Способ дефектоскопии тонких диэлектрических материалов

ОП ИСАЙ ИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ1896526 Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик. 372) Авторы изобретения итькин, О У -,Ф ановский энергетический институт им. 71) Заявител ина ОСКОПИИ ТОНКИХ МАТЕРИАЛОВ 54) СПОСОБ ДЕФЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕС 1Изобретение относится к неразрушающему контролю и может быть использованопри определении пористости тонких электроизоляционных материалов.Известен способ обнаружения сквозныхпор или проколов в материале, ухудшающихего качество, наличие которых определяют5путем измерения емкости диэлектрика, помещенного между электродами,Помещенный в межэлектродную областьдиэлектрик со сквозной порой или проколомв измерительной цепи вызывает изменениеемкости 1,Недостатком известного способа является невозможность определения расположения сквозных пор по поверхности материала.Кроме того, изменение емкости происходитне только при наличии сквозных пор, но и 15других проводящих включений.Наиболее близким к изобретению является способ дефектоскопии тонких диэлектрических материалов, заключающийся в том,что на одну сторону материала наносят адсорбируемую среду и определяют количествопор, заполненных средой 2.Однако этим способом определяют общее количество пор и невозможно определить наличие сквозных пор и проколов, а также их распределение по поверхности,Целью изобретения является повышение надежности способа путем определения наличия и распределения по поверхности сквозных пор.Поставленная цель достигается тем, что в качестве среды используют феррожидкость а материал помещают в магнитное поле, градиент которого направлен по нормали в сторону поверхности без феррожидкости.Все тонкие электроизоляционные материалы имеют сквозные поры или проколы. Наибольшее число сквозных пор имеют волокнистые материалы, Размер пор, например для материала на основе целлюлозы, изменяются в пределе от 10 до 10 м. При изготовлении материала волокна расположены приблизительно параллельно поверхности листа и, взаимно переплетаясь, образуют пространственную сетчатую структуру, Однако некоторая часть волокон может располагаться перпендикулярно поверхности ли. ста и при малой толщине материала образовывать сквозные каналы от одной поверхности листа к другой. Кроме пор, в тонких электроизоляционных материалах в процес896526 формула изобретения Составитель Н. Долгова Редактор О Персиянцева Техред А. Бойкас Корректор Л. Бокшан Заказ 11689/33 Тираж ЯЯ 2 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 1 3035, Москва, Ж - 35, Раушская наб д. 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4се их изготовления образуются сквозные проколы. Сквозные проколы и каналы в материале могут образовываться и при его эксплуатации, например, за счет, деформации при тепловом расширении и других воздействиях. Наличие сквозных каналов существенно снижает качество диэлектрических материалов, их электрическую прочность.Способ дефектоскопии осуществляется следующим образом.На одну сторону контролируемого материала наносят феррожидкость, размеры частиц которой меньше размеров пор материала. Материал помещают в магнитное поле, градиент которого направлен по нормали к поверхности материала в сторону поверхности без феррожидкости. Под действием магнитного поля частицы феррожидкости интенсивно адсорбируются материалом. Феррожидкость имеет черный цвет и хорошо заметна на поверхности листа. По следам феррожидкости, проникшей по сквозным порам и проколам, определяется число этих пор, проколов и их распределение по поверхности листа.Способ дефектоскопии используется для обнаружения дефектов конденсаторной бумаги толщиной 0,002 мм, на одну из поверхностей которой нанесена феррожидкость. Дисперсность частиц феррожидкости 10 мм. Конденсаторная бумага помещена в зазоре электромагнита, равном 3 мм. Испытание проведено при индукции магнитного поля вблизи полюсов магнитопровода 0,3 - 1,5 Тл и выдержке 10 - 30 с, Наиболее эффективное выявление наличия сквозных пор и проколов происходит при индукции порядка 1,0 Тл.Увеличение индукции магнитного поля не приводит к повышению эффективности способа обнаружения дефектов. Увеличение времени выдержки образца в магнитном поле практически не сказывается на результатах измерения. Оно определяется временем проведения замера и достаточным является время порядка 10 с,Под действием сил магнитного поля фер рожидкость по сквозным порам и проколамдвигается в область наибольшей напряженности магнитного поля, т, е. к полюсным наконечникам электромагнита.На поверхности материала в местах сквозных пор и проколов отчетливо видны черные пятна феррожидкости.Использование предложенного способапозволяет повысить надежность контроля тонких диэдектрических материалов за счет выявления наличия и распределения сквозных пор и проколов на поверхности материала. Способ дефектоскопии тонких диэлектрических материалов, заключающийся в том, что на одну сторону материала наносят адсорбируемую среду и определяют количество пор, заполненных средой, отличающийся тем что, с целью повышения надежности способа путем определения наличия и распределения по поверхности сквозных пор, в качестве среды используют феррожидкость, а материал помещают в магнитное поле, градиент которого направлен по нормали в сто рону поверхности без феррожидкости. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР530238, кл, б 01 Ы 27/24, 1976.2, Михайлов М, М. Влагопроницаемостьорганических диэлектриков, Госэнергоиздат,1960, с, 75 (прототип).