G11C 11/22 — с использованием сегнетоэлектрических элементов

Номер патента: 886049

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Завадский, Заика, Корнейчук, Меженый, Самофалов, Тарасенко

МПК: G11C 11/22

Метки: запоминающее

...с входной шиной 3. Параллельно электроду 2 возбуждения и на расстояниях 1 Х от него нанесены выхощтые эжктроды 4, связанные с выхошыми шинами 5 (где=1, 2, 3, К), -длина волны механической деформации, распространяющейся в обьеме пластины 1; К- основание системы счисления). На противоположную сторону пластины 1 нанесен общий электрод 6, соединенный с шиной 7 нулевого потенциала. Поляризация сегнетоэлектрического материала между электродом 2 возбуждения. выходными электродами 4 и общим электродом 6 создается приложением эжктрического напряжения к этим электродам и в процессе эксплуатации не изменяется. Коли- чествовыходных шин 5 соответствует разрядности 1 хранимого в запоминающем устройстве числа, а цифра в каждом разряде определяется...

Номер патента: 983753

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Акопян, Ерофеев, Ушаков

МПК: G11C 11/22

Метки: запоминающее

...и величина остаточной поляризации под электродом 5 пластины 2 как при 10 записи, так и при считывании информации остается неизменным. Перед на.чалом записи на шину 9 подаетая сигнал, который отключает генератор 12 и подключает входы усилителей 10 че рез ключи 8 к шине нулевого потенциала для предохранения усилителей от воздействия импульсов записи. Запись "1" ("0") осуществляется подачей импульса записи положительной (отрицательной) полярности на выбранные шины 7. При считывании информации на шину 9 подается сигнал, отключающий входы усилителей 10 от шины нулевого потенциала и включающий генератор 12, с первого выхода которого напряжение возбуждения прямоугольной (или синусоидальнойформы с амплитудой, много меньшей амплитуды напряжения...

Номер патента: 1014034

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Божко, Верба, Кит, Кудренко, Мартынюк, Полковиченко, Самофалов, Шпак

МПК: G11C 11/22

Метки: информации, накопитель, сегнетоэлектрический

...соединенные между собОй по 10экранирующему электроду, на однуиз которых нанесен сплошной общий,электрод, а на другую нанесены разрядные электроды различной площади Г 21 15Недостатком этих устройств является неудовлетворительная надежность.Наиболее близким по техническойсущности к изобретению являетсянакопитель информации, содержащий 20две соединеннйе "между собой пластины, на одной из которых нанесен общий электрод, а на другой - разрядные электроды3.Недостатком известного устройства является неудовлетворительнаянадежность, обусловленная наличиемкак электрйческих, так и акустических связей между частями накопителейинформации.30Цель изобретения - повьыение надежности сегнетоэлектрического накофпителя информации.Поставленная цель...

Номер патента: 1024986

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Мартынюк, Пирогов, Рухлядев, Самофалов, Сапожников, Харламов, Шпак

МПК: G11C 11/22

Метки: информации, накопитель, сегнетоэлектрический

...электро-. ды и электродЫ возбуждения Я .Известна также ферроэлектрическая матрица памяти, в которой используется пластина из ферроэлектрика с нанесенными на ее противоположные стороны двумя парами электродов записи- считывания 21Недостатком этих матриц является 15 сложная конструкция.Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство, содержащее подложку, активный слой сегнетоэлектрика, системы управляющих шин,первые из которых размещены на поверхности активного слоя 3 .Недостатком известного устройства является неудовлетворительная надежность, обусловленная сложной системой шин для управления записью . и считыванием информации.Целью изобретения является повышение надежности сегнетоэлектрического накопителя...

Номер патента: 1030853

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Верба, Кудренко, Мартынюк, Полковниченко, Самофалов, Харламов, Христов, Шпак

МПК: G11C 11/22

Метки: информации, накопитель, сегнетоэлектрический

...сплошной общий электрод, а на другую - разрядные элек-, троды различной площади 1.3 ОНедостатаком данного устройства является низкая помехозащищенность,Наиболее близким по технической сущности к изобретению является накопитель, содержащий соединенные по 15 экранирующему электроду две пьезопластины, на которые сверху нанесены разрядные электроды, а снизу - сплошной общий электрод 23.Недостатком известного устройства 2 О является также низкая помехозащищенность, обусловленная сигналом помехи на невыбранных элементах, приводящим к частичной поляризации нли деполяризации невыбранвых Элементов и изменению амплитуды выходного сигнала в режиме считывания.Целью изобретения является увеличение помехозащишенности сегнетоэлек трического...

