Способ контроля дефектов слоев материалов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАЙКЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Соввтскит Фюииалиотичвокиз РволувлиеК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависи от авт. свидетельства- 1,111.1971 ( 1631439/26-25) И.Кл. С 01 п 27/2 аявлен нением заявкис прис Кеюитвт ло лвлам гааврвтвиий и открытий зри Соввтв Миииотров ИСРоритет -УДК 621,315,592(088,8) 1.1972. Ьголлетен.36 убликова Дата опубликования описания 3,1,1 Авторыизобретения. А. Резник вцов Заявител Институт физики АН Украинской СС ОСОБ КОНТРОЛЯ ДЕфЕКТО В гт 1 АТ Е Р ИАЛ водящих и непроводящих дефектов полупроодников, диэлектриков и металлов.Это достигается тем, что регистригрующийматериал наносят на диэлектрическую подложку и ко всей системе прикладывают электритгескос поле по величине де ниже 104 в/сл,Сущность способа заключается в том, чтообразец накладывают исследуемой поверхностью на эмульсионный слой фотогпластпны,папример, стеклянной, помещают эту сггстегмумежду плоскими металлическими электродампн прикладывают к ним напряжение, Независимо от полярности происходит, разложение состава эмульс;юнного слоя г местах наиоолееснльного элекггрического поля, что соответствует дефегттасг,гг неоднородностям гга поверхностиисследуемого образца. В качестве эмульс:гонного слоя может быть использован состаз наоснове Ад Вг.После проявлсггггя на фотопластпне появляются ггзображсния поверхности с чернымн точками, соответствующими неоднородностям идефекта м. Пр мет изобретенг Способ контрпутем наложенииост:.г на,регистр ЗО фотоэмульсионн Изобретение относится к области электронной техники, в частности к пгроизводству полупроводниковых,прибогров,При производстве полупроводниковых пгрибогров (диодов, транзисторов, интегральныхсхем и т, д.) методами планаргной технологиипредъявляются высокие требования к,качествуповерхности полупроводнигков и диэлекврических слоев, так,как дефекты слоев матсриаловоказывают значительное влияние на разброспараметров, надежность и выход годных полупроводниковых приборов,Известен электролитический способ контроля дефектов диэлектрических слоев на полу,проводниковых или металлических подложках,заключающийся,в том, что на полупроводниковую подложку с исследуемой диэлектрической пленкой накладывают фотобумагу, покрытую эмульсионным слоем, и всю систему, расгположвннуго меиду двумя элекзгро 1 даыи, помещают в электролит (воду), При прохождениитока через систему ионы серебра фотоэмульсиивосстанавливаются на порах и других проводящих дефектах, Однако с помощью известного способа невозможно контгролировать электронепроводящие дефекты, имеющиеся на поверхности и в приповерхностном слое диэлектрггковполупроводников и металлов.Целью изобретения является возгможностьодггогтрсмеггного получения ггзображения прооля дефектов слоев материаловя образца исследуемой поверхирующий маторналнапрпмергй слой, и приложсння к нссле360599 Составитсль Л. ШварцманТекред Л. Богданова Корректор В. Жолудева Редактор А. Батыгин Изд.1826 Заказ 5996 Тираж 406 Подписпос ЦНИИ 1 Комитста по делам изобретений и открытий при Совстс Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Загорская типография дуемой системе напряжения, отличаощийся тем, что, с целью одновременного получения изображений проводящих и непроводящих дефектов и расширения области применения, ре 4гистрирующий материал наносят на диэлектрическую подложку и прикладывают электрическое поле по величине не ниже 104 в/см,
СмотретьЗаявка
1631439
А. Е. Кравцов, М. А. Резников Институт физики Украинской ССР
МПК / Метки
МПК: G01N 27/24
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-360599-sposob-kontrolya-defektov-sloev-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ контроля дефектов слоев материалов</a>
Способ создания контактных слоев на поверхности оптических полупроводниковых кристаллов типа aiibvi
Номер патента: 1725700
Опубликовано: 15.05.1994
Авторы: Загоруйко, Карпова, Комар, Терейковская
МПК: H01L 21/28
Метки: aiibvi, контактных, кристаллов, оптических, поверхности, полупроводниковых, слоев, создания, типа
СПОСОБ СОЗДАНИЯ КОНТАКТНЫХ СЛОЕВ НА ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА AIIBIV, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20 - 30 мин при 18 - 25oС, металлический слой наносят при 10 - 15oС путем осаждения серебра из смеси щелочного раствора аммиаката серебра следующего состава, мас. % :Азотнокислое серебро 1,57Гидрат окиси калия (45% -ный) 2,27Водный аммиак (25% -ный) 17,79
Устройство для нанесения светочувствительных слоев на подложку
Номер патента: 994032
Опубликовано: 07.02.1983
Автор: Шевченко
МПК: B05C 5/00
Метки: нанесения, подложку, светочувствительных, слоев
...коллектора 2 каналы 9, 1 ОФормула изобретения 3 99403 и 1 1 для прохода жидкости. На передней части устройства выполнена на" клонная плоскость 12. В нижней части устройства расположена ракля 13, закрепленная между планкой 14 и корду" сом 1 винтами 15. В заднюю стенку устройства ввернут штуцер 16, имею" щий канал 17, сообщающийся с полостью 8. Ракля 13 опирается на подлож" ку 18. На перегородке 6 шарнирно эа" 1 в креплены откидные накладки 19-28, и механизмы 29"38 их прижатия к на" клонной плоскости 12. Верхняя часть наклонной плоскости 12 имеет кром" ку 39, Количество накладок выбирают в зависимости от требуемой ширины покрытия, наносимого на подложку,Устройство работает следуюцим образом.Жидкость через канал 17 в штуце ре 16...
