Датчик давления и способ его изготовления

(5 ТЕНТНОЕ ГОСУДАРСТВЕННО ВЕДОМСТВО ССС ;.У (ГОСПАТЕНТ СССР ИЕ ИЗО ОПИСАК АВТОРСКОМ У СВИДЕТЕЛЬСТВУ . 1 .:, 2(71) Научно-исследовательскй институтфи- . (57) Изобретение предназначено для :зических измерений щения чувствительности, уменьшая погреш-(72) Е;М,Белозубов : ности при воздействии нестационарной (56) Авторское свидетельство СССР . температуры измеряемой среды, уменьше- М 1337691, кл.О 01 1. 9/04, 1980, . ния габаритов, повышения технологичностиАвторское свидетельство СССР, . и уменьшения динамических характери- М 1744531, кл:. 6 0.1 1 9/04, 1989, - :"стик. При воздействии нестационарной темБ ЕГОповы 7317969274 Япературы измеряемой среды (термоудара) опорного основаниявследствйе увеличения . на мембране 2. возникает неравномерное площади поверхности опорного основания,поле температур. Неравномерность темпе- несмотря нане стационарный характер из: ратурйого поляв конструкции существенноменения температуры на планарнойстороменьше вследствие близости термических .не мембраны, температура тенэоэлементов Сопротивлений мембраны и отгорного осно- окружных и радиальных тенэорезисторов одивания,Зиз-за равейства их толщйН. Принакова. Одинаковаятемпературарадиальныхэтом в области размещения тензорезйсто- й окружных тенэорезисторов вкаждый конкров 4; 5 скорость измененйя температурно- ретныймоментвременивызываетодинаковые го поля какпо радиусу,.так и во времени:. изменения сопротивлений тензореэисторов, минимальна;. В связи с выбранными разме-: которые вследствие включения тейзорезисторами.и местоположением тензоэлементов и. ров в мостовую схему взаимно компенсируютвыбранййми соотношениями размеров ся.2 С, и 1 з,п. ф-лы, 3 ил,интегральной температуре радиальных тенПредлагаемое изобретение относится к измерительной технике, в частности к дат-: зорезисторов вследствие-принципиально .чикам, предназначенным для использова- .нелинейного распределения температурнония в различных областях йаукй и техники, го поля по радиусу мембраны, Габариты изсвязанных с измерением давления в услови вестной конструкции также. весьма ях воздействия нестационарнойтемперату-. - значительно.Это связано с тем, что для ры измеряемой среды (термоудара),:обеспечения большей равномерности темИзвестен датчик давления, содержащий . пературного поля на мембранеи для миникорпус, упругйй элемент в виде круглой же- . миэации воздействия внешних моментов(например, момента затяжки при установке сткозащемленной мембраны, выполненной 1.0 эа одно целое с опорным основанием на . датчика давления на изделие) необходимо которой расположены соединенные в мос- - сравнительно протяжное опорное основатовую схему тенэорезисторы размещенные ние, Технологичность известной конструкйодуге окружности и: по радиусу мембра- ции недостаточна вследствие малого 15 выхода годных при изготовлении датчиков нь 1; причем окружные тензорезисторы своей срединной часто размещены по ок- . низких диапазонов измерения из-за большого брака при полировании мембран небольшой толщины. Недостатком известной : конструкции являются несовершенные ди:. ружности с радиусом1г = го -- 1 тр3 сторы расположены в зоне воздействия мембраны с цилиндрическим опорным оснемаксимальных радиальных и тангенци нованием и посадочнымместом, полироваальнйх деформаций, Погрешность датчика нии поверхности мембраны и нанесении на в условйях воздействия нестационарной нве диэлектрических, тенэорезистивных итемпературы измеряемой среды также весь- проводящих пленок,ма высокая вследствие расположения тен- Недостатком известного сгюсоба являзореэисторов .