Способ самообращения волнового фронта

Номер патента: 1613993

Авторы: Мамаев, Шкунов

ZIP архив

Текст

(51)5 1/00 35 0 ГОСУДАРСТВЕННЦПО ИЗОБРНЕНКЯМПРИ ГННТ СССР КОМИТЕТОТНРЫТ 1 НМ"." г,3 йф ТЕЗЪЬСТВУ оптике, динаической обра- Обретенияамообращения самообращечает введеор ефр активным отклиолож енин истр аь обвия,бласти не Ф НИЯ ВОЛНОВО(57) Изобретение о носи птике, М Вша на ного сиГ вьг, аеейь) ко-м" бр а,25. оэфи обпучка; ность освещени щаемого ко- инт ен сив торая на мость, р водит фотопро авную темново приИСАНИЕ ИЭО(71) Институт проблем механикиАН СССР.(56) Зельдович Б.Я Пилипецкий Н.Ф,Шт."нов В,ВОбращение волнового фрот. М.: Наука, 1985, с, 285.Мамаев А.М., Шкунов В.В. Нестацинарное само-ОВФ в кристалле ниобаталития. - Квантовая электроника, 15,1988, В 7, с. 137-1318. Изобретение относится к оптике, вчастности к нелинейной оптике динаьяческой голографии, и может быть использовано в системах оптической обработки информации.Цель изобретения - обеспечение стационарного самообращения,Коэффициент усиления Г слабого пучка на диффузионном механизме записирешеток при условии сравнимых фотопроводимости и темновой проводимостиимеют видГ=Г,1/(1+1 ),где 1 - локальная интенсивност в частности к нелинейноймической голографии и оптботке информации. Цель изполучение стационарного сволнового фронта, Способния волнового фронта вклюние светового пучка в фотный кристалл с диффузионком нелинейности при распкаустики фокусирующего излучения ври кристалла и ориентирование крталла до получения нелинейного ожения в его объеме. Интенсивностращаемого пучка выбирают из услочтобы зеличина наведенной им в о.ти взаимодействия фотопроводимоспревышала темновую проводимость болчем в три раза. 1 ил,бкоэффициент стацио р у аления при 1) 1 т. ЖПоэтому при 11 преимущество в усилении обращенной компоненты возможно из-за зависимости Г (1) и в стационарном режиме, Отношение темпов усиления обращенной и некоррелированных конфигураций составляет (21 т+ +(1/(1+(1, где с.1.: - среднее пообъему вз аимодействия значение интенсивности обращаемого спекл-пучка, При. 111 когда Гы 1, имеет место почти, двукратное преимущество в усиленииФ обращенной компоненты, как и при нужденном рассеянииПри (1)=31 ффициент дискриминации раве ри дапьнейшем увеличении (1 ициент дискриминации в усил ащенной компоненты падает, 1613993водит к тому, что необращенные компоненты рассеянного назад излучения также хорошо усиливаются ивспедствие этого доля обращения, падает.Иа чертеже приведена схема дпя реализации способа, стационарного самообращения волнового фронта в фотоуефрактивном кристалле,Схема .содержит гелий-кадмиевый лазер 1 (=0,44 мкм), набор ослабляющих Фильтров 2, полупрозрачное зеркало (В, 80 Х) 3, фокусирующая линза 4 с Фокусным расстоянием Г 8 см, неоднородная по толщине стеклянная Фазовая плас;инка 5, объектив 6 с Фокусным расстоянием Й.в 5 см, фоторефрактивный кристалл 7 ВаНОизмеритель 8 мощности падающего лазерного излучения и измеритель 9 мощности обращенного излучения., Излучение гелий-кадмиевого лазера 1 мощностью м 60 мВт после прохожде-. ния ослабляющих фильтров 2 отражается полупрозрачным зеркалом 3. Далее излучение проходит через линзу 4, через вносящую в пучок спекл-структуру фазовую .пластинку 5 (стакдартную для экспериментов по обращению волнового фронта) и фокусируется объективом 6 в Фоторефрактивный кристалл 7 ВаТО . Последний ориентируется до получения нелинейного отражения лазерного излучения в его объеме. В нашем случае угол падения излучения на кристалл 7 составляет60. Оптическая. ось кристапла перпендикулярна входной грани кристалла. Падающая в Фоторефрактивный кристалл подлежащая обращению волна е-поляризована. Прошедшая в обратном направлении отраженная волна попадает на измеритель 9 мощности, обращенного излучения, который позволяет измерить коэффициент нелинейного отражения излучения от кристалла и долю обращения. Отношение поперечного к продольному масштабов пространственной кеоднородкости интенсивности обращаемого пучказадается отношением размера лазерногопучка на объективе 6 к его фокусному 5расстоянию. При расположении каустикиФокусируемого излучения внутри кристалла, т.е. в случае, когда это отно 1венке превышает отношение поперечного к Продольному размеров области 10 взаимодействия, при условии, что величина наведенной пучком фотопроводимости не превышает темновую более,чем в 3 раза, наблюдается самообращение волнового фронта, причем обраще ние имеет место не только в нестационарном режиме, ко и в установившемся (стационарном) режиме. Измеренныйв стационарном режиме коэффициент нелинейного отражения достигает й 153при доле обращения 503. Время установления стационарного режима составляет 0,8 с при 1/1 Т, При кевыпол"нении условия расположения каустикифокусирующего излучения внутри крис талла обращение волкового фронта ненаблюдается.Использование предлагаемого способа.самообращекия волнового фронтаобеспечивает возможность стационар ного самообращения волкового фронта.формула из обр ет екияСпособ самообращения волновогофронта, включающий фокусировку излучения в объем фоторефрактивкого кристалла с диффузионным механизмом нелинейности с расположением каустики фокусируемого излучения внутри кристал 40 ла и ориентирование кристалла до получения нелинейного отражения в егообъеме, о т л и ч а ю щ и й с я .тем,что, с целью обеспечения стациоНарного самообращекия, интенсивность пуч 45 ка выбирают из условия, чтобы величина наведенкой им в области взаимодействия фотопрдводимости ке превышалатемновую проводимость более, чем втри раза,1 б 3993 Корр ектор С. Ше вкун,Составитель Е. ДороееваТехред Л.Сердюкова Редактор И.Петрова 1Заказ 3892 Тирак 468 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Иосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент",.г, Уагород, ул. Гагарина, 101

Смотреть

Заявка

4452333, 29.06.1988

ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ МЕХАНИКИ АН СССР

МАМАЕВ АЛЕКСАНДР ВЛАДИМИРОВИЧ, ШКУНОВ ВЛАДИМИР ВАСИЛЬЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: G02F 1/35, G03H 1/00

Метки: волнового, самообращения, фронта

Опубликовано: 15.12.1990

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1613993-sposob-samoobrashheniya-volnovogo-fronta.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ самообращения волнового фронта</a>

Похожие патенты