем термообработку в кислородосодержащей среде проводят перед электролитическим травлением,При термообработке тугоплавких металлов, легированных цирконием, в кислороделибо углекислом газе в сплавах образуются мелкодисперсные частицы ХгО, характеризующиеся повышенной эмиссионной способностью. Из данных о распределенииэмиссионного контраста на поверхностиострийного эмиттера в автономном режимеследует, что большинство частиц ХгО имеоет размер г = 5 - 10 А.оДля острий радиусом Я 10 А уголэмиссии составляет а = 360= 1,2 Япри этом с увеличением радиуса кривизнывершины эмиттера угол...

Номер патента: 855783

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Гуриева, Семенюк, Симакин, Хузмиев

МПК: H01J 9/02

Метки: газоразрядных, источников, мощных, света

...ножки, представлякщей собой часть колбы лампы, опущен отрезок кварцевой трубки б, защищающий внутреннюю поверхность трубчатой части ножки от напыления электродов. В ножки введены также вспомогательные электроды 7, например, из вольфрама с присадкой тория, которые имеют держатель 8, соединяю."щий их с металлическими дисками 9, имеющими отверстия для свободного прохода газа при откачке и наполнении. Через диски пропущены выводы 10, предназйаченные для подсоединения вспомогательных электродов к токовводам .камеры. Диаметр диска 9 больше диаметра трубчатой части ножки 4,поэтому при вертикальном положении ножки 4 электрод 7, введенный в нее, не требует дополнительного крепления и образует заданное межэлектродное расстояние до электрода ножки....

Номер патента: 858139

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Власов, Гуськов, Морозов

МПК: H01J 9/02

Метки: приборов, электровакуумных, электродов

...пластины 2 вы.полняют из материала, на котором покрытие 3 имеет слабую ддгезию, вследствие чего при разборке пакета электроды 5 отделяют от пластины без повреждения покрытия. Получают электроды, имеющие слой покрытия заданной ширины, равной толщине электродов, и, таким образом, исключают необходимость дополнительной обработки их боковых поверхностей.Скрытным путем было установлено, что высота, на которую промежуточные пластины выступают из пакета при его сборке; ив должна превышать 4-х толшин электрода, а толщина получаемого покрытия должна быть не более толщины электрода. При превышении этих величин происходит срастание покрытия у противоположных торцов выступающих пластин при не 9достаточной толщине покрытия на поверхности...

Номер патента: 858140

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Кайшева, Кожушко, Литвин, Ройз

МПК: H01J 9/02

Метки: газоразрядных, горелок, ламп

...ниобиевую ленту; 2-я партия - контрольная.Обе партии были испытаны на напряжение зажигания. Результаты испытанийприведены в таблице. где5 110-145 140-185 Согласно масс-спектроскопическим анализам процентное содержание вредных остаточных газов (Н, 0, СО, СО ) уменьшается в среднем на 40% за счет частичного распыления газопоглощающего материала перемычки при операции пере жигания последней.П р и м е р 2, Были изготовлены 3 партии горелок для ламп ЙРЛ 400 по 10 штук в каждой со следующими характеристиками конструкций. 0(12 В; 7 (15 А; 5 4 08 ф, 20пергде Б пер - площадь сечения перемычки;бф - площадь сечения фольги;- сила электрического тока,пропускаемого по перемычке;25д - напряжение источника питания для пережигания перемычки;р - мощность...

Номер патента: 879671

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Алексеев, Беклемишев

МПК: H01J 9/02

Метки: электроконтактной

...токосъемный, например графитовый электрод 8.Устройство работает следующим образом.Система игольчатых электродов 5 й электрод 8 посредством привода (на чертежах не показан) перемещаются относительно предметного стола 1 и закрепленного на ней иэделия 2 фс напыленным слоем 3, Ток источника, протекающий по напыленному слою между токосъемным и игольчатыми электродами, имеет наивысшую плотность вблизи острия игольчатых электродов, Когда плотность тока достигает заданной величины, происходит тепловая эрозия напыленного слоя точно под острием игольчатого электрода. Величина плотности тока, необходимая для конкретной детали, рассчитывается заранее и поддерживается посредством автоматически регудируемого Источника питания. Наличие токосъемного...