в зоненеидентичного 35 етсяневозможностьизготовлениядатчиков изменения температуры. Это связано с тем,давления с необходимыми чувствительночто хотя окружныетенэореэисторы находят- стью, погрешностью от воздействия неста-. ся в зоне, где температура на мембране ционарной температуры измеряемой равна среднему значению температуры кра- . среды, габаритами, технологичностью и диев радиальных. тенэореэисторов, среднеин тетральная температура окружных тенэорезисторов не соответствует средненамическими характеристикамивследствие причин, изложенных вышев критике конструкции,20 намические характеристики, вызванныегде го - расстояние ат центра мембраны до: сравнительно низкой собственной частотой серединьлензореэистора, размещенного в канала опорного основания, вследствие не- радиальном направлении; .: . достаточногоотношения его ширины к дли 1 р - длина тейзорезистара, размещен-не и сравнительно низкой собственнойного в радиальном направлении, . 25 частотой мембраны, вследствие ее сравниНедостатком известной конструкции тельно небольшойтолщины,является сравнительно небольшая чувстви- Известен способ изготовления датчика :тельность, связанная с тем, что тензореэи- давления, заключающийся в формированииИзвестна конструкция датчика давле- :тоЬлейия датчиков давления с необходи-ния, выбранная в качестве прототипа, со- мими чувствительностью; погрешностью отдержащая корпус,: мембрану своздействия .нестационарной температурыпериферийным Основанием, выполненным . измеряемой среды, габаритам; технологич-в виде. оболочки вращения с подйутрейием 5 ностью и динамическими характеристикамиотносительно края мембраны, прйчем тол-вследствие причин, изложенных. выше вщина стенкиоболочки вращения равна тол-крйтике конструкции,щине мембраны, а на планарной стороне . Целью изобретения является повыше, мембраны сформированы окружные и ради-ние чувствительности, уменьшение погрЕа- альные тензорезисторы, соединенные в из- .10. ности при воздействии нестационарноймерительную схему и выполйеннйе в виде . температуры измеряемой. среды, уменьше- .нескольких идентйчнцх .тензоэлементов,: ние габаритов, повышение технологичностисоединенных между:собой низкоомными . и улучшение динамических характеристик,перемычками и размещенных, на одинако-за счет увеличения деформаций в зоне уставом расстояний отцентра мембраны., 15 норки тензорезисторов вследствие сумми-Недостатком известной конструкции романия деформаций от воздействияявляется небольшая чувствительность, свя-измеряемого давления на мембрану с дезаннымстем,чтотензбэлементыреагируютФормациями от воздействия измеряемогойа радиальные и тангенциальные деформа-,. давления на опорное основание, за счет поции, образуемые в данной конструкции .20 выщения равномерности и уменьшения скотолько в результате воздействия измерите-рости .изменения температурного поля вмого:давления на мембрану датчика, По-.зонеустановкитензорезисторов,грешность известного датчика .отвоздействйя йестационарной температуры: На Фиг;1 изображен общий вид предлаиэмеряемой среды также весьма . высока, .25 гаемого датчика давления;. на Фиг.2 - фрагвследствие:расположения.тензорезйсторов мент опоряого основания датчика; на фиг.Зв зонах сравнительно:большой скорости из.-отдельные этапы йзготовления датчика:менения температурного йоля,.; - Толщинь 1 дизлектрической, резистивГабариты известной конструкциитакже . ной и контактной пленок для наглядностивесьма значительны, Это связано.с тем, что ЗО несколько увеличены. Датчик давления содля обеспечения большей равномерности держитвакуумированный корпус 1, мембратемпературйого поляна мембране и дляну 2 с периферийным основанием 3,минимизации воздействия внешнихусилий. окружные 4 и радиальные 5 тензорезисто.(например, от момента затяжки при уста- ры, выполненные соответственно в видановке датчика давления) необходимо срав- Э 5 идентичных тензозлементов, соединенныхнительно протяженное опорное основание. низкоомными перемычками 6 и размещенТехнологичность известной. конструкции нйми на периферии мембраны на одина. недосгаточна, вследствии малого .