Номер патента: 1042083

Опубликовано: 15.09.1983

Авторы: Верба, Мартынюк, Самофалов, Христов, Шпак

МПК: G11C 11/22

Метки: запоминающее

...элемента И объединены и являются адресным входом устройства, второй вход элемента И является управляющим входом устройства, а выход соединен со вторыми входами основных и дополнительных формирователей записи и входом формирователя считывания.При отсутствии сигнала выборкиадреса на входе 13 блоки 10 работаюткак повторители, и на входы формиро"вателей 8 поступает с числовых входов12 прямой код записываемого числа,который одновременно поступает и навходы формирователей 9. Кроме того,при отсутствии сигнала выборки адресалогическое состояние выхода элементаИ 11 такое, что оно разрешает черезвходы формирователей 8 и 9 установление потенциалов (низких и высоких)на выходах Формирователей 8 и 9 всоответствии с прямым кодом числана входах этих...

Номер патента: 1043745

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Мартынюк, Палей, Пирогов, Рухлядев, Самофалов, Сапожников, Шпак

МПК: G11C 11/22

Метки: информации, накопитель, сегнетоэлектрический

...также Ферроэлектрическая О матрица памяти, в которой используется пластина из Ферроэлектрика с нанесенными на ее противоположные стороны двумя парами электродов записи-считывания 23. 15Недостатками этих матриц является акустическая связь между соседними элементами, сложные конструкция и технология изготовления.Наиболее близкой по технической 2 О сущностик изобретению является сегнетопьезокерамическая матрица запоминающих элементов с неразрушающим чтением, содержащая активную пьезопластину, взаимно перпендикуляр-.25 ,ные числовые и разрядные шины, расположенные.с двух сторон активной пьезопластины Г 33Недостатком известной матрицы является низкая надежность иэ-за акустических помех, обусловленных монояитной конструкцией запоминающей...

Номер патента: 1057987

Опубликовано: 30.11.1983

Автор: Никандров

МПК: G11C 11/22

Метки: памяти, сегнетоэлектрический, элемент

...изменяется в соответствии с заданным кодом информации, и служитдля хранения информации. Эта пластинаимеет толщину 60 мкм 11,.Недостатком устройства являетсянеудовлетворительное энергопотребление, обусловленное высокими напряже ниями для записи информации,Наиболее близким по техническойсущности к предлагаемому является. элемент памяти, содержащий две сегнетокерамические пластины, толщиной100 мкм соединенные по общему электроду 2;30Однако известное устройство характеризуется также высоким энергопот-.реблением. в связи с тем, что напряжение записи равно 150 В,Цель изобретения - снижение 35энергопотребления сегнетоэлектрического элемента памятиПоставленная цель достигается тем,;ато в сегнетоэлектрический элементпамяти, содержащий две...

Номер патента: 1133620

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Булатова, Донцова, Тихомирова, Шувалов

МПК: G11C 11/22

Метки: памяти, сегнетоэлектрических, элементов

...сегнетоэлектрического материала. 15Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ изготовления сегнетоэлектрических элементов памяти, включающий разделение кристалла на плоско параллельные пластины, нанесение на эти пластины токопроводящих полос в виде ортогональных строк и столбцов и членение пластин с нанесенными электродами на подобные 25 части 2 .Недостатком известного способа является низкое качество изготовления, не учитывающее анизотропию характеристик переключения, что приводит к разбросу параметров элементов,Цель изобретения - повышение ка" чества изготовления сегнетоэлектрических элементов памяти.Поставленная цель достигается тем,35 что согласно способу изготовления сегнетоэлектрических элементов...

Номер патента: 1180977

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Данцигер, Кит, Клевцов, Панич, Рухлядев, Самофалов, Сапожников, Фесенко, Христов, Шпак

МПК: G11C 11/22

Метки: записи, информации, памяти, сегнетоэлектрическом, считывания, элементе

...упрощениеспособа записи и считывания информации всегнетозлектрическом элементе памяти.Величина изменения емкости у современныхсегнетоэлектрических конденсаторов в поляризованном и деполяризованном состоянияхдиэлектрика достигает 50 - 80%. ОНа практике способ реализуется тем, что кпаре, состоящей иэ сегнетоэлектрнческогоэлемента памяти, который находются в поля.ризованном или деполяризованном состояниипоследовательно соединенного с ним элемента 15с постоянными электрическими параметрами,например конденсатора,прикладывают корот.кий импульс напряжения считывания,гНапряжение считывания делится на этихэлементах в зависимости от их электрическихпараметров. По величине напряжения, снимаемого с лю. бого элемента пары и зависящего от емкэс-...

