Патенты с меткой «накачкой»

Номер патента: 297321

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Житников, Кулешов

МПК: G01V 3/40

Метки: генерирующий, квантовый, ларморовской, магнитометр, накачкой, оптической, само, частоте

...вариациям магнитного поля, невелико и является недостаточным для ряда применений,Цель предлагаемого изобретения - полу чение в магнитных полях не ниже земноголинейной зависимости между магнитным полем и частотой сигнала, исключение температурной зависимости показаний, снигкение инерционности магнитометра и уменьшение 5 ориентационной зависимости.Предлагаемое изобретение поясняется чертежом.Магнитометр содержит генератор 1 длявозбуждения разряда в гелиевой лампе и в 20 камере поглощения, гелиевую лампу 2 со сферическим отражателем 3, поляроид 4 и пластинку 5 для получения света круговой поляризации, камеру б поглощения, линзу 7, фотоприемник 8, широкополосный усилитель .9 25 с заданной фазовой характеристикой, радиочастотную катушку 10 и...

Номер патента: 181737

Опубликовано: 15.04.1975

Авторы: Алферов, Казаринов

МПК: H01S 5/042

Метки: лазер, накачкой, полупроводниковый, электрической

...р -- и структур при построении рабочего тела полупроводникового лазера. Однако такие устройства не обеспечивают непрерывный режим работы при повышенных температурах.Предлагаемый полупроводниковый лазер с электрической накачкой выполнен в виде монокристальной структуры р -- и (р+ - п - и+, и+ - р - р+) и ширина запрещенной зоны в крайних (р, р+), (пп+) слоях (эмиттерах) больше ширины в среднем (, р, и) слое. Такое выполнение лазера позволило увеличить излучательную поверхность и использовать новые материалы в различных областях спектра.В качестве эмиттеров полупроводниковых материалов используются такие, ширина запретной зоны которых превышает ширину зоны в основном материале, что повышает к. п. д. устройства.Структуры р+ - п - и+...

Номер патента: 511543

Опубликовано: 25.04.1976

Авторы: Клюшкин, Тоисев, Фомин

МПК: G01N 27/78

Метки: введения, магнитного, накачкой, оптической, поля, радиоспектроскопах, систему, спиновую

...излучения используют световое излучение от сверхтонкой компоненты Г =резонансной пампы, Магнитный резонанс в системе ориентации атомов во избежание оптического уширения его линии осуществляют циркулярнс поляризованным .магнитным радиочастотным полем на Жемаковских подуровнях, отвечаюших1 + 3 сверхтонкому состоянию атома, где 1 - спин ядра,- полый момент количества движения. Сущность увеличения интенсивности нерезоцацсцого луча света, а следовательно, и поля гэ, за счет пропускания его через оптический резонатор основана ца известном факте, заключающемся в том, что любая резонансная система с добротностью Я и периодом собственных колебаний Т = 1 , находящаяся под воздейстовием внешней периодической силы с частс- той , в момент...

Номер патента: 446012

Опубликовано: 05.12.1976

Автор: Якобсон

МПК: G01V 3/14

Метки: квантовый, магнитометр, накачкой, оптической

...фиг. 2 показано взаимное временное распределение воздействия на рабочеевещество света накачки и резонансногорадиополя: О - интенсивность света накачки: ц - импульсы радиополя,Свет источников накачки 1, запитанного от генератора 2 возбуждения источника света, с помощью оптической системы 3, создающей циркулярную поляризацию, направляется на резонансную ячейку4 с рабочим веществом и создает разность населенностей уровней магнитнойструктуры,Резонансная ячейка расположена в системе возбуждения 5 радиополя, запитанной через формирователь 6 импульсов радиопоня переменным напряжением от перестраиваемого генератора 7, частота которого соответствует частоте рабочего перехода. Вспомогательный генератор 8 импульсов соединен с формирователем 9...

Номер патента: 438345

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Александров, Мамырин, Якобсон

МПК: G01V 3/14

Метки: квантовый, магнитометр, накачкой, оптической

...структуры основного состояния и 5,ные электронные состояния, Свет спектральной лампы направлен на резонанснуюячейку, содержащую пары рабочего вещества, а прошедший через ячейку свет контролируется фотоприемником,Излучение спектральной лампы источника накачки неполяризовано и все магнитиые состояния тп уровня У= 2 в парахрабочего вещества в резонансной ячейкеоказываются в результате действия светанакачки равномерно опустошенными в пользу состояния У =1, Одновременно изменение населенности. любого из состояний тл Р,7 =2 приводит к изменению прозрачностиячейки для света накачки и регистрируется фотоприемником, Оба эти процесса независят от взаимной ориентации вектораизмеряемого постоянного магнитного поляи направления распространения...

