G01N 27/24 — обнаружение локальных дефектов

Номер патента: 1704053

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Агапов, Либшер, Шмидт

МПК: G01N 27/24

Метки: волокнистых, дефектов

...по массе От Отдельных волокон, в первый 1 О ходу дви:.,;1, ч 11 э Орительцый кс 1 дэцсатор 10 мо.тоьа. 11 эь 1 сги 1 ель гая схема 1, выход 11 т иэ состояния равновесия, и высокочастотый сигнал (фцг, 3), сыделсццый через индуктивность 20 (фиг. 2) параллельного колебэтел 1 ного контура 21, подается ца цеицвертирующий вход 23 операционного40 45 50 55 услтсл 24, 1:сзффицст усиле.ия регулируется подстроечным резистором 27, Через ксденсэтср 21 часть усленного сигнала под: ется сб 1;ло о колебательый контур 21. Усиленный сигнал подается с выхода оперэцисиогс усилителя 24 через простой оыпрллтель 29, где сн выпрямляется, э вход триггера 30, где он сравнивается с ээдэым уровнем срабатывания триггера 30, и на охсд прерывателя 31 вналогооого...

Номер патента: 1790762

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Гриднев, Попов, Шувалов

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектов, зарядом, известным, концентрации, кристаллах, сегнетоэлектрических, точечных

...потенциала по четным степеням поляризации;К - корреляционная постоянная.Предлагаемый способ основан на ис" пользовании различного характера движения сегнетоэлектрических доменных границ, взаимодействующих с точечными дефектами кристаллической решетКи, в электрических полях различной амплитуды В слабых полях, меньших, чем пороговое поле Е, происходит малое упругое смещение доменных границ относительно закрепленных точечных дефектов, т.е. их небольшой прогиб между ближайшими точками закрепления. В этом случае наблюдается слабая зависимость ерш от амплитуды электрического поля, В полях, боль" ших, чем Е, отдельные изогнутые участки доменных границ отрываются от закрепляющих тбчечных дефектов, затем начинается лавинообразное...