Качкаев

Номер патента: 1760411

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Качкаев, Педоренко, Рожин, Саблин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...с полупроводниковой мембраной, объем Ч которого определяется из соотношенияЧ+(Рг 1 Ргг) Ьг) (1) где Р 1 - максимальный диаметр металлической мембраны;п 1 - допуск на неперпендикулярность торца основания;Рг - минимальный диаметр основания; пг - высота основания,При установке основания с полупроводниковой мембраной в датчик, при поджатии последней к металлической мембране, на поверхность полупроводниковой мембраны наносится тонкий слой герметика на основе полиорганического силоксана. при поджатии основания слой силоксана, растекаясь, заполняет микрополости между металлической и полупроводниковой мембраной и тем самым обеспечивает прилегание по всей поверхности полупроводниковой мембраны, Физические свойства полиорганического силоксана...