H05B 33/08 — схемы, не предназначенные для какого-либо конкретного применения

Номер патента: 462321

Опубликовано: 28.02.1975

Авторы: Агеенков, Шишкин

МПК: H05B 33/08

Метки: индикаторов, многосегментных, питания, электролюминесцентных

...питающего напряжения. Такое выполнение устройства делает возможным питание всех сегментов индикатора от одного источника и позволяет исключить промежуточные преобразующие и сочленяющие элементы.На чертеже показана схема устройства.Устройство для питания многосекционного электролюминесцентного индикатора содержит тиристорный десятичный счетчик 1 с отделенными от нагрузки коммутирующими конденсаторами, диодный дешифратор 2, диодный блок 3 и полупроводниковый генератор 4 (200 в, 400 или 1000 гц). АНИЯ МНОГОСЕГМЕНТНЫХНТНЫХ ИНДИКАТОРОВ 2В исходном положении тиристор Т 2 счетчика находится в непроводящем состоянии. Секторы индикатора 5 заряжены до напряжения генератора через диоды Дз, Дз" блока 3, но, 5 так как ток через индикатор не проходит,...

Номер патента: 489273

Опубликовано: 25.10.1975

Автор: Лямичев

МПК: H05B 33/08

Метки: контраста, матричного, повышения, устройства, электролюминесцентного

...повышения контраста изображения маъри: ных индикаторов не используется.Целью изобретения является повышениеконтраста электролюминесцентного индикатора путем увеличения крутизны вольтяркостной характеристики электролюминволентного слоя при одновременном сохранении его полезной яркости.Предлагаемый способ основан нв явлении независимости яркости свечения алеЮр.лвминесцентного слоя на больших амлитулех возбуждающего напряжения отгр.н;я его на малых амплитудах с од.звременным повышением крутизны воЛЬъяркостной характеристики этого слоя.Это осуществляется путем предварительного возбуждения устройства при нвпряже,нии с частотой 10-50 кгц в течение, покрайней мере, 4 чвс.Изменение крутизны вольтяркостнойхарактеристики прк фиксированном...

Номер патента: 541297

Опубликовано: 30.12.1976

Авторы: Анненков, Гусев, Ощепков, Шкарин

МПК: H05B 33/08

Метки: электролюминесцентная, ячейка

...Изд.1903 Государственного комитета по делам изобретений 13035, Москва, Ж, РаушсТираж 102 овета Мини открытий я наб д,аказ 28931 Подписиов СССР ИПИ ипография, пр. Сапунова 7 транзистора заземлец, шина 8 управляющего сигнала подключена к базовому выводу транзистора 3, другой вывод ЭЛИ 1 подсоединен к шине 9 источника переменного возбуждающего напряжения.Работает ячейка следующим образом.В начальном состоянии при включении источников постоянного питающего и перемецного возбуждающего напряжений транзистор 3 закрыт и излучатель 5 оптроца 2 не светит. Фоторезистор 4 находится в темновом (высокоомном) состоянии, на нем падает практически все возбуждающее напряжение, и ЭЛИ не светится. При поступлении сигнала управления на базу транзистора 3...

Номер патента: 578672

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Грибковский, Паращук, Яблонский

МПК: H05B 33/08

Метки: излучением, стримеров

...к увеличению его проводимости(уменьшению сопротцвлси 11 я). Это вызывает снижение напряженности электрическогополя внутри кристалла, что, в свою очередь,приводит к уменьшению интенсивности свечения стрцмеров цлц и их полному гашению.Для изменения свечения отдельного стрцмера цлц участка кристалла луч света фокусируют сферической линзой в пятно диаметром 50 в 1 мкм ца поверхности кристалла и направляют на тот учасж кристалла, где проходит стример, Этим достигают локального изменения сопротивления образца и, как следствие этого, уменьшения длины разрядов или их интенсивности,Освещение кристалла импульсным светом 5 не сопровождается повреждением его поверхности, так как порог разрушения кристаллов больше мощности, необходимой...