выхода . ковом Расстоянии от . ее центра.годных при изготовлении датчиков низких Периферийное основание выполнено в видедиапазонов измерения из-за большого бра расположенного в плоскости мембраныка при пОлировании мембран небольшой консольногоучастка 7,выполненногсзэодтолщины. Недостатком известной конструк-. но целое с опорным осйованйем .8 в виде. ции является также невысокие динами-: оболочки вращения, ось 9 которой перпенческих характеристики, вызванные: дикулярна плоскости мембраны, а образуюсравнительно низкойсобственнойчастотой 45 щие 10 и 11 выполнены в виде кривых,канала опорного основания вследствие выпуклых в сторонуотоси и сопряженныхснедостаточного большого отношения его обоих концов с параллельными оси вращеширины кдлине и сравнительно низкой соб- ния прямыми 1213, 14, 15, соединеннымиственной частотой мембраны вследствие ее другими концами с мембраной или посадочсравнительно небольшой толщины.50 ным местом 16, толщина оболочки вращеИзвестен способ изготовления датчика ния и консольного участка равны толщинедавления, включающий изготовление мемб- мембраны, а максимальный диаметр обораны с периФерийным основанием в виде лочки вращения равен диаметру консольнооболочки. вращения и поднутрением отно-го участка, Средняя линия 17 образующихсительно края мембраны, полирование по криволинейной части оболочки вращенияверхности мембраны и Формирование на выполнена в виде сопряженных дуг окружней тензозлементов е нйзкоомными пере- ности. Размеры элементов койструкции свямычками между ними. заны заявляемым соотношенйем.едостатком известного способа иэго- Датчик изготавливают следующим обтовления является невозможность изго- разом, Формируют мембрану с периферий7 1796927 8ным основанием из сплава 29 Н 26 КХБТО. .жения вызывают деформации на планар. При этом выполняют периФерийное основа- ной части мембраны. В связи с;выбранным.ние в виде расположенного в плоскости местоположенйем тензоэлементов,тензоэмембраны консольного участка, выполнен- лемент окружного тензорезистора подного заодно целое с опорным основанием в 5 вергается воздействию растягивающих. виде цилийдрицеской оболочки см; фиг,За), тангенциальных деформаций е, вызванФормирование проводят любыми извест- ных воздействием измеряемого давленияными способами механической обработки. на мембрану, направленных вдоль длиныУстанавлиыютмембрану в охватывающую . Резистора.и сжимающих радиальных де.опорное:основанйе разъемную мтрицу 18. 10 формаций яг, вызванных воздействием из- ..Внутренняя поверхность матрицы выполне- меряемого давяения на мембрану;на с необходимой конфигурацией. Термооб- сжимающих Радиальных деформаций ям 1Рабатывают мембрану с периферийным вызванных воздействиемизмеряемого давоснованием йереводя их в более йластичное ления на опорноеоснование, сжимаащихсостояйие. Одновременно создают внутри 18 радиальнцх деформаций яф вызванныхприемной полости опорного основания давление более номинального и воздействуютвоздействием измеряемого .давления нана мембрану:усилием, приложенным по цилиндр цбское о ОР оЕ оСнование, Девсей ее плоскости, усилие прикладывается: фоРмацииг, 8 м,8 д направлены мрпен:" через пластину 19, вдоль оси опорного ос-. 20 дикуляРно длин 6. тензозяемента, Внования, Под действием приложенного уси- Результате воздейстеия таких деформацийлия и давления опорное основание. сопротивление каждого:тензоэлемента ок-.деформируется, до полного сойрмкоснове- Ружного тензорезистора.увеличится, Вслед ния с поверхностью матрицы, Величина. ствие аналогичных,причин тенэоэлемент .