Номер патента: 951467

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Гришин, Ежовский, Петров, Соколов

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: автокатодов

...1834 25 120 ПрототипЭтанолПрототипЭтанол 620 Этанол 80 1 1 О1 580 174 470 2113 Бензол 150 10 1 2197 1 110 33 Прототип 84 1752 230 Толуол Этанол 1 цикл 2 цикл 3 цикл 150 10 ф 1685 4 751762 4 75 1790 4 , 16 190 120 талла таким образом, что образуется соответствующий альдегид и металл.Реакция взаимодействия спирта с окисленной поверхностью имеет сильную температурную зависимость. Снижение температуры ниже 150 С приводит к резкому снижению скорости стабилизации и степени конверсии. Использование температур больших Д 50 С приводит к уменьшению адсорбции спирта на поверхности обрабатываемого автокатода.При давлении паров спирта ниже 10 Па поверхность катода освобождается не полностью от окисла, а увеличение давления выше 10 Па приводит к...

Номер патента: 966782

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Капралов, Нешпор, Романова, Ткаченко, Хатапова

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: автокатода, многоострийного

...рост нитевидных кристаллов такжепрекращается,Выбор диапазона температур определяется скоростью протекания процесса и качеством получаемых нитевидных кисталлов, притемпературе ниже 1200 С процесс становитсяневоспроизводимым и протекает очень медленно, при температуре выше 1500 С драк-,96678 40 а тически прекращается рост кристаллов и ухудшается их качество (структура кристаллов становится несовершенной, а распределение на подножке нерегулярно и с недостаточной плотностью). 5Использование в газовой смеси водорода (вместо аргона) препятствует развитию в газовой смеси объемных процессов, приводящих к выделекию сажистых частиц в процессе роста нитевидных кристаллов, и образованию кристаллов нерегулярной формы, а следовательно, улучшает...

Номер патента: 997128

Опубликовано: 15.02.1983

Автор: Дранова

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: автоэлектронных, катодов

...исследова ния материала приповерхностных облас. тей катода, в результате облучения атомно-чистой и сглаженной поверхности катода ионами инертного газа ( чапример, гелия ). ОДавление инертного газа не должно превышать значения 810торр,выше которого в межэлектродном промежутке развивается разряд, разрушающий катод, С понижением давления инертного газа ниже 510 з торр становитсясущественной ионная компонента остаточных газов в потоке бомбардирующих катод ионов, что приводит к снижению стабильности эмиссии обработанно-го облучением катода.При облучении атомно-сглаженных поверхностей автоэлектронных катодов до различных доз экспериментально обнаружено, что стабильность эмиссии эффективно повьыается пои облучении до дозы...

Номер патента: 1001225

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Жуков, Иоффе, Паутов, Полежаев

МПК: H01J 1/30, H01J 9/02

Метки: автокатода, многоострийного

...острияс координатой п -- 1./2 п, Затем впроиссе электроискровой обработкизаготовку 1 перемещают в направлении 35АА , которое составляет с осью симметрни ВВ" изготавливаемого острияугол о, равный необходимому полууглу конуса при вершине острия. Расстоянке, на которое передвигают 40заготовку относительно проволочногоинструмента 2, составляет и = 2/2 п,Затем заготовку 1 возвращают в исходное положение, проволочный инструмент подводят к точке с координатой и = 2/2 п являющейся вершиной2.второго изготавливаемого острия,после чего опять в процессе электроискровой обработки заготовку переме 1щают в направлении, параллельном ААЗатем процесс повторяют.После этих операций проволочныйинструмент снова подводят к вершинепервого острия и и в...

Номер патента: 1027787

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Ткаченко, Хатапова

МПК: H01J 9/02

Метки: автокатодов, волокон, углеродных

...изобретения - увеличение аксиальной яркости автокатода.Поставленная цель достигается согласно способу изготовления авто11 катодов из углеродных волокон, включающему нанесение на волокно оболочки из тугоплавкого металла, закрепление заготовки на вольфрамовой дужке-держателе, последовательное электрохимическое травление оболочки и углеродного волокна путем циклическогопогружения в электролит при контроле формы получаемого острия под микроскопом и термическую обработку рабочей поверхности полученного острия,при котором вершину острия дополнительно электрополируют в мениске электролита до шероховатости не более 10его радиуса кривизны.Высота непокрытой тугоплавкий металлом конусной части углеродногоострия составляет 40-50 мкм.Способ...

