Патенты с меткой «192465»

Номер патента: 192465

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: G01L 1/18, G01L 9/06, G01N 25/00 ...

Метки: 192465

...полупроводникового материала (например, германия). Известные полупроводниковые да давлений используют эффект пьезосопр ления или свойства р - тт-переходов. Чув тельность датчиков из монополярных проводников, использующих пьезосопрот ние, относительно невелика и снижается ласти высоких температур, датчики с тун ными переходами также неприменимы пр соких температурах, а чувствительные д ки с прокалываемыми переходами ненад и работают только на сжатие. тчики отив- стви- полу- ивлев об- нельи вы- азчиежны 1 пьныи элемент предлагаех влен в виде пластины из ь нной проводимостью, при ких граней параллельны равлению деформации и тв плоскости 110 и повер ению к оси 111 в сторону ет повысить чувствительно ого дат атериачем пло оси 110, ока,...