Устройство для удаления напыленного слоя с подложки
Номер патента: 305144
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: C03C 19/00
Метки: напыленного, подложки, слоя, удаления
...воздуха. Барабан покрывается многослойной воздухопроницаемой тканевой оболочкой 8. В качестве ткани берется фпльтрующая ткань ФПП, ТУД 2 ГУ - 171 - 58 и фильтрующая капроновая ткань 9 ФК ГОСТ 8801 - 58.Обрабатываемая деталь закрепляется а столе. Для случая штриховых стеклянных матриц закрепление производится так, чтобы штрихи располагались под углом к рабочему валку. Затем рабочий валок поворотом вокруг цапф опускается на край обрабатываемой детали и своим весом или силой каких-либо дополнительных устройств, например, пружин, создает определенное давление на обрабатываемую поверхность. Внутрь рабочего валка по трубке подается сжатый воздух. Воздух через отверстия в трубке и в барабане проходит под оболочку (слоп 8 и 9) рабочего валка,...
Устройство для нанесения светочувствительных слоев на подложку
Номер патента: 637774
Опубликовано: 15.12.1978
Автор: Шевченко
МПК: G03C 1/74
Метки: нанесения, подложку, светочувствительных, слоев
...2,78.Бюллетень % 46 2поверхностях в предлагаемом устройстве распределительный коллектор выполнен в виде соединенных каналом двух полостей с вертикальной перегородкой между ними, уста- новленной в пазах торцовых крышек. Вертикальная перегородка может быть выполненаа объемнойНа фиг, 1 показано описываемое устроЙ.ство в поперечном разрезе; на фиг, 2 - то же, вид спереди.В корпусе 1 устройства выполнен распределительный коллектор 2, закрытый тор.цовымн крышками 3, 4, в пазах 5 которых помещена вертикальная перегородка 6, де.лящая распределительный коллектор 2 на две полости 7, 8 и образующая своей нижней частью с поверхностью распределитель.1 ного коллектора 2 каналы 9, 10, 1 для про.хода жидкости.Устройство работает следующим обра...
Устройство для нанесения светочувствительных слоев на подложку
Номер патента: 1452615
Опубликовано: 23.01.1989
МПК: B05C 5/02
Метки: нанесения, подложку, светочувствительных, слоев
...и крышкой 8. В разрыв между перегородкой 7 и крышкой 8 установлена перфорированная труба 9, внутри которой на оси расположена лопатка 1 О, выполненная с ,бочкообразной формой по длине. Ось лопатки 10 опирается на щеки 11 и 12 вакуум-камеры, с осью связан механизм 13 поворота лопатки 10, представляющий из себя рычаг с ручкой и фиксатором ее положения. Для подключения вакуумной магистрали служит 2 С штуцер 14.Устройство работает следующим образом.Экструзионная головка 1 формирует плоскую струю покрытия 2, которая наносится на подложку 3, движущуюся равномерно с опорой на вал 4. Для лучшего сцепления с подложкой под мениском нанесения покрытия в вакуум-камере 5 поддерживается пониженное давление 15 - 20 мм вод. столба. 5Воздух постоянно...
Предыдущий патент: Емкостный датчик измерения диэлектрической проницаемости пленочных материалов
Следующий патент: Кулонометрический датчик влажности
Случайный патент: Лесопильная рамавсесоюзнаяmmm-tm-. mби5.