Способ многозондового измерения удельного
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
372492 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУСоюз СоеетскизСоциалистическими . Республин ависимое от авт. свидетельствааявлено 16.1 Ч.1968 (Эй 1232626/26-25 Кл. б 01 п 27 присоединением заявкиКомитет по делам Приоритет изобретении и отнрыти при Совете МинистровСССР Опубликовано 01 Л 1.1973. Бюллетень1 Дата опубликования описания 23,1 Ч.197 К 621.382:541.133 (088,8) Авторыизобретения Л. И. Анатычук. Луст явител ОСОБ МНОГОЗОНДОВОГО ИЗМЕРЕНИЯ УДЕЛЬНОГО СОП РОТИ ВЛ ЕН ИЯ ПОЛ УП РО В ОДН И КО ВЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК 30 Изобретение относится к методам контроля качества полупроводниковых материалов и может быть использовано для определения степени однородности эпитаксиальных пленок.Известны способы определения удельного сопротивления эпитаксиальных пленок, при которых производится измерение поверхностных напряжений от токов, пропускаемых через измеряемую пленку, при помощи двух или большего числа зондов от внешнего источника тока,Недостатком этого способа является невозможность обнаружения неоднородностей в этитаксиальных пленках в том случае, когда сопротивления подложки и пленки близки по величине.Кроме того, способ непригоден и в том случае, когда сопротивление подложки значительно меньше сопротивления пленки, поскольку в этом случае подложка шунтирует эпитаксиальную пленку.Целью изобретения является повышение точности измерений при сопротивлении пленки, равном или большем сопротивления подложки,Эта цель достигается использованием для создания перепада напряжений не внешних источников электрического тока, а вихревых термоэлектрических токов, возникающих в эпитаксиальной пленке и подложке при наличии градиентов температур. Величина вихревого термоэлектрического тока зависит от соотношения толщин пленки и подложки, удельных сопротивлений пленки и подложки и разности термо-э.д,с. материалов пленки и подложки. 1 ри этом существенные по величине падения напряжения (до 0 мв,град для кремниевых эпитаксиальных пленок), вызванные вихревыми токами на эпитаксиальной пленке, будут возникать и при отношениях сопротивления пленки и подложки, близких к единице и несколько меньших единицы. Градиенты температур в эпитаксиальной пленке и подложке создаются нагревателем и холодильником, расположенными на поверхностях пленки и подложки.О величине сопрогивлсни и неоднородности эпитаксиальпой пленки можно судить нли по поверхностным напряжениям на пленке и подложке или по поперечным по отношенгио и тепловому потоку э,д.с., возникающим также вследствие протекания вихревого тока между двумя одинаковой температуры точками, расположенными одна против другой на поверхностях эпитаксиальной пленки и подложки. Во втором случае измерения значительно упрощаются и повышается точность вследствие уменыпения числа измеряемых напряжений и исключения действия термо-э. д. с.372492 Предмет изобретения Составитель Л. ПирожниковТехред 3. Тараненко Корректор А. Степанова Редактор Т, Орловская Заказ 1087/12 Изд,364 Тираж 755 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 Способ многозондового измерения удельного сопротивления полупроводниковых эпитаксиальных пленок, нанесенных на подложку, отличающийся тем, что, с целью расширения области измерений и повышения точности, с помощью нагревателя и хойодильника создают в измеряемом образце вихревые термоэлектрические тбки, пройзводят измерения падения напряжеиий, вызванных протеканием этих то ков в зондах, и определяют удельное сопротивление эпитаксиальной пленки на участке между зондами.
СмотретьЗаявка
1232626
Л. И. Анатычук, О. Я. Лусте
МПК / Метки
МПК: G01N 27/24
Метки: многозондового, удельного
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-372492-sposob-mnogozondovogo-izmereniya-udelnogo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ многозондового измерения удельного</a>
Способ определения знака рассогласования параметров решетки эпитаксиальной пленки и подложки
Номер патента: 1793014
Опубликовано: 07.02.1993
МПК: C30B 29/28
Метки: знака, параметров, пленки, подложки, рассогласования, решетки, эпитаксиальной
...видиподлокки относительно неподвикного раствора-расплава. В случае синтеза монокристаллических материалов в виде твердыхрастворов типа ферритгранатов(ЫВ)з(ГеОа)в 012, где замещение внутрипар ионово-В 1 и Ге-Оа осуществляетсяпрактически неограниченно, имеет местозаметное влияние скорости роста Х на величины приведенных коэффициентов распределения 10К(1 о/В)- (-в 1 ВЬ(ба)ж (Ре 1 тгде в квадратных скобках указаны концентрации компонентов в твердой (т) и жидкой(ж) фазах соответственно,Для величин коэффициентов распрееления всегда выполняются соотношения;К( ц/В ) 1;К(.а/Ге)1,Кроме того, при увеличении скоростироста значения К(1 ц/В) и К(Са/Ре) всегдастремятся к единице.Таким образом., на периферии пленкиконцентрации (Бг и (РеЪ всегда выше...