Номер патента: 1035674

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Ивашкив, Копыстянский, Крых, Пигрух, Цыганенко

МПК: H01J 9/02

Метки: системы, электронно-оптическая, электронно-оптической

...арматуре и последовательное элект 40 роискровое прошивание отверстий в диафрагмах по мере увеличения диаметров отверстий при центровке инструмента по отверстиям большего диаметра, производят сборку первой груп пы диафрагм,с увеличивающимися рабочими диаметрами отверстий, после их последовательного прошивания устанавливают вторую группу диафрагм с отверстиями меньших рабочих диаметров 50 по отношению к предыдущим и повторяют операцию прошивания, начиная с первой из второй группы диафрагм.При этом целесообразно ЭОС, содержащую первую группу диафрагм с уве- . личивающимися по ходу пучка диамет" рами отверстий и вторую группу диафрагм с отверстиями меньших диаметров по отнбшению к предь 1 дущим диафрагмам, снабдить технологическими...

Номер патента: 1046795

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Демская, Новиков, Олейник, Ткаченко, Хатапова

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: катода, крепления, острийного

...надежногоконтакта держателя с катодом из непри-мриваемых материалов.Известен способ крепления острийного,катода из гексаборида лаптева к токопроводяшему держателю механическимпутем, когда предварительно заостренныйблок зажимают, например, между полосками из чистого углерода 1 .Недостатками данного;способа являются, ненадежность контакта между катодоми держателем при высокотемпературномнагреве, а также сложность конструкциизакрепляющих элементов катодного узла,Наиболее близким кпредлагаемомуявляется способ крепления острийных катодов к металлическому держателю спомощью термостойкого связующего материала Г 2 3Известный способ крепления производится с помощью термостойкого материала на основе углеродистого стекла, обеспечимя достаточную...

Номер патента: 1051611

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Демичев, Мачулка, Репников, Соболева, Фенин, Цыба, Чужко

МПК: H01J 1/30, H01J 9/02

Метки: газового, изготовления"(варианты, катод, лазера, отпаянного

...устойчивость в газовой среде и т,д.) и егомеханической прочности как конструктивного элемента лазера.Как установлено экспериментально,требуемые эксплуатационные свойствакатода обеспечиваются составом монокарбида МеСО,4 цч, поэтому составвнешних Карбидных слоев не долженвыходить из указанных пределов,Необходимую механическую прочность 1 Окатода обеспечивает внутренний слойготовой структуры из монокарбида тантала или ниобия соответствующего состава в пределах МеС О д. о з 8 припервом варианте способа его изготовления или из полукарбида тантала илиниобия МеСд (при составе внешних1слоев МеСО 8 д), имеющего большуювязкость, чем монокарбиды, при втором варианте способа его изготовления.Соотношения толщин слоев от1:1:1 до 1:0,5:1 в...

Номер патента: 1056303

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Агабабян, Кроль, Мина

МПК: H01J 1/05, H01J 1/30, H01J 3/02 ...

Метки: поляризованных, пучков, электронов

...состоянии на среднем расстоянии от поверхности, равном0(5)Дпя удержания частиц на поверхности неровности аопжиы быть по крайней , мере на порядок меньше этой величины, Для жидкого гелияи электронов типичные значения указанных величин сне аующве;6 = 1,0572, Е -" 1,05 10 зрг, с Е) = И 4 А .Условие (4) выполняется при Т 1 К, .поэтому цри температуре 0.,5 К почти все электроны локализованы вблизи,.пав 25 , верхности гелия на расстоянии л 100 . При этом неоднородность поверхнястижидкого гелияне превышает 1 А. Частицы остаются наа поверхностью жидкости и при более высокой температуре, аЗО вх плотность значительно возрастает, если перпендикулярно к поверхности припожить статическое прижвмающее ноле Е, которое может быть создано...