Номер патента: 557713

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Быстрицкий, Диденко, Ременев, Усов

МПК: H01S 3/09

Метки: внешним, газовый, лазер, накачкой, пучком, электронным

...звнешним алектронным пучком 1, Однаков таких лазерах возбуждается лишь малаячасть объема оптического резонатора, таккак алектронный пучок с прямолинейнойтраекторией,ионизирует гаэ лишь в объеме 1 впучка и в непосредственной близости отнего.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является газовыйлазер с накачкой внешним алектронным 15пучком, содержащий средство для рассеивания электронов по объему рабочей камерьт, например экраны-рассеиватели 2,тто сопровождается, однако, значительными потерями энергии в рассеивателях 20(10 50% от аиергии электронного пучка)и соответственно уменьшением энергопередачи от пучка к рабочей газочой среде.Йель изобретения - увеличение возбуждаемого объема рабочей камеры,е инжектирования пучка...

Номер патента: 813344

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Клюшкин, Тиль, Фролов

МПК: G01R 33/09

Метки: магнитометр, накачкой, оптической

...резонансного света в направлении оптической оси прибора, Проходя череэ циркулярный поляризатор б, свет приобретает циркулярную поляризацию и, попадая (под углом 45 к направлению измеряемого поля) на резонансный сосуд 8 поглощающей ячейки, осуществляет в ьем нэляри; зацию атомных спинов. Макроскопй%ески это проявляется в изменении,оптической плоскости атомного пара и, как следствие, приводит к некоторому определенному уровню засветки фотоприемника 11При этом поскольку диамагнитное покрытие внутренних стенок имеется не только в области резонансного сосуда 8, но с необходимостью присутствует и в капилляре 9 на протяжении всей его длины, тоФормула изобретения поляризованные в резонансном сосуде8 атомы через механизм тепловогодвижения...

Номер патента: 719444

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Бугаев, Кудряшова, Шлитерис

МПК: H01S 3/22

Метки: активное, веществе, излучением, лазера, накачкой, субмиллиметровоголазера

...излучением СО-лазера,вкл чающий источник накачки и резонатор заполненный газообразным активным веществом (2, При заполнении резонатора парами 1,1-дифторэтилена, ви нилцианида и метиламина получена ге нерация на 18 линиях в интервале . длин волн 148-990 мкм. На чертеже представлена схема ре15 лизации изобретения, где изображеныгаэоразряднаятрубка 1 с внутреннимзеркалом СО -лазера, дифракционнаярешетка 2, поворотное зеркало .3, фой кусирующее зеркало 4, субмиллиметрор вый резонатор 5, входнос окошко 6,выходное Окошко 7, излучение 8 нас качки., субмиллиметровое излучение 9 ю- лазера.СБМ лазер работает следующим об 25 разом.Выходное излучение СО-лазера, идщее в нулевом порядке дифракционнойрешет 2, попадает на поворотноезерк 3, а затем...

Номер патента: 719446

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Бугаев, Шлитерс

МПК: H01S 3/22

Метки: активное, веществе, излучением, лазе-pa, лазера, накачкой, субмиллиметрового

...линиями субмиллйметровоголазерногоизлучекйя.Эта йель достигаются йрименением1,3-дйоксана а качестве активного вещества субмиллиметрового лазерас накачкой излучением СО-лазера.на чертеже представлена схема реализации иЗобретения, где изображены газообразная трубка 1 с внутренним зеркалом СО-лазера, дифракционная решетка 2, поворотное зеркало 3, фокусирующее зеркало 4, субмиллиметровый резонатор 5, входное окошко б, выходное окошко 7, излучение 8 накачки, субмиллиметровое излучение 9 лазера.СБМ лазер работает следующим образом.Выходное излучение СО 2 -лазера, идущее в нулевом:порядке диффракционной решетки 2, попадает на поворотное зеркало 3, а затем с помощью зеркала 4 фокусируется на входное отверстие СБМ резонатооа 5./ Ваа В рВ аю....