даоления и усилия подбирается зкспери радиального тензорезистора подвергаетсяментально взависимости от койкретнцх ти- воздействию раСтягиаающих тайгенцйаль- .. поразмеров мембраны и периферийного ныхдеформацийят, вызванйьавоздейстоснования.вием измеря 6 мого давления на мембрану,Термообрабатывают мембрайу с пари- направленных перпендикулярно дпинеферийным основанием, снимая тем самым 30 тензоэлемента и сжимающйх Радиальныхостаточнь е механическиЕ напРЯжениЯ, воэ- деформаций Ег, вызванных воздействиемникающие при формировании опорного ос измеряемого давления на мембрану; сжинования, Полируют мембрану йзвестными мающих радиальных деформаций е, вь 1- способами. Йаносят на поверхности мемб- . званйых воздействием измеряемогораны и консольного участка слойдиэлектри давления: на цилиНдрическое . опорное, ка 20 в виде структуры А 120 зтолщиной основание сжимающих радиальных3 мкм, тенэореэистивную пленку 21 иэ спла-. деформаций еф, вызваннь 1 х воздействива Х 20 Н 75 Ю с поверхностнь 1 м сопротивле- ем измеряемого давления на цилиндриййем 1 ОО Ом/квадрат, пРоводящую пленку ческое опорное основание. деформации22 в виде структуры ванадий-никельтолщи г, е гд, направлены вдольдлины тенэоной 1,5 мкм.элемента В результатевоздействия такихДатчик давления работает следующимДат д е рабо е с едующим деформаций сопротивление резистивногод с уе р у о р ое осно а окружные и радиальные тензорезисторыдействует на мембрану и опорное основаДавлениЯ нймембранУ э ней возникают Ра- ненных низкоомн ми е е амм м р емь о 45 выполнены ввиде последовательносоедидиальййе и тангенциальные напряжения,ненных низкоомными перемычками иравномерно размещенных идентичныхю а пла"ар тензоэлементов, то изменение сопротивтангенциальных дефоРмацй. Под воздеи сторо буде Ра но с ме эмененийлений окружных и радиалъных тензорези- .ствиемиэмеряемогодавлениянацилиндри- сторо буде Ра но су ме эмененийсопротивлений соответствующих тензоэ есоединения мембрань 1 и опорного основаментов. Увеличение сопротивлений противоположно включенных окружныхниЯ эникает Зг баю и м УС тензорезисторов и уменьшен,е провопо.лие, направленное по радиусу мембраны. 55Воздействие изгибающего момена пРиво- и еоб аз ется мо тово с ойлиЕ "апРа" ое " е бРа55 ложно включенных радиальных Резисторовдиткпоявлениювмембранедополнитель- чес ийс гнаа о о ый ос ае авы оных напряжений, максимальная величинакоторых наблюдается в области соединенияные контакты датчика, Причем, вследствиемембраны. и опорного основания, Напря- воздеис вия допо ните д ф рмац й,109 .1796927образующихся в результате воздействия из-тивном случае на разные тенэоэлементы меряемой среды на опорное основание, ве-: будут действовать не равные.по величине личйна выходного сигнала больше, чем у" деформации, вцзвайнце воздействием издатчика по прототипу, Так как площадь по-меряемого давления на опорное основание.верхностй опорного основания в заябляе Неравные деформации вызовут неравную : мом решении вследствие выполнения: чувствительность отдельных тензоэлеменопорного основания в виде оболочки вра- тов, Кроме того, неперпендикулярность . щения, образующие которой выполнены в: продольной оси опорного основания пловиде кривых, существенно превышает пло- скостй мембраны приведет к неравенству щадь опорноГо основания по прототипу, 1 О температур отдельйыхтензоэлементовпри то и дополнительные деформации,:возни- тврмоударе, а, следовательно и к увеличекающие в мембране.из-эа реакции опор- нию погрешности от воздействия нестацио, ного осноааниа на воздействующее: нарной температуры измеряемой среды.