ZIP архив

Текст

С А:НИ Е РЕТЕ Н ИЯ Сооз СоветсгихСоциалистических Республик СПИ ИЗОБ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ л 1:с тз Л вцсихОс от авт. св де К,. 6 01 п 27/2 Заявлено ОЗ.Ъ 1,1 34549 26-25) с присоединением заявки хс Комитет по деламобретений и открытийри Совете Министров Приоритет -публиковацо 23 11,19. П. Синица, С, В. Косиков и Ф. П. Пре 1;вигель ЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТОВ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ Изобретение относится к области электронной технти 51, в частности, к производству полупроводниковых приборо".1 ри производстве иолу.рсводннковых приборов (диодов, транзисторов, ццтеграль;ых схем и др.) методами планарцой технологккачеству используемых маскцрующпх и пассивирующих диэлектрических слоев прсдьявляются высокие требования. Макродефекты диэлектрических ленок (цоры, трещины, включения и т. д.) оказывают значцтельнос влияние на,разброс параметров, надежность н выход годных, полупроводниковых приборов.Известен метод обнаруженця макродефектов диэлектрических слоев, заключаощийся в том, что,на участок исследуемой поверхностен диэлектрического слоя наносят каплю электролита (металлосодержащего раствора), в которую опускают электрод, находящийся под полояительным потенциалом. На поверхность, противоположную исследуемой, подают отрицательный потенциал. Электроосаждение металлов происходит в нервуо очередь вблизи дефектов, которые становятся видимыми под микроскопом,Однако с помощью известного метода нельзя получить полного представления о распределении макродефектов по всей поверхности диэлектрического слоя; кроме того, излсние поверхностных дефектов даже на небольшой поверхности занимает значительное время (несколько часов), а оценка дефектов можс; носить субвскт 1 в, храктср.Цель изобретения - упрощение способа об царужения микродефсктов, повышение егопроизводительности црц возможности получения наглядной картин. распределения 1 естсктов.Цель достигается благодаря использованию 1 о в электропцтцчсском способе регистрирующегофотоматериала (фотоэмульоии) . На чертеже схсхатцческн показана сборка исследуетОго образца и применяемого прц осуществлении предлагаетОго способа приспособления перед 15 помещением ее в электролит. 11 олупроводнцковую (металлическую) подложку 1 с нанесенной на цсе диэлектрической плс кой 2 помещают на ццжнцй электрод:3. На диэлектрическую пленку эмульсцонным слосм -1 ц;к .1- 2 О;1 ы в а ю т ф От об у хт г у ц и,1 Отц О п р ц ж ". м а О т се кд:Электрическому лою пр; помощи верхнего электрода о. Всю систему помещают в электролит, которым может служит вод;. Прц подаче ца ццжтий электрод отрицательно.о 25 .Отенццала, а на верхнийположительногоерсз систему протекает ток; прц этом цэты серебра фотоэмульсцт восстанавливаются на порах и других проводящцх дефектах, и в эмульсии образуется скрытое цзобра;кенце 30 дст 5 ректа, которое при последующей обы иоЗаказ 351 Изд.845 Т:раж 448 Подпнсос 111111 Комста но дс,а аоорсс.й окрыт:й нрн Совете Мннкстрзв СССРМо,кза. Ж.35, Рау,аскат лап л. 45 О,ас Гна 5 торс(1)5 Кос Гровского1 явг;". о сс.дспользуемой В фо 1 огр афин обработке (провлсн:с, закрепление) превращается в видимый отпечаток дефектов. Увеличивая приложенчое между электродагмп нагпряженис и время выдержки (время протекания гока), можно получать картины распределения и плохо проводяшпх дсфсктов диэлектрического слоя,Предмет изобретения Электролтеский способ контроля дефек тов диэлектрических слоев на полупроводниковых или металлических подложках, находящихся под отрицательным потенциалом, с;юследующим наблюдением картины элсктро осаждения металла, отличающийся тем, что,с целью упрощения способа и повышения его производительности, предвари тел ыо к поверхности диэлектрического слоя прпжихаот эмульсионным слоем фотобумагу, служащую 1 О в качестве регистрирующего материала.

Смотреть

Заявка

1334549

МПК / Метки

МПК: G01N 27/24

Метки: 324570

Опубликовано: 01.01.1972

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-324570-324570.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">324570</a>

Похожие патенты