Номер патента: 904053

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Михаил, Оник

МПК: H01S 3/09

Метки: лазер, накачкой, солнечной, энергией

...фокусы зеркалсовпадают, а конический отражательрасполагается между фокусом и вход- .ным зеркалом, Причем возможно расположение конического отражателя с активнымэлементом на оптической осиза входным зеркалом с центральнымотверстием,На чертеже изображено предлагаемое устройство.3 9040Устройство оптической накачки ла"1зеров солнечной энергией включаетвогнутое входное зеркало 1, формирующее вогнутое зеркало 2 с ребрами3 охлаждения, конический рефлектор4 с камерой 5 охлаждения, кварцевуютрубку 6 и рабочую среду 7, На чертеже показаны главная оптическаяось в системе зеркал, а также их общий фокус. 10Уст рой ст во работ ает следующим образом,Солнечный свет отражается от вогнутого входного зеркала 1 в направлении формирующего вогнутого зеркала...

Номер патента: 845722

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Быстрицкий, Петров

МПК: H01S 3/22

Метки: заряженных, лазер, накачкой, поперечной, пучком, частиц

...1 1 ( Т П ,"(с ц О, , П рГ.3 р Сц 0 ГО, С,53 Э.Е)ц 015, )5 . 5 д- )КУМ) Ц О)К с( )1 с ) С Ц Д П Р 0 1 И 13 0 Ч 01 О 1) Р(1 .) анодс 1с( днов.сп И.1 змсцц ь 1 Й сто 3 цц , СОЗ,3,сОп 1.Й ЦД ОС Ц,ЦО.3 СТ)СЮ Ла:5 СО ЦОЙ плазмы ц,отцосЬ)0 О" 10) ." , д цд- ЦРО ГЦ Б, 3)010 ТОР Цс Д ) 3). с ( С Гс( 10 . Ц п(1 зм с цццц Исто 1 ц к, с Оз,ОИц,1 кол,):с- ВТЮ СТр) О ПКс 1 сИ 3)оц 1 И(12,5)1 Ы И(0 в ЦОСТЬЮО 10СМС Бис Ц Ц ИМ ДЦ 1( 1 - РО ) БЦЫ )1 Лис)С(ТР (ЦО тс), И )3 ЦС"1 РС Ц- н ц А),С ц 2 .( ст Р 0 )1, Р и в Б) 21, ц 2 51 с т Р ( (1 т и ЛДЗСРЦО) Ц,(3;5 ь.1 1 ч с р 1 с ж с с х с ( ) Г 3ц 0 и з 0 р с) ж с ц прс,л 1)см ы л 2;5 ср.с).5( ) -Ос 1 Оцт цз цс0 и)кс 1 цм ц п(с ЦОГО ЦДЦР 5 ЖСЦЦЯ, 13 КС( Л 1 ЦОЦ 1(с)Л)СР)Л ), и 1(ОТОРОЙ Р ЦОГОЖСЦ,ХО КСЦ(3,1...

Номер патента: 897077

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Бугаев, Шлитерис

МПК: H01S 3/22

Метки: активное, вещество, излучением, лазера, накачкой, субмиллиметрового

...- пары этилового спирта-фсМИЛЛ ИМЕТР Ф 1 оъ,НИЕМ С 02-ЛАЗЕРА СзН,ОН, которые обеспечивают полгенерации на двух линиях с длинойвблизи 312 и 396 мкм 4.Недостаток СМБ с известным5 веществом - узкий частотныйлазерного излучения,Цель изобретения - расширениеного диапазона субмиллиметровогоного излучения,10 Цель достигается применением вве активного вещества субмиллиметлазера с накачкой излучением СО,паров дейтерированного этиловогоСНЗСНВОН (10),15 Дейтерированный этиловый спиртняют в качестве растворителя в аческой химии,В случае применения его по предному назначению при перестройке20 СО 2-лазера наблюдается генерациячения с тремя различными длинамзначения которых не совпадают сными (см. табл.).897077 Составитель М. ГрязновТехред А,...