давление, а следовательно, и чувствитель-Образующие оболочки вращения выностьбудзт больше, чем в прототйпе. При 15 полненц в виде кривых Для увелйчения пловоздействйи йестационарной температуры . щади поверхности опорного основания и измеряемой среды (термоудара) на мембра- увеличения за счет этого реакций опорного не возникает неравномерное полетемпера- основания на измеряемое давление, а, слетур; Неравномерностьтемпературногополя довательно и чувствительности датчика, в предлагаемой конструкции существейно 20 Кроме того увеличение площадиповерхноменьше по сравнению с датчиком по прото-,сти опорного основания ускоряет время типу вследствие близости термических со- восприятия опорным основанием темперапротивленйй мембранц. и опорного: туры измеряемой среды, а, следовательно основания из-за равенства их толщины, При выравнивает температурное поле на мембэтом в области размещения тензорезиста:ране и уменьшает погрешность йри воэдейров скорость измененйя температурного ствии нестационарной температуры поля как по радиусу так и по времени мини.- измеряемой среды, Этого же результата помальна, Всвязи с выбранными размерами . зволяет добиться. удлинение. пухи темпера- и местороложениемтензоэлементовивы- турнаго потока от посадочного места к бранными соотношениями размеров ойор- . 30 мембране, эа счет криволинейности образу- ного основания вследствие увеличенйя ющей, Выполнениеобразующихввидекри.- площади поверхности опорного основа- вых уменьшает расстояние между ния; несмотря на нестационарный харак-посадочным местом и поверхностью мембтер изменения температуры на планарной .раны, что позволяет уменьшить габаритыстороне мембраны, температура тензозле-. 35 датчика и увеличивает собственную частоту ментов окружных и радиальных тензорези-: канала вследствие уменьшения его длины.сто роводинакова, Одинаковая: . Кроме того, собственная частота канала уветемпература радиальных и окружных тензо- . личивается вследствие увеличения диамет.резисторов в каждый конкретный момент.ра канала в результате выполнениявремени вызывает одинаковые изменения 40"опорного.основанияввидеоболочкивращесопротивлений тенэорезисторов, которыения с криволинейными образующими, вы-.вследствие включения тензореэисторов в" пуклыми в сторону.от оси. Криволинейные мостовую схему взаимно компенсируются. образующие сопряжены с.обоих концов с Причем, так как в результате выбранных со-: параллельными оси вращения прямыми, соотношений скорость изменения темпера единеннымидругимиконцамисмембраной турного поля как по радиусу так и во илипосадочнгямместом,т,е,образуяфактивремени,вобластираэмещениятенэорези- ческие участки цилиндрической оболочки сторов, меньше чем у. прототипа, то и мень- для обеспечеййя с одной стороны сравнише будет погрешность при воздействии тельно плавного сопряжения с посадочным нестационарнойтемпературц БО местом с образованием сравнительно неПериферийное основание выполнено в большого превышения деформаций и зонеаиде расположенного в плоскости мембра- перехода, а с другой стороны сравнительно ны консольного участка, выполненного эа резкого перехода с мембраной с обеспечеодно целое с цилиндрическим опорным ос- кием максимального превышения деформанованиемдля.обеспечения возможности из ций в зоне. размещения тензозлементов в менения толщины цилиндрического других местах мембраны, Толщина оболочопорного основания. Выполнение продоль- ки вращения и консольного участка равны ной оси опорного основания перпендику- толщинемембраны,дляобеспеченияблизо.лярно плоскости мембраны, носит. сти теРмических сопротивлений опорного принципиальный характер, так как в про- основания и мембраны, и выравнивания1796927 11 ,: .12вследстаие этого температурного поля в эо- (вследствие неоправданного уменьшения.неустановкииобеспечениямаксимальногодиаметра опорного основания), Тензоэлевоздействия изгибающего момента и уси-: менты расположены на мембране в зоне лия,обрээующйхся в опорном основании на соединений мембраны и опорного основа- деформации в.