Способ считывания информации в матричном биморфном сегнетоэлектрическом накопителе информации

Номер патента: 1309084

Авторы: Ерофеев, Соловьев, Трещун

ZIP архив

Текст

(19 1)4 сз 1 С 12 ПИСАНИ ЗОБРЕТЕН ЕЛЬСТВУ К АВТОРСК,х) И ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ 39 8419/24-2426.06.8507.05.87. Бюл.7Ленинградский политехническим. М. И. КалининаА. А. Ерофеев, А. В. СоловьевА. Трещун81.327.6 (088.8)Авторское свидетельство СССР197, кл. 6 1 С 11/22, 1978.торское свидетельство СССР753, кл. 6 1 С 11/22, 1982.(54) СПОСОБ СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ В МАТРИЧНОМ БИМОРФНОМ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ НАКОП И- ТЕЛЕ ИНФОРМАЦИИ(57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении и эксплуатации запоминающих устройств. Целью изобретения является повышение эффективности считывания информации. Сущность способа заключается в возбуждении в выбранном элементе памяти ультразвуковых колеоаний подачей импульсного электрического напряжения и в индикации ультразвуковых колебаний в элементе памяти фазовым детектированием колебаний пьезоэлектрической подложки. Изобретение позволяет повысить эффективность считывания информационных сигналов реального матричного биморфного накопителя информации на два- -три порядка.1309084 Формула изобретения Составитель В. КостинРедактор И. Рогулип Гехрсд И. Верес Корректор Л. ЗнмокосовЗаказ 1438/44 Тираж 590 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 45Производственно.полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исг 1 ользовано при изготовлении и эксплуатации запоминающих устройств.Цель изобретения - повышение эффективности считывания информации в матричном биморфном сегнетоэлектрическом накопителе информации.Сущность способа заключается в том, что возбуждение в выбранном элементе памяти ультразвуковых колебаний осуществляют подачей на электроды выбранного элемента памяти импульсного электрического напряжения, а индикацию ультразвуковых колебаний в выбранном элементе памяти осуществляют фазовым детектированием колебаний пьезоэлектрической подложки накопителя информации.В результате того, что амплитуда ультразвуковых колебаний в выбранном элементе памяти зависит от амплитуды импульса электрического напряжения, а пьезоэлектрическая подложка выполняет функцию согласующего элемента между элементами памяти и детектором колебаний, эффективность считывания повышается в количество раз, примерно равное отношению массы пьезоэлектрической подложки к массе элемента памяти. Способ считывания информации в матричном биморфном сегнетоэлектрическом накопителе информации, основанный на 10 возбуждении в элементе памяти импульсаультразвуковых колебаний и индикации полярности им пульса ультразвуковых колебаний в выбранном элементе памяти, отличающийся тем, что, с целью повыше ния эффективности стывиня информации, возбуждение в выбранном элементе памяти импульса ультразвуковых колебаний осуцествляют подачей на электроды выбранного элемента памяти импульсного электрического напряжения, а индикацию 20 ультразвуковых колебаний в выбранномэлементе памяти осуществляют фазовым детектированием колебаний пьезоэлектрической подложки накопителя информации.

Смотреть

Заявка

3918419, 26.06.1985

ЛЕНИНГРАДСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. М. И. КАЛИНИНА

ЕРОФЕЕВ АНАТОЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, СОЛОВЬЕВ АЛЕКСАНДР ВАСИЛЬЕВИЧ, ТРЕЩУН ВЛАДИМИР АНДРЕЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: G11C 11/22

Метки: биморфном, информации, матричном, накопителе, сегнетоэлектрическом, считывания

Опубликовано: 07.05.1987

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1309084-sposob-schityvaniya-informacii-v-matrichnom-bimorfnom-segnetoehlektricheskom-nakopitele-informacii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ считывания информации в матричном биморфном сегнетоэлектрическом накопителе информации</a>

Похожие патенты