Преобразователь давления

Номер патента: 965709

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Звонарев, Карпенко, Ламм, Палк

МПК: B23Q 1/38

Метки: выдвижного, гидростатического, давления, источника, питания, подшипника, регулятор, станка, шпинделя

...55перфоленты (от программы обработки изделия) расчетной зависимости Р = (1) в постоянную перепрограммируемую память 10. Таким образом, в блоке памяти 10 записывается в цифровом виде расчетная зависимость Ротаст. = 1 для данного конкретного станка. По величине сигнала от датчика вылета шпинделя 6, преобразованного в аналого-цифровом преобразователе 16 в цифровой вид, на выходе блока 10 выдается код координаты расчетной точки величины требуемого давления источника питания гидро- статического подшипника в функции выдвижения шпинделя, Этот код поступает на один из входов анализатора дискреты 11, на второй, управляющий вход которого подается в цифровом виде сигнал с аналого-цифрового преобразователя 18, пропорциональный разности толщин...

Номер патента: 1298674

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Балтушис, Дагис, Скучас

МПК: G01R 21/07

Метки: импульсной, калибровки, полупроводникового, преобразователя, резистивного, свч-мощности

...индикатор 11 импульсных напряжений.25Способ калибровки полупроводникового резистивного преобразователяимпульсной СВЧ-мощности реализуетсяследующим образом,СВЧ-генератор 1 переводится в режим непрерывной генерации и с помощью детектора 2 и компаратора 3 фиксируется уровень СВЧ-мощности, волноводный переключатель 4 переводится вположение А, переключатель- в положение С, Регулировкой выходногонапряжения источника 10 в цепи резистивного датчика 12 калибруемого полупроводникового резистивного преобра. зователя 5 устанавливается слабыйток, не вызывающий джоулевого нагрева, и уравновешивается мост 9 постоянного тока (с помощью магазина 13сопротивлений), Волноводный переключатель 4 переводится в положение Б, 45т.е, СВЧ-мощность не поступает в...

Номер патента: 1413449

Опубликовано: 30.07.1988

Авторы: Александренко, Алехин, Божко, Жуков, Ковальчук

МПК: G01L 7/08

Метки: измерительного, мембранного, преобразователя

...8 с установленной в ней матрицей 9 и съемным дном 10 размещают в полости внутренней выточки фиксирующего Фланца 1 (Фиг, 1), а затем на верхнем торце матрцы 9 устанавливают заготовку 16 (фиг, 4) мембраны. Удерживающий фланец 3 с заранее установленными в нем прижимным кольцом 4, торообразной резиновой прокладкой 7, оправкой 5 и опорами 6 трения качения навинчивают на соответствующую резьбу 12 фиксирующего фланца 1. Последний предварительно закрепляют неподвижно.на подставке пресса (фиг, 6). При соприкосновении торообразной резиновой прокладки 7 с поверхностью заготовки 16 вследствие их взаимного трения прекращается вращательное движение прижимного кольца 4, и при дальнейшем вращении фланца 3 на резьбе 12 прижимное кольцо 4...

Номер патента: 381932

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Львовский

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, полупроводниковый, тензометрический

...дить термооб различных с сторы выми, работ- адиях Изобретение относится к полупроводниковой тензометрии и может быть использовано для измерения давления при высоких температурах.Известны полупроводниковые тензометрические преобразователи давления, в которых упругий элемент (мембрана, консоль) выполнен из стали, а чувствительные элементы - полупроводниковые тензорезисторы - приклеены с помощью связующего (клей или цемент).Однако известные преобразователи работают в ограниченном температурном диапазоне до +50 С вследствие большой ползу- чести. Это приводит к падению чувствительности, невоспроизводимости характеристик, временной нестабильности характеристик.Кроме того, известные преобразователи должны иметь изоляционный слой наличие...

Номер патента: 450978

Опубликовано: 25.11.1974

Авторы: Ваганов, Пономарев

МПК: G01L 7/02

Метки: давления, интегральных, мембран, преобразователей

...преобразователи давления на основе кремниевых мембран с диффузионными тензометрами.Известные способы изготовления мембран интегральных преобразователей давления путем электрохимического вытравливания участков поверхности кремниевой пластины, на противоположнои стороне которой предварительно срормироианы диффузионные тензометры, не дают возможности получить малые размеры мембран, повторяемость параметров преооразователей и исключают возможность группового изготовления мембран на одной пластине кремния. Поставленная цель достигается тем, что поверхность пластины, подвергаемую травлению, предварительно окисляют и на ее участки, не подлежащие травлению, наносят слой хрома так, что отдельные области этого слоя изолированы одна от...