плоскости мембраны. Если 5 ния для обеспечения максимума чувствитолщина:оболочки вращения будет меньше.: тельности; минимума температурной толщины мембраны, то термические сопро- погрешности при термоударе. Средняя литивление опорного основания будет мень- ния образующих крйволинейной части обоше теплопроводимости мембраны, что лачки вращения выполнена в вйдеприведет к неравномерному восприятию 10 сопряжения дуг окружности для обеспечетемпературыизмеряемойсреды мембраной .ния равномерности распределейия дефориопорным основанием и йоявлению допбл-: маций, возникающих при деформировании нительной неравномерноститемпературно-: опорного основания как при изготовлении го поля. Кроме того; в этом случае влиянйе так и при воздействии измеряемого давлеизгибающего момента и усилия, возникаю ния. При любой другой конфигурации средщихвопорном основании на деформации в. ней линии (кроме прямой) в опорном мембране, будет существенно ослаблено основзйии возникают зоны неравномерно- вследствие различной жесткости мембраны го распределения деФормаций, которые мои опорного основания, Аналогичные про- гут оказаться в процессе Эксплуатации на , цессй будут проходить в случае превыше чувствительйость; погрешность от термония толщины. опорного основания толщйны . удара и т.д,мембраны; Толщина консольного участка Перед полированием мембраны уста- выбрана равной толщине мембраны для навливают ее в охватывающую опорное особеспечения необходимого воздействия иэ- нование раэьемную матрицу с необходймой гибающего,момейта и усилия, образующих внутренней конфигурацией для обеспече.сяв опорномосновании.на деформации в ния последующего изьятия упругого злЕ- плоскости мембраны прй достаточной жес-мента, В нутри полости опорного ткости. закрепления мембраны в опорной основания:создают . давление превышаю- основании, Если толщина консольного уча- . щее максимальное йзмеряемое для обеспестка будет меньше толщины мембраны, то 30 ценил вьеуклости опорного основания.деформации в месте расйоложения тейзоэ- Воздействуют нз мембрану усилием прилолемен 1 ов от воздействия измеряемого женном по всей плоскости вдоль оси опор- давления будет меньше; вследствие недо- ного основаниядля полного формирования статочной жесткости закрепления мембра-: формы опорного основания; Воздействия нь 1 в опорном основании. 8 случае, если 36 усилия и давления должно бйть одновретолщина консольной части: будет больше мейным,так какв случае,если райьше будет толщины мембраны, то неоправданно уве- действоватьдавление, то будетдеформироличится жесткость мембраны; что приведет . вана мембрана вследствие воздействие пок уменьШению влияния изгибающего мо- .вышенного давления, а в случае если мента и усилия в опорном основании на 40 раньше будет действовать усилието может деформации мембраны. -:.произойти нарушение устойчивости и деМаксимальный диаметр оболочкй вра- формация опорного основания в сторонущения равен диаметру консольного участка его оси.для обеспечения минимума габаритных раэ- . Технико-экономическим преимущест меров при обеспечении оптимальйости дру вом предлагаемого датчика давления погих характеристик, так как в случае сравнениюспрототипомявляетсяповышейревышения диаметра оболочки вращения ние чувствительности от 30 до 100 ф 6, умень- диаметра консольного участка неоправдан-шение погрешности при вОздействиино увеличится поперечные размеры вслед- нестационарйой температуры йзмеряемойствие.того, что поперечные размеры 50 среды в 1,9 раза,засчетувеличениямакси датчика с осйовном определяются дизмет- мальных деформаций от воздействия измером консольного участка, Если максималь- ряемого давления. на мембрану с ный диаметр оболочкй заращения будет деформациямиотвоздействияизмеряемого.