Патенты с меткой «сегнетоэлектрическом»

Номер патента: 1180977

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Данцигер, Кит, Клевцов, Панич, Рухлядев, Самофалов, Сапожников, Фесенко, Христов, Шпак

МПК: G11C 11/22

Метки: записи, информации, памяти, сегнетоэлектрическом, считывания, элементе

...упрощениеспособа записи и считывания информации всегнетозлектрическом элементе памяти.Величина изменения емкости у современныхсегнетоэлектрических конденсаторов в поляризованном и деполяризованном состоянияхдиэлектрика достигает 50 - 80%. ОНа практике способ реализуется тем, что кпаре, состоящей иэ сегнетоэлектрнческогоэлемента памяти, который находются в поля.ризованном или деполяризованном состояниипоследовательно соединенного с ним элемента 15с постоянными электрическими параметрами,например конденсатора,прикладывают корот.кий импульс напряжения считывания,гНапряжение считывания делится на этихэлементах в зависимости от их электрическихпараметров. По величине напряжения, снимаемого с лю. бого элемента пары и зависящего от емкэс-...

Номер патента: 1309084

Опубликовано: 07.05.1987

Авторы: Ерофеев, Соловьев, Трещун

МПК: G11C 11/22

Метки: биморфном, информации, матричном, накопителе, сегнетоэлектрическом, считывания

...ЗнмокосовЗаказ 1438/44 Тираж 590 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 45Производственно.полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исг 1 ользовано при изготовлении и эксплуатации запоминающих устройств.Цель изобретения - повышение эффективности считывания информации в матричном биморфном сегнетоэлектрическом накопителе информации.Сущность способа заключается в том, что возбуждение в выбранном элементе памяти ультразвуковых колебаний осуществляют подачей на электроды выбранного элемента памяти импульсного электрического напряжения, а индикацию ультразвуковых колебаний в выбранном...

Номер патента: 1552230

Опубликовано: 23.03.1990

Авторы: Летучев, Попов, Шур

МПК: G11C 11/22

Метки: границы, доменной, информации, носителе, сегнетоэлектрическом, смещения

...времени зародышеобразования,и скважностью менее 0,1, что позволяет увеличить действующие напряжения и тем самым повысить скоростьсмещения границы между двумя областями с различным направлением поляризации на два - три порядка без образования новых доменов.,электрического поля температуры и конструкции носителя, Непроросшие зародыши успевают самопроизвольно исчезнуть за некоторое время, Таким образом, если к пластине сегнетоэлектрика прикладывают последовательность импульсов электрического напряжения длительностью, меньшей вреьмени эародышеобраэования, и скважностью, меньшей 0,1, то перемещение доменной границы осуществляется эа счет бокового движения существующихдоменных стенок без возникновения новых доменов, способных исказить...