Сегнетоэлектрическое запоминающее устройство

(9) 5)4 С 11 С 11/2 ННЫЙ КОМИТЕТ СССОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ГОСУДАРСТВЕГОДЕЛАМ фЪ;оФ 4 Р ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ОО(71) Киевский ордена Ленина политехнический институт им.50-летияВеликой Октябрьской социалистическойреволюции(54)(57) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ЭАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, содержащее диэлектрическую подложку, сегнетоэлектрическую пластину, пары электродов записи-считывания, компланарнонанесенных на обе стороны сегнетоэлектрической пластины, и две гру шин управления, причем шины управления первой группы нанесены на одну сторону сегнетоэлектрической пластины и соответствующие электро записи-считывания, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью повышения надежности устройства путем уменьшения акустических помех, в него введендиэлектрический слой с отверстиями, нанесенный на другую сторону сегнетоэлектрической пласти шины управления второй группы нанесе на диэлектрический слой и соединены соответствующими электродами записи считывания через отверстия в диэлект рическом слое, в сегнетоэлектрическо пластине выполнены щелевые отверстия акустической развязкимежду смежными парами электродов записи-считывания, я а сегнетоэлектрическая пластина уста новлена на демпфирующих опорах, зак-ффф репленных на диэлектрической подложк уф00Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для хранения и неразрушающего считывания двоичной информации, 5Известно запоминающее устройство,содержащее подложку, соединенную ссегнетоэлектрической пластиной, накоторую нанесены управляющие электроды, а сечение пластины между запоминающими элементами больше, чем вместах расположения запоминающихэлементов, причем в подложке выполнены пазы 1,Известно также запоминающее устройство, содержащее две керамическиепластины, пластину возбуждения и запоминающие пластины с системами шин, соединенные между собой и подложкой 2, 20Указанные устройства хараКтеризуются низкой технологичностью изготовления и малым объемом памяти.Наиболее близким по технической сущности кизобретению является запоминающее устройство, содержащее подложку и сегнетоэлектрическую пластину на двух противоположных гранях которой расположены управляющие и компенсирующие электроды, а сегнетопьеэо электрическая пластина и подложка соединены между собой металлическимипрокладками 3 .Недостатком известного устройства является низкая надежность, обуслов- З 5 ленная акустическими помехами в сегнетоэлектрической пластине, в результате чего выходные сигналы с элементов матрицы отличаются по амплитуде.Цель изобретения - повышение 40 надежности сегнетоэлектрического запоминающего устройства путем уменьшения акустических помех.Поставленная цель достигается тем, что в сегнетоэлектрическое 45 запоминающее устройство, содержащее диэлектрическую подложку, сегнетоэлектрическую пластину, пары электродов записи-считывания, компланарно нанесенных на обе стороны сегнето электрической пластины, и две группы шин управления, причем шины управления первой группы нанесены на одну сторону сегнетоэлектрической пластины и соответствующие электроды записи считывания, введен диэлектрический слой с отверстиями, нанесенный на другую сторону сегнетоэлектрической пластины, шины управления второй группы нанесены на диэлектрический слойи соединены с соответствующими электродами записи-считывания через отверстия в электрическом слое, в сегнетоэлектрической пластине выполненыщелевые отверстия акустической раз-вязки между смежными парами электродов записи-считывания, а сегнетоэлектрическая пластина установленана демпАирующих опорах, закрепленныхна диэлектрической подложке.На Аиг. 1 показано сегнетоэлектрическое запоминающее устройство объемом 2 х 2 бита; на Лиг, 2 - то же,разрез А-А на Лиг. 1,Устройство содержит сегнетоэлектрическую пластину 1, диэлектрическую подложку 2, демпирующие опоры 3из диэлектрического материала, электроды 4-7 записи-считывания, которыеобъединены шинами 8-11 управления.Шины 9 и 11 частично совмещены с про, тяженными диэлектрическими опорами 3,Шины Р и 10 проходят над электродами4 и 6 отделены от них диэлектрическим слоем 12 с отверстиями 13,через которые шины соединены сосвоими электродами. Электроды 4-7образуют запоминающие элементы 14,которые образуют продольные ряды,и между запоминающими элементамипродольных рядов выполнены щелевые отверстия 15 акустической развязки. Отверстия 15 позволяют поставитьэлементы 14 в одинаковые условия поэлектроакустическим преобразованиямтак как все элементы имеют одинаковыенезакрепленные грани, и волна деформации при считывании начинает распространяться одновременно для всехэлементов независимо от их местоположения. Кроме того наличие двухнезакрепленных граней позволяет болееполно использовать энергию считываю"щего сигнала, т.е. получить выходнойсигнал большей амплитуды.Устройство работает следующимобразом.Запись информации осуществляютподачей импульсного напряжения соответствующей полярности и, длительности на шину управления, например нашину 11. Шину 10 подключают к общейточке устройства. На все остальныешины в режиме записи подают напряжения, исключающие ложную запись вневыбранных элементах.11872 Составитель В. КостиЗайцева Техред С.Мигунова ректор О. Луговая Редакто Заказ 6557/5 аж 583 одписное НИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий035, Москва, Ж, Раушская наб., д 4/5 лиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 При считывании информации напряжение считывания поступает в одну из шин 8, другие шины подключены к общей точке устройства. В результате двойного преобразования энергии - элект рической в механическую и механической в электрическую, на шинах 11 18 4появляются импульсы напряженияполярностью, зависящей от запис инойинформации. Предлагаемое изобретение поз оляет существенно повысить надежност устройства.