Способ изготовления электродной структуры для вакуумных микроприборов

Номер патента: 580767

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Григоришин, Котова, Кухновец

МПК: H01J 9/02

Метки: диэлектрических, отверстиями, углублениях

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ В УГЛУБЛЕНИЯХ, содержащий операции предварительного покрытия алюминиевой пластины мягким слоем анодной окиси алюминия, нанесения в местах будущих углублений слоя фоторезиста, анодирования в слаборастворяющем анодную окись алюминия электролите, удаления фоторезиста, повторного анодирования и вытравливания оставшегося алюминия, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности изготовления отверстий и их расположения, после операции покрытия пластины мягким слоем анодной окиси алюминия всю пластину, за исключением мест будущих отверстий, покрывают фоторезистом, в незащищенных местах получают твердый слой окиси алюминия анодированием в электролите, не растворяющем анодную окись...

Номер патента: 524440

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Григоришин, Дубровенская, Игнашев, Котова, Кравец, Сурмач

МПК: H01J 9/02

Метки: диэлектрических, подложек

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК из алюминиевых пластин для вакуумных интегральных схем, включающий операции нанесения защитной пленки, электрохимического анодирования пластины, локального травления алюминия в местах углублений, отличающийся тем, что, с целью получения консольных навесов в углублениях подложки и обеспечения возможности регулирования местоположения консолей по высоте внутри углублений, пластину вначале анодируют в местах консольных навесов, затем покрывают эти места защитной пленкой и анодируют остальную часть пластины до тех пор, пока не будет достигнуто требуемое возвышение уровня поверхности окиси алюминия над уровнем навесов.

Номер патента: 1131379

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Воробьев, Григоришин, Котова, Шкунов

МПК: H01J 9/02

Метки: подложки, структур, управляющих, электродных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ УПРАВЛЯЮЩИХ ЭЛЕКТРОДНЫХ СТРУКТУР, включающий получение углублений и отверстий в них путем анодирования алюминиевой пластины на заданную толщину, фотолитографии и травления через маски металла и оксида и удаление непрореагированного алюминия, отличающийся тем, что, с целью повышения качества подложки, в анодированном алюминии вначале формируют углубления, затем анодируют алюминий со стороны углубления и в нем формируют отверстие со стороны непрореагировавшего алюминия.

Номер патента: 1614742

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Игнашев, Сидоренко

МПК: H05K 3/36

Метки: алюминия, многослойных, печатных, плат, подложках

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ НА ПОДЛОЖКАХ ИЗ АЛЮМИНИЯ, включающий механическую и химическую обработку подложки, нанесение на обе стороны подложки масок из фоторезиста с рисунком схемы проводников на поверхности и в объеме подложки, двустороннее анодирование подложки, удаление маски с рисунком схемы проводников в объеме подложки, повторное двустороннее анодирование, отличающийся тем, что, с целью повышения качества плат за счет уменьшения рельефа поверхности подложек, первое двустороннее анодирование проводят на глубину "а", равную 0,25 толщины проводников в объеме подложки, после чего удаляют оксидный слой, а повторное анодирование выполняют на глубинуh =

Номер патента: 1294213

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий формирование на полупроводниковой подложке активных областей, пассивацию подложки слоем диэлектрика, вскрытие контактных окон, нанесение слоя алюминия вакуумно-термическим напылением, формирование маскирующего покрытия, фотогравировку разводки, окисление торцовых поверхностей разводки и удаление маскирующего покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности структур и упрощения способа, после нанесения слоя алюминия проводят его поверхностное окисление до образования пленки окиси алюминия толщиной от 2,5 10-8 до 4 ...