Номер патента: 1208591

Опубликовано: 30.01.1986

Авторы: Авакьянц, Бужинский, Голгер, Гуренко, Климовский

МПК: H01S 3/093

Метки: излучением, лазер, накачкой, солнца

...- к твердотельным лазерам с оптической накачкойсолнечным излучением, и может бытьиспользовано в энергетических лазерных установках, в лазерной химии,металлургии и т.д,Цель изобретения - увеличениевыходной мощности, КПД и упрощениеконструкции лазера,На чертеже. изображен предлагаещйлазер.Лазер содержит гелиоконцентратор,состоящий из двух протяженных совпадающих по длине оптически сопряженных элементов: параболоцилиндрического зеркала 1 и параболоцилинд,рического фоклина 2 с зеркальнымистенками 3, заполненного прозрачнойсредой 4. Фоклин имеет входное окно5 и выходное окно 6, которое совпадает с входной щельй отражающей цилиндрической оболочки 7, внутри которой расположен активный элемент 8.Зеркало 1 и фоклин 2 расположенытак, что...

Номер патента: 847868

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Бугаев, Кудряшова, Шлитерис

МПК: H01S 3/22

Метки: излучением, лазер, лазера, накачкой, субмиллиметровый

...в качестве рабочего вещества газообразной двуокиси серыи перестройке СО -лазера по линиямК ветви полосы 9,6 мкм получено изз 0 лучение на 6 линиях (см. таблицу),длина волны которых не совпадает сизвестными переходами. Изобретение относится к областиквантовой электроники и может бытьиспользовано при разработке субмиллиметровых лазеров.Известны субмиллиметровые (СБМ)лазеры с накачкой излучением СО -ла 2эера, содержащие источник накачкии резонатор, заполненный газообразным рабочим веществом,В известных СБМ лазерах частотаизлучения на каждой из линий перестраивается в пределах узкого интервала, определяемого в основном столкновительным уширением линий в газенизкого давления. Суммарный диапазонперестройки всех известных линийсоставляет...

Номер патента: 876017

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Билак, Кузнецов, Куратьев, Пашков, Стельмах, Цветков, Шестаков

МПК: H01S 3/091

Метки: лазер, накачкой, светодиодами, твердотельный

...Использование жидкости .в качестве иммерсионной среды не позволяет использовать ее для крепления активного элемента. В этом случае не обходимо для этой цели использовать дополнительные узлы, что приводит к усложнению конструкций. Кроме того, из-за отсутствия теплоотвода от светодиодов, конструкция может работать только в режиме одиночных импульсов.Целью настоящего изобретения явля ется устранение указанных недостатков и увеличение как коэффициента полезного действия лазера, так исредней мощности лазерного излучения,Указанная цель достигается тем,что в известном твердотельном лазересо светодиодной накачкой, содержащемактивный элемент, линейные сборкисветодиодов, расположенные вдоль боковой поверхности активного...

Номер патента: 1351818

Опубликовано: 15.11.1987

Авторы: Воробьев, Жижикин, Малков

МПК: B60C 23/00

Метки: колеса, накачкой, шины

...Р.Система управления накачкой шины колеса работает следующим образом.Наконечник 9 надевается на вентиль 10 шины 1 колеса транспортного средства, нажимается ПР 20, выполняющий функцию "Пуск", с выхода 21 которого сигнал поступает на включающий вход 16 триггера 15 и запоминается. На выходе 18 триггера 15 образуется сигнал "Х,", поступающий в полость управления ПР 8, который, переключаясь, подает давление к наконечнику 9, происходит его зажим на вентиле 10 шины 1 колеса, Сигнал "Х" поступает также в полость 30 управления ПР 29, отключая тем самым импульсатор 33 от сети 4, который переключается, а также на вход РВ 22, которое определяет время зажима. После срабатывания РВ 22 на его выходе 24 появляется сигнал, который поступает через...

Номер патента: 1469528

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Авакьянц, Бужинский, Голгер, Климовский

МПК: H01S 3/09

Метки: излучением, лазер, накачкой, солнечным, твердотельный

...элемент 5, выполненный в . виде световодной спирали или цилиндрического набора световодов, распо ложенный по внутренней отражающей поверхности цилиндрической оболочки 6, соосной с зеркалами и коническим ,рефлектором, и. радиатор 7 охлаждения, соединенный с внешней поверхностью 30 отражающей оболочки.Устройство работает следующим образомБольшее вогнутое зеркало 1 фокусирует падающее на него солнечное излучение на меньшее. вогнутое зеркало 2. Благодаря софокусности и опти 1ческому сопряжению этих зеркал зеркало 2 формирует практически параллельный пучок лучей, падающий через 40 отверстие 3 в зеркале 1 на зеркальную поверхность конического рефлектора 4. Конический рефлектор 4 отражает падающий на него поток солнечного излучения на...