Способ определения сопротивления контактного соединения проволоки и тонкой пленки
Номер патента: 1250982
Опубликовано: 15.08.1986
Автор: Дячок
МПК: G01R 27/00
Метки: контактного, пленки, проволоки, соединения, сопротивления, тонкой
...следующим образом. З 0Измеряется сопротивление К отдельного участка тонкой пленки" 3 путем установки на пленку двух щупов на заданном расстоянии, например 7 .Проводится замер сопротивления измери- З 5 тельным прибором и регистрируется измеренный результат. При этом результат измерения можно представить в виде где К - сопротивление щупа;ЦК - переходное сопротивление контакта щуп - тонкая пленка ; 45Кд - сопротивление участка "тонкой пленки".Измеряется сопротивление К от 7 дельного участка "проволоки" 1 путем подсоединения к ней двух зажимов на заданном расстоянии, например 1 Проводится замер сопротивления на измерительном приборе и регистрируется измеренный результат. При этом результат измерения можно представить в виде где К -...
Способ получения оксидной пленки на ниобиевых электродах электрохромного индикаторного устройства
Номер патента: 1227718
Опубликовано: 30.04.1986
Авторы: Дяконенко, Косевич, Малюк, Сокол
МПК: C25D 11/26
Метки: индикаторного, ниобиевых, оксидной, пленки, устройства, электродах, электрохромного
...нерастворяющихся электролитах.45 Структура поверхности оксидной пленки со стороны электролита приобрета" ет сотообразный характер, а норы пронизывают оксидную пленку в направлении, перпендикулярном ее поверхности. Между ниобиевым электродом и областью распространения пор в объеме оксидной пленки сохраняется буферный беспористый слой толщиной 20-30 нм. Вследствие такого строения пленки эа счет внутренней поверхности конусообразных пор, упирающихся вершиной конуса в буферный слой, удельная по 18 2верхность оксидной пленки со стороны электролита возрастает в несколько раз по сравнению с пленкой, отформованной без растворяющего ингредиента. Так как толщина буферного слоя не оказывает заметного влияния на удельную поверхность оксидной...
Устройство для сигнализации о понижении сопротивления изоляции кабеля и определения участка с пониженной величиной сопротивления изоляции
Номер патента: 141217
Опубликовано: 01.01.1961
Авторы: Беркман, Парикожка, Пугач
МПК: G01R 27/16, G01R 31/08, H01B 7/32
Метки: величиной, изоляции, кабеля, понижении, пониженной, сигнализации, сопротивления, участка
...Сработавший извещатель создает на соседнем участке контрольной жилы кабеля, расположенном ближе к пункту А, потенциал, достаточный для срабатывания соседнего заднего извещателя (У - 1), Схема извещателя собрана таким образом, что она срабатывает только в одну сторону, и поэтому извещатель (У + 1) не срабатывает,В момент срабатывания (У - 1)-го извещателя через него и через трансформатор 4 в пункте А проходит импульс тока, который аналогичным путем поступает на счетную схему 3. Извещатель (У - 1) создает на У - 2) извещателе потенциал, вследствие чего последний сработает, затем сработает извещатель (У - 3) и т. д. - до тех пор, пока не сработают все извещатели. Через трансформатор 4 в пункте А при этом пройдет У импульсов и на...
Способ изготовления высокостабильных резисторов
Номер патента: 371835
Опубликовано: 30.05.1984
Авторы: Власов, Коновалова, Кошкина, Спевакова
МПК: H01C 17/06
Метки: высокостабильных, резисторов
...Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал П 11 П "П,отецт", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к области радиотехнической промышленности.Известен способ получения пленочных углеродистых резисторов посредством нанесения на подложку кремний- углеродистых пленок.Такой способ не обеспечивает получения высокостабильных резисторов,По предложенному способу на кремнийуглеродиствую пленку наносят чисто углеродистую, а затем снова кремнийуглеродистую пленку.Это позволяет повысить стабильность резистэров.На керамическую подложку методом пиролиза наносят последовательно кремнийуглеродиствую пленку с сопротивлением больше 10 Мом/кв, углеродистую пленку нужного...
Предыдущий патент: Способ определения окончания процесса желатинирования латексной пены
Следующий патент: Способ вихретоковой дефектоскопии
Случайный патент: Устройство для приготовления газозолобетонной смеси