Шегида

Номер патента: 655917

Опубликовано: 05.04.1979

Авторы: Бронштейн, Панфилов, Синицын, Шарапов, Шегида

МПК: G01L 9/06

Метки: давления, полупроводниковый, разности

...мембраны чашечногооснование которой соединено с сом, основание мембраны выполс краевым гофром, периферийнаякоторого жестко заделана в кора высота гофра связана опредеым соотношением с геометрическиэмерами мембраны.волнение основания с краевым м обеспечивает равенство сил, вующих на основание с внешней тренней сторон; развязывает ану ат температурных дсор са и создает периферийную ания, которая может быть ж655917 Формула изобретения 0 15 20 Составитель В.КозловРедактор О.Филиппова Техред З.Фанта Корректор м,Пожо каэ 1501/31ЦНИ113035,Тираж 108 дарственного изобретений и Ж, Раушска Подписмитета СССРткрытийнаб., д. 4/5 И Го дела сква Филиал ППП Патент, г,ужгород, ул.Проектная,заделана в корпусе путем раэвальцовки или резьбового...