410270
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 410270
Текст
410270 Союз Советских Социалистицеских РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства1 Л.1972 ( 1783495/18-10) 1. Кл. б 9/06 лено с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 05.1.1974. БюллетеньДата опубликования описания 6 Х.1974 асударственный камитеСовета Министров СССРаа делам изааретенийи аткрытий УДК 531,787.91(08 Автнян, В. Х. Оганесян и А етен ванский политехнический явитель итут ДАТЧИК ДАВЛЕНИ ойстве днруженном тензочувствительсульфида молибдена,На фиг. 1 дана зависимоизменения сопротивления(порог чувствительности вравен около 2 кг/см); намость относительного измения от относительного измезодатчика. Определенный кчувствительности имеет зн2000.Технология получения осульфида молибдена аналопрессованных образцов изфида свинца,н сть относительного Мо 52 от давления данных образцах фиг. 2 - зависиения сопротивленения размера теноэффициент тензоачение близкое к МоЬ е диолучению ого сульбразц гично порош Датчик давления, соде ный элемент из полупро ла на основе сульфпто тем, что, с целью пониж тельности и повышения чувствительности, чувств готовлен из дисульфида ржащии чувствительводникового материав, отличающийся ения порога чувствикоэффициента тензоительный элемент измолибдена (МоЬ). Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к полупроводниковым датчикам давления.Известно, что для измерения механических усилий применяются тензодатчики давления 5 из различных полупроводников, как бе, Я, РЬ 5, АдЬ и т. д. Количественной мерой оценки действия тензодатчиков является коэффициент тензочувствительности.В поликристаллических полупроводниках, 10 например в сульфиде свинца (РЬЬ), механизм тензоэффекта связан с уменьшением потенциального барьера на границе между зернами вещества под действием давления. Он обладает коэффициентом тензочувствительности 15 К=1000, а в остальных известных поликристаллических полупроводниках и того меньше.Порог чувствительности тензоэффекта сульфида свинца имеет величину, примерно равную 20 кг/см, и недостаточен для измерения 20 малых давлений.Предлагаемый датчик давления из полупроводникового дисульфида молибдена (МоЬ 2) имеет ряд преимуществ, основанных на обнаПредмет изобретения4102700РофЪ 2Фиг 1- хЦЮРРоф440СЯ 7 УХ РО 2,Ж 2, 2,7 Ю 32 Р 2 Х Я,Р Фиг.2 Составитель Г. НевскаяРедактор О, филипповаТехред 3, Тараненко Корректор Т. ХвороваЗаказ 1037/8 Изд.362 Тираж 760 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2
СмотретьЗаявка
1783495, 11.05.1972
МПК / Метки
МПК: G01L 9/06
Метки: 410270
Опубликовано: 05.01.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-410270-410270.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">410270</a>
Предыдущий патент: 410269
Следующий патент: 410271
Случайный патент: Машина для мойки и сушки ящиков