Способ считывания информации в матричном биморфном сегнетоэлектрическом накопителе информации
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(19 1)4 сз 1 С 12 ПИСАНИ ЗОБРЕТЕН ЕЛЬСТВУ К АВТОРСК,х) И ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ 39 8419/24-2426.06.8507.05.87. Бюл.7Ленинградский политехническим. М. И. КалининаА. А. Ерофеев, А. В. СоловьевА. Трещун81.327.6 (088.8)Авторское свидетельство СССР197, кл. 6 1 С 11/22, 1978.торское свидетельство СССР753, кл. 6 1 С 11/22, 1982.(54) СПОСОБ СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ В МАТРИЧНОМ БИМОРФНОМ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ НАКОП И- ТЕЛЕ ИНФОРМАЦИИ(57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении и эксплуатации запоминающих устройств. Целью изобретения является повышение эффективности считывания информации. Сущность способа заключается в возбуждении в выбранном элементе памяти ультразвуковых колеоаний подачей импульсного электрического напряжения и в индикации ультразвуковых колебаний в элементе памяти фазовым детектированием колебаний пьезоэлектрической подложки. Изобретение позволяет повысить эффективность считывания информационных сигналов реального матричного биморфного накопителя информации на два- -три порядка.1309084 Формула изобретения Составитель В. КостинРедактор И. Рогулип Гехрсд И. Верес Корректор Л. ЗнмокосовЗаказ 1438/44 Тираж 590 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 45Производственно.полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исг 1 ользовано при изготовлении и эксплуатации запоминающих устройств.Цель изобретения - повышение эффективности считывания информации в матричном биморфном сегнетоэлектрическом накопителе информации.Сущность способа заключается в том, что возбуждение в выбранном элементе памяти ультразвуковых колебаний осуществляют подачей на электроды выбранного элемента памяти импульсного электрического напряжения, а индикацию ультразвуковых колебаний в выбранном элементе памяти осуществляют фазовым детектированием колебаний пьезоэлектрической подложки накопителя информации.В результате того, что амплитуда ультразвуковых колебаний в выбранном элементе памяти зависит от амплитуды импульса электрического напряжения, а пьезоэлектрическая подложка выполняет функцию согласующего элемента между элементами памяти и детектором колебаний, эффективность считывания повышается в количество раз, примерно равное отношению массы пьезоэлектрической подложки к массе элемента памяти. Способ считывания информации в матричном биморфном сегнетоэлектрическом накопителе информации, основанный на 10 возбуждении в элементе памяти импульсаультразвуковых колебаний и индикации полярности им пульса ультразвуковых колебаний в выбранном элементе памяти, отличающийся тем, что, с целью повыше ния эффективности стывиня информации, возбуждение в выбранном элементе памяти импульса ультразвуковых колебаний осуцествляют подачей на электроды выбранного элемента памяти импульсного электрического напряжения, а индикацию 20 ультразвуковых колебаний в выбранномэлементе памяти осуществляют фазовым детектированием колебаний пьезоэлектрической подложки накопителя информации.
СмотретьЗаявка
3918419, 26.06.1985
ЛЕНИНГРАДСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. М. И. КАЛИНИНА
ЕРОФЕЕВ АНАТОЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, СОЛОВЬЕВ АЛЕКСАНДР ВАСИЛЬЕВИЧ, ТРЕЩУН ВЛАДИМИР АНДРЕЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/22
Метки: биморфном, информации, матричном, накопителе, сегнетоэлектрическом, считывания
Опубликовано: 07.05.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1309084-sposob-schityvaniya-informacii-v-matrichnom-bimorfnom-segnetoehlektricheskom-nakopitele-informacii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ считывания информации в матричном биморфном сегнетоэлектрическом накопителе информации</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках
Следующий патент: Аналоговое запоминающее устройство
Случайный патент: Охладитель молока