Номер патента: 1075325

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Зильберман, Роднов

МПК: H01J 9/02

Метки: катодно-сеточного, лампы, узла, электронной

...выхода годных.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления катодно-сеточного узла, включающему центровку сеточных заготовок и катодной маски относительно продольной оси, их соединение в узел, прорезание пазов и нанесение антиэмиттера, 075325 50 55 5 10 15 20 25 Зо З 5 40 45 после прорезания пазов в катодно-сеточном узле прорезают радиальное отверстие, разбирают катодно-сеточный узел, наносят антиэмиттер на катодную маску и сетки, проводят повторную сборку узла с использованием радиального фиксатора взаимного расположения сеток и катодной маски.Способ изготовления катодно-сеточного узла опробывают на цилиндрическом варианте конструкции. На катодно-сеточную ножку устанавливают держатель катода из сплава 29 НК...

Номер патента: 1075326

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Жуков, Паутов, Полежаев

МПК: H01J 9/02

Метки: автоэлектронного, катода, острийного, поверхности, формирования, эмиттирующей

...ээмиссионного тока и уменьшение угловой расходимости электронного пучка. Для достижения указанной цели согласно способу формирования эмиттирующей, поверхности автоэлектронного острийного, катода, включающем операцию погружения закрепленной на держателе заготовки в каплю электролита, размещенную на электроде, и подачу на заготовку рабочего напряжения, заготовку погружают в каплю электролита снизу так, чтрбы верхний мениск капли оставался целосным.На чертеже показана схема устройства для реализации способа при различных стадиях.Заготовка 1 (стадия а) закреплена на держателе 2. На электроде 3 расположена капля 4 электролита с менисками 5 и 6. К электроду 3 и заготовке 1 (при помощи дужки-держателя 2) от источника 7 подается рабочее...

Номер патента: 1112430

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Рыбалко, Савкин, Суворинов, Тихонов

МПК: H01J 9/02

Метки: оптической, системы, электронно, электростатической

...электростатическойЭОС, включающий нанесение на несущиедиэлектрические пластины резиста,облучение резиста электронным пучком,последующее травление и сборку 121. 20По известному способу возможнодостижение более высокой точностиизготовления за счет размещения напластинах нескольких электродов, однако при сборке ЭОС остаются погрешности взаимного положения электродов.Целью изобретения является повышение точности изготовления ЭОС.Указанная цель достигается тем,что согласно способу изготовленияэлектростатической электронно-оптической системы, включающему нанесениена несущие диэлектрические пластинырезиста, облучение резиста электронным пучком, последующее травление исборку, облучение и травление осуществляют,после сборки пластин,При этом...

Номер патента: 1129667

Опубликовано: 15.12.1984

Авторы: Блохин, Васильев, Мартынов, Сатаров, Черняев

МПК: H01J 9/02

Метки: источника, многоострийного, электронов

...1 изображены диэлектри/ческая подложка, металлическая пленка с остриями и установленная на диэлектрическом слое металлическая фольга; на фиг, 2 - анод, подогреватель и образующиеся отверстия в металлической фольге.На диэлектрическую подложку 1 (фиг. 1) осаждают металлическую пленку 2 .и эмиссионный материал, на. пример гексаборид лантана, толщиной около 4 мкм, из которого с помощью фотолитографии формируют острия 3, по периметру подложки осаждают диэлектрический слой 4 толщиной, превышающей высоту острий, на который кладут и закрепляют металлическую фольгу 5 толщиной 10-15 мкм.Полученную структуру, служащую катодом в диоде, совместно с анодом б (фиг, 2) помещают в вакуумную камеру, в которой создают вакуум не хуже 1 10 мм рт.ст., и...

Номер патента: 1150678

Опубликовано: 15.04.1985

Авторы: Овсянников, Степанов

МПК: H01J 1/304, H01J 29/04, H01J 9/02 ...