меньше диаметра консольного участка, то давления на опорное основание вследствие неоправданно ухудшатся габариты (вслед увеличения площади поверхности опорного ствие необходимости обеспечения длины основания, за счет повышения равномерно- опорного основания), увеличится погреш- сти и уменьшения скорости изменения темностьоттермоудара(иэ-зауменьшенияпло- пературного поля в зоне установки щади поверхйости опорного основания) и тенэорезисторов. Повышение чувствительухудшатся динамические характеристики ности позволяет при тех конструктивных.1796927 13 . . 14размерах изготавливать датчики давления мембраны, Преимуществом решения являна меньшие пределы измерения. Уменьше- ется также улучшение динамических хэние габаритов достигается также за счет рэктеристик вследствие увеличения уменьшения примернов 2 раза длины опор-. собственных частот внутренней полости ного основания , 6 опорного основания и мембраны за счет увеДругим преимуществом предлагаемого личения диаметра иумейьшениядлйны вйутрешения является повышение технологич- реннейполостиопорногооснованияизасчет ности вследствие повышения выхода год-увеличения толщины мембраны. Кроме того, ных после операции полировки мембрайы в силу этих же причйй увеличивается виброиз-за возможности увеличения толщины 10 устойчивость датчйка давления.Ф о р и у л а и 3 о б р е т е н и яним радиусом стенки вершины гофра и ра, 1. Датчик давлейия, содержащий кор- . диусом его сопряжения.с основанием мемпус, мембрану с. периферийным основани- браны удовлетворяют соотношениямем, в.ыполненным в виде оболочки: Оц=ОО+2 г+Н;вращения с поднутрением относительно 1 ц=2 г;края мембраныпричем толщина стенки . г-. - 0,250 - Оо) - 0,5 Н;оболочки вращения равнатолщине мембра- . где Н - толщина мембраны;ны, а на планарной стороне мембрэйь0 - энутренний диаметр основаниясформированы окружные и радиальные тен- мембраны;зорезисторы, соединенные в измеритель-. О - наружный диаметр края мембраны. ,ную схему и вьгполненные в виде3. Способ изготовления датчика давле-нескольких идентичных тензозлементов, со- ния, включающий изготовление мембраны сединенных между собой низкоомными пе-, .; периферийным основаниемввиде оболочкиремычками и размещейных на одинаковом . вращения и поднутрением относительнорасстоянии от центра мембраны, о тл и ч а ю-края мембраны, полировэние поверхностищ и й с я тем, что, с целью повышения . мембраныиформированиенэнейтеизозлеточности за счет уменьшения .температур- ментов с низкоомными перемычками междуной погрешности при воздействии нестаци- ними,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюонарной температуры измеряемой среды и повышения технологичности и надежности,увеличения чувствительности, уменьшения перед полированием мембга аритов, повышения технологичности и, вают в охватывающую основаниеу уч д амических характеристики, в ную матрицу с конфигурэциеразъемней оболочка вкэ вращения выполнена в вйде поверхности, аналогичной конфиг рфр ру м диаметром, равным диа- ., гофра, а затем во внутреннюю полость оснометру мембраны, э тензорезисторы распо-. вания подают давление, вызывающее плаоснования,вания, иложены в зонесоединейия мембраны и стическое течение материала осноодновременно воздействуют давлением на2. Да)чик давления по п.1, о т л и ч а ю- . меембрану, деформируя стенку основания,щ и й с я тем, что в нем средний радиус до еесойрикосновения с внутрейней постенки ве шины гоф а гр фр, диаметр Оц, на верхностью матрицы, после чего снимаюткотором расположены центр радиуса вер-. остаточные напряжения в материале мемшины гофра, и расстояние 1.ц между сред- браны.. Редактор Т.Козлова Техред М.Моргентал Корректор Т,Ваакович тельский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Произаодствен Заказ 644 Тираж .Подписное . ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/б