Номер патента: 1552142

Опубликовано: 23.03.1990

Авторы: Клюшкин, Фролов

МПК: G01R 33/26

Метки: магнитометр, накачкой, оптической

...Фотоприемник 8, который через блок 9 управления связан с радиочастотной катушкой 10.Магнитометр работает следующим образом.Высокочастотный генератор 3 возбуждает высокочастотный безэлектродный разряд в спектральной лампе 1, обеспечивая интенсивный поток резонансного света в направлении оптической оси.прибора. Проходя через светопровод 4 в циркулярный поляризатор 5, свет приобретает круговую поляризацию и попадая на поглощающую ячейку, осуществляет в ней поляризацию атомных спинов. Макроскопически это проявляется в изменении оптической плотности атомного пара и, как следствие, приводит к вполне определенному уровню засветки Фотоприемника 8. Если далее на радиочастотную катуШку 1 0 подается высокочастотное напряжение на частоте равной...

Номер патента: 1530040

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Петухов, Точицкий, Трушин, Чураков

МПК: H01S 3/22

Метки: генерации, лазере, мкм, накачкой, области, оптической

...см , длительность переднего фронта импульса лазерного излучения не превьппает 25 нс, при этом переход 3 00 . - 10 1 возбужден О них молекул СО цясьпщается и достио гяется инверсия на переходе (10 1 10 0 генерирующем излучение с длиной волны в области 4,3 мкм. В случае облучения воэбужденньж молекул СО 25 импульсом лазерного излучения в области 94 мкм полученным ня переходе 100 1 - 02 оОизотопозамещенной молекулы ГО , насыщается переход ОО 2 - 021 возбужденной молекулы СОо и достигается инверсия на переходе (02 1 - 10 О ) генерирующем излучение в области 4,3 мкм, В таблице приведены возможные варианты выбора иэотопозамещенцых молекул СО35 в кювете 1 и возбуждаемых молекул СО в камере 4, указаны совпадяюпие по частоте переходы, я также...

Номер патента: 1669024

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Голгер, Климовский

МПК: H01S 3/00

Метки: излучением, лазер, накачкой, световодный, солнечным

...собранных в выходной цилиндрической световодный жгут 11,Световодный лазер с накачкой солнечным излучением работает следующим образом.Параболоцилиндрическое зеркало 1 направляет(фиг,2) поток падающего на него солнечного излучения 12 на зеркальную поверхность сопряженного с ним второго параболоцилиндрического;еркала 2. Благодаря софокусности зеркали 2 зеркало 2 формирует практически параллельный (с точностью до углового размера Солнца ас = 0,5 ) пучок солнечных лучеи, направленный на входное окно фоклина 3. Фоклин 3 фокусирует падающее на его входное окно солнечное излучение 12 в полость его выходного окна - на входную щель 8 цилиндрической оболочки 5, проходя которую, солнечное излучение направляется на боковую поверхность активного...

Номер патента: 1447217

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Ежов, Ежова

МПК: H01S 3/0915

Метки: лазер, накачкой, солнечной

...чертеже изображен предлагаемьпЪлазер.Лазер образован большим парабалоццлицдрцческим зеркалом 1 счстемынакачки меньшим парабалопцлццдрическим зеркалом 2 системы накачки, дополнительным параболоцилиндрическимзеркалам 3 и активным элементом 4,состоящим из рабочего вещества 5,помещенным в трубку 6.Рабата устройства осуществляетсяследующцм образам,Излучение Солнца отражается отзеркала 1 и через фокусную линию,проекция которой на чертеже обозначена тачкой Г, надает на зеркало 2, Огражаясь от него световой поток стаиовцгся параллельным продольной осилазера ц равномерно освещает по всейдляте актцвттый элемент, Прц,этомчасть светового потока поглощаетсярабочим веществом 5, находящимся воткрытом резонаторе (на чертеже цепоказан), В...