Метки: вакуумных, катодов, люминесцентных, многоострийных, экранов

...травления, напыления в вакууме, направленного выращивания кристаллов и т. д.При изготовлении экспериментального образца прибора катодные пластины крепились к диэлектрической матрице. К ним в отверстиях диэлектрической матрицы приваривались отрезки вольфрамовой проволоки. Собранные катодные узлы погружались в раствор полистирола таким образом, что основания отрезков вольфрамовой проволоки до необходимой высоты защищались пленкой полистирола. Затем электрохимическим травлением получали острия на необходимой глубине в отверстиях матрицы. После удаления защитного слоя полистирола осуществлялась сборка экрана. Собранная система электродов с диэлектрическими матрицами помещалась между обкладочными пластинами и боковые зазоры между ними...

Номер патента: 1164806

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Дранова, Михайловский

МПК: H01J 9/02

Метки: автоэмиссионных, катодов, эмиссии

...путем удаления дефектного слоя кли залечивания образовавшихся в приповерхностном слое дефектов, Облучение катода до дозы вышей101 ион/см приводит к необратимому росту пор в объеме материала, слиянию их в блистеры и взрыву блистеров. Как в случае массивных материалов, критическая доза облучения,автоэмиттера слабо зависит от энергии ионов и еще слабее от материаламишени к его температуры. При этом: режим эксплуатации катода определяет лишь общую дозу облучения за время работы катода, В случае катодов со специаЛьной структурой, не допускающей термической обработки, возмож. ным способом регенерации катода по достижении критической дозы облучения его ионами инертного газа является удаление дефектного поверхностного слоя испарением в...

Номер патента: 797440

Опубликовано: 23.03.1986

Авторы: Бобков, Зайцев, Суворов

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: микроострий

...недостаточно высокаякривизна поверхности (В=500 А) и отсутствие.возможности заданным образом реглйровать величину кривизныповерхности.Из известных способов изготовления микробстрий из металлическойпроволоки наиболее близким к предлагаемому является способ травленияв трехслойной ванне, включающийэлектрохимическое травление среднейчасти проволочной заготовки в тонком.слое электролита и автоматическоепрекращение травления при обрыве обР азующейся "шейки". Способ предусматривает травление проволочной заготовки в трехслойной ванне, в которой между нижним жидким контактом и верхним слоем электролита размещена жидкая непроводящая прослойка. Напряжение прикладывается междужидкйм контактом и электролитом. 7 4Проволочная заготовка 1, укрепленная...

Номер патента: 1265886

Опубликовано: 23.10.1986

Авторы: Абрамян, Григорьян, Маданян, Радько, Тумасян

МПК: H01J 9/02

Метки: аквадага, источников, металлов, света, тугоплавких

...калия из 0,3-103-ного раствора в воде или органических растворителях, после чего проводят термическую обработку в среде водорода при 700-1000 С. В дальнейшем, для устранения натяжения в деталях иэ ту гоплавких металлов, закрепления их формы, а также удаления с поверхности окисной пленки проводится отжиг при 1300-1500 .С.Так, например, нанесение на поверхность навитых яа молибденовые керны биспиралей ламп типа Б 230-240-40 и Б 230-240-60 перманганата калия иэ 5 Х-ного раствора в воде и проведение дальнейшей термической обработки при 900+40 С в среде водорода позволило1провести полную очистку поверхности молибдена и вольфрама от графита и повысить выход годной продукции на 103 по сравнению с текущей продукцией за счет устранения...

Номер патента: 1115619

Опубликовано: 28.02.1987

Авторы: Баранова, Дроздецкая, Кан, Кульварская, Тимофеев

МПК: H01J 1/144, H01J 1/304, H01J 9/02 ...

Метки: варианты, его, катода, материал, холодного

...сплава никель-алюмосиликат цезия (рубидия) с одновременной активацией катода.Предложенный материал может быть получен в виде сплава до монтажа катода в прибор. Для этого смесь порош ков никеля и алюмосиликата цезия или рубидия прессуют и спекают при температуре 1000- 1500 К в течение 10-50 мин. В табл. 2 приведены оптимальные режимы прессования и спекания для смесей с различным содержанием компонентов, обеспечивающие получение сплавов, близких по пластическим свойствам к свойствам чистого никеля. Температуру спекания и время выдержки для данного состава сплаваможно варьировать, придерживаясьследующей закономерности: при уменьшении температуры спекания следуетувеличить время выдержки, а при увеличении температуры спекания - уменьшить...