Номер патента: 1187218

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Кит, Рухлядев, Самофалов, Сапожников, Христов, Шпак

МПК: G11C 11/22

Метки: запоминающее, сегнетоэлектрическое

...изобретения - повышение 40 надежности сегнетоэлектрического запоминающего устройства путем уменьшения акустических помех.Поставленная цель достигается тем, что в сегнетоэлектрическое 45 запоминающее устройство, содержащее диэлектрическую подложку, сегнетоэлектрическую пластину, пары электродов записи-считывания, компланарно нанесенных на обе стороны сегнето электрической пластины, и две группы шин управления, причем шины управления первой группы нанесены на одну сторону сегнетоэлектрической пластины и соответствующие электроды записи считывания, введен диэлектрический слой с отверстиями, нанесенный на другую сторону сегнетоэлектрической пластины, шины управления второй группы нанесены на диэлектрический слойи соединены с...

Номер патента: 1283853

Опубликовано: 15.01.1987

Авторы: Белов, Костин, Овечкин, Прохоров, Сегалла

МПК: G11C 11/22

Метки: информации, накопитель, сегнетоэлектрический

...Конструкция с боков залита демпфирующим компаундом 10. Пластина 1 выполнена из сегнетокерамики цирконататитаната свинца-лантана.Накопитель работает следующим об-разом.Подачей импульса напряжения записи на выбранные электроды 2 и 3 накопителя осуществляют поляризацию35сегнетоэлектрика на участке ортогонального перекрытия электродов. Заинформационную единицу принимают одно из двух возможных направлений поляризации, а за информационный ноль -противоположное направление поляризации. Для изменения направленияполяризации следует изменить полярность импульса напряжения записи.Считывание информации осуществляют известным способом (как и в,известном устройстве) - подачей импульсов напряжения полувыборки меньщего коэрцитивного напряжения на...

Номер патента: 1309084

Опубликовано: 07.05.1987

Авторы: Ерофеев, Соловьев, Трещун

МПК: G11C 11/22

Метки: биморфном, информации, матричном, накопителе, сегнетоэлектрическом, считывания

...ЗнмокосовЗаказ 1438/44 Тираж 590 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 45Производственно.полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исг 1 ользовано при изготовлении и эксплуатации запоминающих устройств.Цель изобретения - повышение эффективности считывания информации в матричном биморфном сегнетоэлектрическом накопителе информации.Сущность способа заключается в том, что возбуждение в выбранном элементе памяти ультразвуковых колебаний осуществляют подачей на электроды выбранного элемента памяти импульсного электрического напряжения, а индикацию ультразвуковых колебаний в выбранном...

Номер патента: 1348907

Опубликовано: 30.10.1987

Авторы: Костин, Напольских, Овечкин, Петрова, Прохоров

МПК: G11C 11/22

Метки: информации, накопитель, сегнетоэлектрический

...сегнетоэлектрической пластины.Так как электроды записи-считывания могут быть выполнены типовымиприемами фотопечати, то их выполнение проще, чем выполнение электродовзаписи-считывания известного устройства,Изобретение может быть распространено и на случай матричной конструкции накопителя при исполнении электродов нулевого потенциала в виде полосообразных резистивных слоев проводящего материала на гибкой двусторонней печатной плате с переходными отверстиями для монтажа проволочных электродов возбуждения каждой строки. В устройство входит одна демпфирующая прокладка, а электрод нулевого потенциала, размещенный контактно с одной из проводящих пластин, выполняет дополнительную функцию экранирующего элемента совместно с корпусом,...

Номер патента: 1522287

Опубликовано: 15.11.1989

Авторы: Ерофеев, Трещун

МПК: G11C 11/22

Метки: биморфного, информации, накопителя, пьезокерамического, считывания

...сигналы, совпадающие по фазе (при записи "1") или сдвинутые по Фазе на 180 (при запи хси 0 ). Фазовый признак селекции сохраняется и при отрицательном значении остаточной поляризации пластин 3. Выходные сигналы накопителей 1, появляющиеся на сплошных электродахб(фиг. 2, где Б ы обозначает, что сигнал Формирователя импульсов считывания 12 подан на информационный электрод 5 накопителя 1, где записа,. бна 1 , П , , обозначает , чт о сигнал формирователя 1 2 подан на электр од 5 накопителя 1, где записан г0 (поступают на входы усилителей считывания 10 на выходах которых формируются импульсы логических уровм /1неи (фиг. 2, где 0 , - выходнойсигнал 1 , а П- выходной сигналалых,о0 поступающих на информационные входы регистра 7, куда...