Номер патента: 1691803

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Батяев, Бойко, Клюшкин, Фрейдзон, Шибаев

МПК: G01R 33/26

Метки: квантового, магнитометра, накачкой, оптической, светофильтр

...ГКНТ СССР ":13035, Москва, Ж, Раушскэя наб 4/5 ПрОизВОдственно издзт 8 льский колоннет Пэ цент, 1, ужгород. у. ЗГЭОинэ. 10прзвлению закрутки спирэли полимера, ПОПЭДЭЯ НЭ ГОГЛОЩЗЮЩУ 10 ЯЧВЙКУ, СВ 8 Т ОСУЩ 8" ствляет в ней псляризэцию атомных спЛнов.Если спектральная лэмпэ излучает свет нз двух длинах волн л 1 и л (как, .например, в случае атомов щелочных металлов), то эфф 6 кт получения кругоеОй поляриззвии для кэждой из дВух линий излучения достиГэется постановкой двух посгедовательно расположенных подложек с ЖКП светофильтра, причем шаг ПР спирали кэждого из них отвечает условию пР 1 = л,1 и л Р 2 .= л 2 . В этсм случае при прохождении света через подобную сборку вначале Обеспечивается пслучение циркулярной поляризации свата для...

Номер патента: 1263161

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Каменев, Кулешов

МПК: H01S 3/0943

Метки: лазер, накачкой, оптической, субмиллиметровый

...отражающимполуволновым фаэовым элементомирешетчатой структурой 2. При этомсубмиллиметровое излучение, запасенное в субмиллиметровом резонаторе,имеет ту же поляризацию, что и оптическое излучение, Поскольку имеетсяуголщ между азимутом отражающего полуволнового Фазового элемента 1 и ази" 20 9 1263. Изобр .тение относится к квантовымустройствам, предназначенным для генерированиясубмиллиметрового излучения, а именно к, газовым лазерам сисрольэованием в качестве источниканакачки лазера оптического диан зона, и может найти использование вэкспериментальной физике, например,в интерферометрах для диагностикиплазмы, в радиоспектроскопии, в ис Оследованиях субмиллиметровой и квазиоптической техники,Цель изобретения - уменьшение расходю...

Номер патента: 1588229

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Ежов, Ежова

МПК: H01S 3/093

Метки: лазер, накачкой, солнечной

...мощно" сти излучения. Форму л а и з о б р е т е н и я 1. Лазер с солнечной накачкой, содержащий систему накачки из двух сбфокусных разноапертурных зеркал, оптически связанных с активным элементом, размещенным в открытом резоцаторе вдоль продольной оси системы Составитель О,Степина Техред 11,Ди1(узнец орректор С Черн цакто к ж 286 Подписно комитета по паобретевпям и открытиям при ГК скпв, Ж, Раушская яаГ., д. 4/5тп 80 лствеинО палат.а с епв к)мбпнат 11 атевт ул. агарива, 101 Заказ 2815 ТВПИПИ 1 осула 1)ствспистг113 ОЗ" накачки о т л и ч я ю щ и й с ятем, что, с целью повышения .КПД лазера, в него введены два плоскихзеркала, торцы активного элементасрезаны под углом Брюстера о 6 к егопродольной оси, первое плоское зеркало...

Номер патента: 1597067

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Вихарев, Иванов, Степанов

МПК: H01S 3/097

Метки: газовый, накачкой, свч-излучением, уф-лазер

...УФ-лазер работает следующим образом,СВЧ-излучение накачки от генератора направляют на зеркало 1 вдоль его главной оптической оси, в плоскости симметрии, при этом зеркало 1 фокусирует СВЧ-излучение в ограничоенной области пространства вдоль ог(гической оси резонатора 3 и 4, По достижении СВЧ-мощностью порогового значения в активной среде 2 происходит зажигание протяженного СВЧ-разряда. выСоставитель В,ИваноТехред М.Моргентал Редактор Т,ГорячеваЗак Корректор М,Самборска аз 2829 Тираж ", ПодписноВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и откры113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 при ГКНТ С льский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 1 раизвоЛ;вео-л тянутого в направлении, перпендикулярном направлению...

