Способ дефектоскопии диэлектри-ческих слоев

Сфеа Сфветскик Сфцналистюческия Расвубанк(51)м, Кл,з с присоединением заявки йо(23) Приоритет С 01 й 27/24 Государствеиеюй комитет СССР оо делам мзобретеннй н открмтий(53 УДК 6 1. 315. 592 (088 8) Опубликовано 30,0131, Бюллетень ЙЯ 4 Дата опубликования описания 300181,/л Заявите Опытное производство при Инстит АН Украинской ССР зики(54 СОВ ДЕФЕКТОСКОПИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИСЛОЕВ трон- зводиковы едъяв электри.ктычения)на й и вы ибочто в прояв окисл Изобретение относится к элек ной технике, в частности к прои ству полупроводниковых приборовПри производстве полупроводн приборов и интегральных схем пр ляются высокие требования к кач маскирующих и функциональных ди ческих слоев, так как макродефе этих слоев (поры, трещины, вклю оказывают значительное влияние разброс параметров, надежность ход годных полупроводниковых пр Известен способ контроля дефектности диэлектрических пленок на токо проводящих материалах, заключающийся в том, что диэлектрическую пленку на токопроводящейподложке приводят в контакт с раствором электролита, производят электролитическое осаждение 20 металла на дефектах диэлектической пленки, селективно травят ее и регистрируют по виду осажденного металла конфигурацию и распределение дефек. тов в пленке 11.Недостатком данного способа является большая продолжительность процесса дефектоскопии во времени и разрушение исследуемой пленки в процессе проведения дефектоскопии. Известен способ дефектоскопии диэлектрических слоев на токопроводящей подложке, заключающийся в пропускании тока через систему подложка - диэлектрический слой - фотоматериал , помещенные в электролит споследующим получением изображениядеФектов в диэлектрическом слое нафотоматериале, При проведении процесса на подложку подают отрицательныпотенциал, а в качестве электролитаиспользуют воду, При прохождении токачерез систему, ионы серебра в фотоматериале восстанавливаются над порами и другими электропроводящими дефектами 121 иЗ,Недостатком способа является необходимость проведения процесса в темном помещении при неактиничном освещении, с последующей фотохимическойобработкой Фоторегистрирующего слояпо стандартной технологии.Цель изобретения - сокращение времени процесса дефектоскопии и возможность проведения его при актиничномосвещении.Поставленная цель,достигается тем,качестве электролита используютители фотоматериалов с величинойительно-восстановительного по801153 Формула изобретения до Составитель Е, КосинонТехред Н. Ковалева Корректор Н. Бабинец Редактор Е. Лушникова Заказ 10445/73 а Тираж 918 Подписное ВНИИПИ Государственного 1 м 1 лтета СССР по делам изобртений и открытий 113035, Москва, ЖРаушская наб., д. 4/5-0,2 В по отношению к нормальномуводородному электродУ.Из электрох;.,лмической теории проявления следует, чтопроявление светочунствительных материалов тем медле-.нее, чем выше окислительно-восстановительный потенциал системы ЕОкислительно-восстановительный поте 1 л иал системы тем выше, чем меньше значение рН раствора проявителя, поэтому 0уменьшая рН раствора исключением изсостава ускоряющих сещестн 1 буры содыпоташа, едкого натрия и др.), либодобавлением кислоты, можно увеличить Еб 8 раствора, существенноуменьшив скорость проявления,В случае использования проявителяс -0,2 МЕР 6 0,2 В, при пропускании электрического тока черезячейку, рН проявителя в местах про-хощения тока через поры, трещины, 20проводящие включения, значительногсонышается, что вьлзывает восстановление серебра н этих местах на фотобумаге и позволяет непосредственнополучать изображение макродефектовдиэлектрического слоя. После 5-7секундного опбласкивания фотобумагин 5 Ъ растворе уксусной кислоты полученное на ней изображение можно использовать для исследования плотности и распределения макродефектовн диэлектрическом слое,П р и м е р 1 , Составы и инградиенты компонентов электролитон 1 ,которые могут быть применены н способе, в гЭлектрОлит У 1 ( на Основе проян 11 - теля ПВ)Метол 0,25Гидрохинон 0,25Сульфит натриябезводный 25Калий бромистый бОВода 1000 ПРи этом ЕЕС) = +0,02+0,01 поотноению к нормальному эле 1 лтродному потенциалу. Электролит Р 2 (на основе прояви- Л 4 теля Р 1 по ГОСТ 2817-50 и 10 б 91-63) Метол 1 Гидрохинон 5 Сульфит натриябезводный 2 бКалий бромистый 1,0Вода до 1000Нормальный потенциал электролитаЕ с) =0+0,01 ВЭлектролит РЗФенидон 0,5Аскорбиновая килслота 3Ил(1 Н Я 20Вода до 1000Нормальный потенциал электролитаЕРЕ 1 о 1 = +0,19+0,01 В,Данныи способ ускоряет и упрощает процесс выявления. дефектов,не оказы вает разрушающего воздействия на исследуемую систему, что открывает возможности его широкого использования н различных отраслях народного хозяйства,например,в микроэлектронике как для выборочного, так и для полного пооперационного контроля качества диэлектрических покрытий в технологии производства различных пролупроводниковых приборов и интегральных схем с целью повышения процента выпуска годной продукции и ее надежности. Способ дефектоскопии диэлектрических слоев :ла токопроводящей подложке,заключающийся в пропускании тока через систему подложка - диэлектрическийслой - фотоматериал, помещенные вэлектролите с последующим получениемизображения дефектов в диэлектричес;о.,: слое на фотоматериале, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с цельюсокращения времени процесса дефектоскопии и возможности проведения егопри актиничном освещении, в качествеэлектролита используют проявителифотоматериалов с величиной окислительно-восстановительного потенциалане более 0,2 В и не менее -0,2 Впо отно;.ению к нормальному водород -ному электроду.Источники информации,принятые но внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР1 391455, кл, 5 О27/00,25,07.73.2. Анторское свидетельство СССРР 324570 у кл, 5 01 И 27/24)23,12.71 (прототип).3."Журнал научной и прикладнойФотографии и кинематографии"Т. 22, вып.1,1977, с, 17-18.