Номер патента: 1536441

Опубликовано: 15.01.1990

Авторы: Акопян, Базаев, Григорьян

МПК: G11C 11/22

Метки: запоминающее

...областей 2 и З.,Формирователь 21 по переднему фронту сигнала Бсч формирует короткий импульс установки "0 суммирующих счетчиков 15 (Фиг. 1 и 2 г,д), а на выходе Формирователя 20 с задержкой на время 1, необходимое для установки "И" счетчиков, формируется импульс. напряжения считывания с длительностью с (фиг, 2 г,д,е). При поступлении сигналов возбуждения на электрод 5 входной пластины 2 вследствие прямого и обратного пьезоэффектов, а также вследствие свойства Накопителя изменять параметры выходного сигнала в зависимости от напряжений векторов и степени остаточных поляризаций подэлектродных областей пластин 2 и 3 на электродах 6 формируются пьезопреобразованные выхоцные сигналы 11 (с) = 1: (И;)П(С) (гце 1 (М, ) - коэффициент...

Номер патента: 1552230

Опубликовано: 23.03.1990

Авторы: Летучев, Попов, Шур

МПК: G11C 11/22

Метки: границы, доменной, информации, носителе, сегнетоэлектрическом, смещения

...времени зародышеобразования,и скважностью менее 0,1, что позволяет увеличить действующие напряжения и тем самым повысить скоростьсмещения границы между двумя областями с различным направлением поляризации на два - три порядка без образования новых доменов.,электрического поля температуры и конструкции носителя, Непроросшие зародыши успевают самопроизвольно исчезнуть за некоторое время, Таким образом, если к пластине сегнетоэлектрика прикладывают последовательность импульсов электрического напряжения длительностью, меньшей вреьмени эародышеобраэования, и скважностью, меньшей 0,1, то перемещение доменной границы осуществляется эа счет бокового движения существующихдоменных стенок без возникновения новых доменов, способных исказить...

Номер патента: 1557587

Опубликовано: 15.04.1990

Авторы: Груверман, Коровина, Шур

МПК: G11C 11/22

Метки: дефектов, информации, носителя, обнаружения, сегнетоэлектрического

Номер патента: 1619343

Опубликовано: 07.01.1991

Автор: Акопян

МПК: G11C 11/22

Метки: запоминающее

...формирует разрешающий уровень йа втором выходе, прямой выход триггера ФД 24, соединенном с вторым входом элемента 14, если электрод 6 считываемого сигнала имее отрицательное значение вектора 20 остаточной поляризации. В противном случае состояние триггера фазы ФД 24 не изменяется и разрешающий уровень формируется на первом выходе ФД 24 (инверсный выход триггера фазы ФД 24) 25 После фазо-временной селекции одновременно с уровнями Бпьезопреобразованных сигцдлон считывания с АД 10, поступающие ца первые входы СС 11, на вторые выходы СС 11 с ГЛИН 12, по сигналу с формирователя 22, подается линейно-изменяющееся опорное напряжение Б С этого момента начинается формированиевременного интервала, В схеме 11 сравнения уровни Б, (1) с АД 10...

Номер патента: 1240237

Опубликовано: 27.07.2007

Авторы: Гук, Коленников, Малаховский, Паперно, Пилипович

МПК: G11C 11/22

Метки: запоминающий, транспарант

Запоминающий транспарант, содержащий сегнетоэлектрическую керамическую пластину, общий электрод, изолирующие параллельные слои, нанесенные на поверхность сегнетоэлектрической керамической пластины, адресные электроды, нанесенные на изолирующие слои, отличающийся тем, что, с целью увеличения контрастности изображения транспаранта, в него введены дополнительные изолирующие слои, нанесенные изолированно один от другого на поверхность сегнетоэлектрической пластины в направлении, перпендикулярном направлению изолирующих слоев, а общий электрод нанесен на дополнительные изолирующие слои и поверхность сегнетоэлектрической пластины.