Номер патента: 1143279

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Быстрицкий, Толмачева

МПК: H01S 3/09

Метки: ионным, лазер, накачкой, пучком

...прорезей в катоде. на внутренней поверхности катода по другую сторону от анода нанесены слои галогеносодержащего материала, а в аноде напротив прорезей в катоде выполнены сквозные прорези, закрытые металлической фольгой, толщина которой удовлетворяет условию о 101, где О - сечение перезарядки, а 1 О - атомная толщина фольги,Сущность изобретения поясняется чертеком, на котором показаны; генератор высоковольтных импульсов 1, к положительнолу высоковольтному полюсу которого присоединен анод 2, имеющий прорези 3, закрытые тонкими металлическими пленками, катод 4. выполненный в виде полувитка, охватывающего анод 2, В катоде 4 выполнены прорези 5, расположенные напротив прорези в аноде 2, а по другую сторону о вода на внутренней по...

Номер патента: 1774418

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Ежов, Ежова

МПК: H01S 3/09

Метки: лазер, накачкой, солнечной

...зеркала 1,2; возвратные отражатели 3,4 и активный 10 элемент 5, Цифрой 6 обозначена щель в зеркале 1, обращенная к продольной оси лазера, симметрично которой расположены все элементы лазера. Щель 6 равна ширине апертуры пучка, сформированного зерка лом 2. Отражающие грани возвратных отражателей повернуты относительно друг друга на 90 О, обращены друг к другу вогнутыми сторонами и перпендикулярны продольной оси лазера, Зеркала 1,2 софокусны 20 между собой. Одна из граней возвратного отражателя 3, щель 6 меньшее зеркало 2 расположены на одной оси, параллельной оси лазера. Вторая грань возвратного отражателя 3 и одна из граней возвратного от ражателя 4, обращенная вогнутой стороной к вогнутой стороне зеркала 2, расположены на одной...

Номер патента: 1034569

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Алешин, Андреев, Лаврушин, Матяш, Стрельченко, Уласюк, Шубина

МПК: H01S 5/32

Метки: лазер, накачкой, полупроводниковый, продольной, электронной

...волны возбуждаемого излуче1034569 С учетом выражения для дифракционных потерь д =0,207()(2) СоставительРедактор О,филиппова Техред М,Моргентал Корректор И,Муска Заказ 564 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина. 101 Хладопровод может быть выполнен в виде широкозонного слоя,Работа лазера с продольной накачкой электронным пучком осуществляется следующим образом,Электронный пучок падает на поверхность активного элемента со стороны узкозонного слоя и возбуждает активную область, размеры которой ограничены толщиной узкозонного слоя и диаметром электронного пучка,При...

Номер патента: 1800423

Опубликовано: 07.03.1993

Автор: Пестов

МПК: G01V 3/14

Метки: датчик, квантовый, накачкой, оптической, спиновой

...образом е канавки. После простановится параллельт тонкопленочный ризатор 3, затем А /41800423 40 45 50 55 фазовращатель 4 и приобретает циркулярную о или о поляризацию, Затем свет с циркулярной поляризацией попадает в цилиндрическую ячейку поглощения 5 с рабочим атомным газом (цезием 133) и ориентирует спины атомов в направлении магнитного поля Н.Входная грань ячейки поглощения 5 одновременно является А/4- фазовращателем, а выходная грань этой ячейки 5 выполнена в виде линзы 6 Френеля. Она фокусирует свет на фотодиод 7, диаметр светочувствительной площадки которого существенно меньше диаметра линзы 6 Френеля и по условиям геометрической оптики примерно равен диаметру световода 1, На фотодиоде 7 вырабатывается фототок 1=О+ + зп вт, На...

Номер патента: 1803951

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Ежов, Ежова

МПК: H01S 3/09

Метки: лазер, накачкой, солнечной

...виде симметричных усеченных крыш. Зеркало 3 оптически связано с первым скатом первого торца активного элемента 11, зеркало 4 установлено параллельно второмускату крыши первого торца активного элемента, зеркала 5, 6 установлены у второго его торца симметрично относительно его продольной оси и оптически связа.ы между собой и срезами этого торца. Все зеркала 3-6 размещены вне открытого резонатора,Лазер с солнечной накачкой работает следующим образом. Излучение Солнца формируется системой зеркал 1, 2, которое далее зеркалом 3 подается перпендикулярно на первый срез первого торца активного элемента 11. Это излучение по траектории 9 проходит через активный элемент и падает на зеркало 6, а затем на зеркало 5, отразившись от которого по...