Полупроводниковый преобразователь разности давления

Сефэ СоветскнкСецнапнстичесинх Респубп У СВИДЕТЕ АВТОР, сви полнительно Заявлено 19.1077 единением эаявк осударствеииый комитет СССР по рмам изобретений и открытийте Опубликовано 05 о 479,Бюллетень,яй 1 Вата опубликования описания оа 479 И.К.Бронштейн, И.К,Панфилов, Е.В.Синицын, А,А.Шарапови В.Н,Шегида) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙРАЗНОСТИ ЕОБРАЗОВАТЕЛЛЕНИЯ Недост тся не нений м и пер акже у ницей ней и мембр ть приластиехникеосреднреобл е ц ни но осит мере в В прео из ч крис типа корп нено част пусе леннми р Известен разности да основе крем типа, основ с корпусом все кольцо единения 12преобразовательпостроенный на мембраны чашечного оторой соединяется переходное кремние ством клеевого сотакж лени иево ние ереэ осре Вгофродейсти внумембркорпу мацнй часть естко Изобретение относится к об приборостроения, а именно к т измерения разности давлений пством полупроводниковых тензо разователей.Известны полупроводниковые тензорезистивные преобразователи давления, в которых в качестве чувствительного элемента используется монокристаллическая мембрана чашечяоготипа, на поверхности которой сформированы резисторы, например полупроводниковый преобразователь, построенный на основе мембраны, окруженнойоснованием, выполненным заодно целоес мембраной и закрепленным в корпусе Ц . Основание не обеспечивает полной развязки от деформаций в корпусе и в случае применения датчика для измерения разности давлений является источником дополнительных погрешностей. атком этой конструкции явдостаточная надежность сомембраны с переходным кольеходного кольца с корпусом, ход нуля, объясняющийся эффективных плошадей внут- внешней образующих основааны. Все это снижает точиэмерении высоких давлений температурную погрешность ия. предлагаемом полупроводниковом бразователе давления, состоящем увствительного элемента - моноаллической мембраны чашечногооснование которой соединено с сом, основание мембраны выполс краевым гофром, периферийнаякоторого жестко заделана в кора высота гофра связана опредеым соотношением с геометрическиэмерами мембраны.волнение основания с краевым м обеспечивает равенство сил, вующих на основание с внешней тренней сторон; развязывает ану ат температурных дсор са и создает периферийную ания, которая может быть ж655917 Формула изобретения 0 15 20 Составитель В.КозловРедактор О.Филиппова Техред З.Фанта Корректор м,Пожо каэ 1501/31ЦНИ113035,Тираж 108 дарственного изобретений и Ж, Раушска Подписмитета СССРткрытийнаб., д. 4/5 И Го дела сква Филиал ППП Патент, г,ужгород, ул.Проектная,заделана в корпусе путем раэвальцовки или резьбового соединения.На чертеже изображен преобразователь давления.Преобразователь состоит иэ мембраны 1 чашечного типа, основание которой выполнено с краевым гофром 2. Пе" риферийная часть основания 3 связующим материалом 4 соединена с корпусом 5 и дополнительно жестко задела" на в корпусе посредством раэвальцовки 6Корпус 5 снабжен герметизированными выводами тензорезисторов 7. Краевой гофр 2 выполняется методом электроискровой обработки с последующим анизотропным травлением основания до требуемой толщины.Высота гофра Ь выбирается согласно выражению12 5Ь Ьиэ условия равенства усилий, действующих на внутреннюю и внешнюю стенки основания мембраны О Ь 1=РЙ.В этом случае на мембрану не действуют силы сжатия с внешней стороны основания. Кроме того, утонение сечения основания с помощью краевого гофра позволяет практически полностью развязать мембрану от температурных деформаций корпуса. Периферийная часть основания в этом случае может быть жестко закреплена в корпусе посредством раэвальцовки или реэьбового соединения, что повышает надежность и герметичность соединениямембраны с корпусом. Полупроводниковый преобразовательразности давления, содержащий монокристаллическую мембрану чашечноготипа с расположенными на ней тензорезисторами, основание которой соединено с корпусом, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения точности измерения высоких давлений и снижения температурной погрешности, основание мембраны выполненос краевым гофром, периферийная частькоторого жестко заделана в корпусе,при этом высота гофра Ьр связанасоотношениемП ЪЬр=Эгде й 2 - высота гофра;Й - высота внутренней образующей цилиндра мембраны;Р - внутренний диаметр мембраны;Э - внешний диаметр мембраны.Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе1. Патент СИА 93753196,кл. 338-4, 1971.2. Преобразователь давленияТУ-1303-182-76.